Поисковый запрос: (<.>K=GAAS@<.>) |
Общее количество найденных документов : 202
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1. 
| Kulik M.
Creation of oxygen-enriched layers at the surface of GaAs single crystal
Kobzev A.P., Maczka D. - Препринт. - Dubna. - 1999. - 8 p.: il. -(Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Е15-99-265). - На англ.яз. - Российская Федерация. - Тираж 270 экз.
ГРНТИ: 47.09.29
УДК: 621.315.592.3(04)
Предметные рубрики: Галлий, арсениды
Перевод заглавия: Creation of oxygen-enriched layers at the surface of GaAs monocrystal
Аннотация: Исследованы оптические характеристики и глубинные профили элементов на (100) плоскости высокоомного некомпенсированного монокристалла GaAs, имплантированного ионами In. Результаты сравниваются с теми же характеристиками, полученными для исходных образцов. Оптические характеристики для всех оразцов (имплантированных и неимплантированных, отожженных и неотожженных) были измерены эллипсометрическим методом. Глубинные профили элементов для тех же образцос получены с помощью методик RBS и NRA. Показано, что послеимплантационный отжиг при температуре выше 600 град.С ведет к десятикратному увеличению содержания атомов кислорода в имплантированном слое по сравнению с неотожженным образцом. Толщина прозрачного слоя на поверхности монокристалла GaAs также увеличилась после имплантации ионами In и соответствующего отжига
Держатели документа:
|
2.
| Сачков В.А.
Фононы в структурах на основе GaAs и AlAs: численное моделирование и эксперимент
Болотов В.В., Володин В.А. - Новосибирск. - 2000. - 62 с.: ил. -(Препринт; 2000-01). - На рус.яз. - Российская Федерация, Российская Федерация. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 47.33
УДК: 621.315.592.9:535(04)
Предметные рубрики: Гетеропереходы
Держатели документа:
|
3.
| Kusano S.
Study on sublattice reversal in a GaAs/Ge/GaAs(001) crystal by X-ray standing waves
By Kusano S., Nakatani S., Takahashi T. et al. - Chiba: Inst. for solid state physics, Univ. of Tokyo. - 2003. - 6 с.: ил., табл. -(Techn. rep. of ISSP. Ser. A;ISSN 0082-4798; Nr 3694). - На англ.яз. - Соединенные Штаты Америки
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322-039.6 GaAs
Перевод заглавия: Изучение обращения подрешетки в кристалле GaAs/Ge/GaAs(001) методом рентгеновских стоячих волн.
Держатели документа:
|
4.
| Kubon M.
Photolumineszenzmessungen an MBE-AlGaAs/GaAs-Halbleiterschichtsystemen zur Optimierung der Wachstumsparameter
Institut Schichund Ionentechnik. - Julich. - 1991. - 72 c. - На нем.яз.
ГРНТИ: 29.19.31
Перевод заглавия: Измерения фотолюминесценции на полупроводниковой пленочной системе MBE-AlGaAs/GaAs для оптимизации параметров роста
Ключевые слова:
оптимизация
Держатели документа:
|
5.
| Reimand I.
Picosecond dynamics of optical excitations in GaAs and other excitonic systems: Diss. - Tartu: Tartu Univ. Press. - 2000. - 173 с: ил. -(Diss. Physicae Univ. Tartuensis;ISSN 1406-0647; N 33). - На англ.яз. - Эстония. - Библиогр.: с.40-42.- Рез. эст. - ISBN 9985-56-475-8
УДК: 539.2
Перевод заглавия: Пикосекундная динамика оптических возбуждений в GaAs и других экситонных системах. Дис
Ключевые слова:
оптические возбуждения
Держатели документа:
|
6.
| Cole B.E.
Effective mass anisotropy and many body effects in 2D GaAs/(Ga,Al)As hole gases observed in very high magnetic fields: Comparison of theory a. experiment
Hill S.O., Imanaka Y. - Tokyo: Inst.for solid stae physics,Univ.of Tokyo. - 1995. - 4 c: ил. -(Techn.rep.of ISSP.Ser.A;ISSN 0082-4798; N 3004). - На англ.яз. - Япония. - Библиогр.:с.4
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311
Перевод заглавия: Анизотропия эффективной массы и эффекты многих тел в газе двумерного GaAs/Ga,Al)As в очень сильных магнитных полях
Ключевые слова:
магнитные поля
Держатели документа:
|
7.
| Goller K.-W.
Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen: Diss. - Hamburg. - 1990. - 6, 110 c: ил. - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.: с.100-103
ГРНТИ: 29.19.31; 29.19.16; 47.13.11
Перевод заглавия: Конструкция установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и исследование ориентированного роcта пленок кристаллических полупроводников Ga-As и AlGaAs. Дис
Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия
Держатели документа:
|
8.
| Bwlyaev A.E.
Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices: Some phys.-technological aspects
Inst.of semiconductor physics of the Nat.acad.of sciences of Ukraine;Slovak univ.of technology. - Киiв: Iнтерпресс лтд. - 1998. - 126 с: ил. - На англ.яз. - Украина. - Рез. укр.-Библиогр.:с.119-127. - ISBN 9665-01-024-7
ГРНТИ: 47.14.21; 29.19.31
Перевод заглавия: Радиационная стойкость СВЧ приборов с барьером Шотки на основе GaAs. Некоторые физико-технологические аспекты. Дис.
Ключевые слова:
радиационная стойкость СВЧ приборов
Держатели документа:
|
9.
| Болдырев Е.М.
Математическая модель транспорта носителей зарядов в арсенидгаллиевом (GaAs) детекторе
Губочкин А.М. - Протвино (Моск. обл.). - 2003. - 8 с.: ил. -(Препринт
Институт физики высоких энергий(Серпухов); ИФВЭ 2003-24). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 130 экз.
ГРНТИ: 29.15.39
УДК: 539.1.074.5(04)
Предметные рубрики: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые
Перевод заглавия: Mathematical model of transport of charges carriers in the gallium arsenide (GaAs) detector
Аннотация: Проводится моделирование процесса переноса неравновесных носителей зарядов, образовавшихся в результате взаимодействия @GI-кванта с телом детектора на основе арсенида галлия (GaAs). Математическая модель поставленной задачи представлена системой неоднородных дифференциальных уравнений с начальными и граничными условиями. Решение задачи находилось при помощи итерационного метода
Держатели документа:
МБА/ЭДД
|
10.
| Kim H.
Electronic and structural properties of the As vacancy on the (110) surface of GaAs
Chelikowsky J.R. - Minneapolis(Mn). - 2000. - 8 p.: ill. -(UMSI research report
University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute; 2000/115). - На англ.яз. - Соединенные Штаты Америки
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322:532.6
Предметные рубрики: Галлий, арсениды
Держатели документа:
|
11.
| Миттова И.Я.
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs
И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков. - Воронеж: ИПЦ Воронеж. гос. ун-та. - 2008. - 161 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - В надзаг.: Воронеж. гос. ун-т. - ISBN 978-5-9273-1260-3. - Тираж 400экз.
ГРНТИ: 47.09.29; 47.09.31
УДК: 621.315.592.9
Предметные рубрики: Контакт полупроводник-диэлектрик
Держатели документа:
|
12.
| Конников С.Г.
Процессы образования и особенности структуры метастабильных твердых растворов (Ge2)х(GaAs)1-х, полученных методом пиролитического синтеза
С. Г. Конников, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев. - Л.: ЛИЯФ. - 1988. - 38 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 37-38 (27 назв.). - Тираж 200 экз.
ГРНТИ: 29.19
УДК: 548.735
Предметные рубрики: Полупроводники - Растворы твердые - Осаждение из газовой фазы--Полупроводниковые пленки - Получение
Держатели документа:
|
13.
| Джафаров Т.Д.
Влияние диффузии меди на электрические и фотоэлектрические свойства CuGaSe'2-GaAs и CuZnSe'2-GaAs гетероструктур
Т. Д. Джафаров, М. С. Садыгов, С. Ф. Гафаров. - Баку: ИФАН АзССР. - 1989. - 25 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 24-25 (15 назв.). - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 29.19
УДК: 537.311.322:535.215
Держатели документа:
|
14.
| Болховитянов Ю.Б.
Переходные слои в гетероструктурах, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии: AlGaAs/GaAs и InGaAsP/GaAs. - Новосибирск: ИФП. - 1989. - 47 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 44-47 (39 назв.). - Тираж 120 экз.
ГРНТИ: 53.37
УДК: 621.315.592.002
Держатели документа:
|
15.
| Гущина Н.А.
Расчет в рамках метода сильной связи разрывов зон в гетеросистемах Al'xGa'1-xAs/GaAs(AlAs)
Никулин В.К. -Б.м. - 1989. - 12 с.: граф. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 11-12 (18 назв.). - Тираж 200 экз.
ГРНТИ: 29.19
УДК: 537.311.322:541.57
Предметные рубрики: Гетеропереходы полупроводниковые--Электронная структура
Держатели документа:
|
16.
| Белый В.И.
Электронные состояния на GaAs. - Новосибирск: ИНХ. - 1989. - 53 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 39-52. - Тираж 299 экз.
ГРНТИ: 29.19
УДК: 537.311.322:530.145
Предметные рубрики: Галлий, арсенид--Поверхностные слои
Держатели документа:
|
17.
| Адилов М.К.
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках GaP и GaAs. - Ташкент: ИЯФ. - Б.г. - 11,[1] с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 11-12 (18 назв.). - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 29.19
УДК: 537.311.322:530.145
Держатели документа:
|
18.
| Джафаров Т.Д.
CuGaSe&2-GaAs-гетеропереходы
Джафаров Т. Д., Гафаров С. Ф., Цыганова Т. В. - Баку: ИФАН АзССР. - 1987. - 26 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 8 (11 назв.). - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 29.19
УДК: 537.311.322:536.42
Предметные рубрики: Полупроводники - Гетеропереходы
Держатели документа:
|
19.
| Меликян Р.А.
Эмиссия фотовозбужденных поляризованных электронов в пьезоэлектрическом поле GaAs
Торикян Л.Г. - Ереван: ЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. по атом. науке и технике. - 1986. - 13 с. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 13 (8 назв.). - Тираж 299 экз.
ГРНТИ: 29.19
УДК: 548.0:537.533.2
Предметные рубрики: Кристаллы - Поверхностные явления--Электроны - Фотовозбуждение
Держатели документа:
|
20.
| Достов В.Л.
Осаждение буферных слоев в системе GaAs-AsCl'3-H'2 на полуизолирующих подложках арсенида галлия
Жиляев Ю.В., Ипатова И.П. - М.: ИНИОН. - 1988. - 25 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Библиогр.: с. 23-25 (23 назв.). - Тираж 200 экз.
ГРНТИ: 47.13
УДК: 621.382.049.772.002
Предметные рубрики: Нанесение на подложку--Полупроводниковые свойства
Держатели документа:
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных