Главная страница

Базы данных


Российский сводный каталог по научно-технической литературе - результаты поиска

Вид поиска
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=GAALAS@<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.
Escobosa Echavarria
Mittels metallorganischer Gasphasen-Epitaxie hergestellte nich legierte ohmsche Kontakte auf GaAs und GaAlAs: Diss. - Aachen. - 1983. - 127 с. - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.: с.115-127
ГРНТИ: 45.09
УДК: 621.315.5
Перевод заглавия: Нелигированные омические контакты на основе GaAs и GaAlAs, полученные при помощи металлоорганической газофазной эпитаксии. Дис

Держатели документа:
2.
Su L.M
GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits: Diss. - Aachen. - 1984. - 128 с. - На англ.яз. - Германия. - Библиогр.: с.122-126
ГРНТИ: 47.33.29
УДК: 621.382.3; 621.3.049
Перевод заглавия: Биполярные гетеротранзисторы на GaAs-GaAlAs и связанные с ними интегральные схемы. Дис

Держатели документа:
3.
Narozny P
Untersuchung von GaAs/GaAlAs-He-terojunction Bipolarstrukturen fur I.L Schaltungen: Diss. - Aachen. - 1986. - 118 с. - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.: с.107-118
ГРНТИ: 45.09
УДК: 621.315.5
Перевод заглавия: Исследование гетероперехода GaAs/GaAlAs в биполярных структурах для схем I.L. Дис

Держатели документа:
4.
Houdre R
Photoemission de puits quantiques et de superreseaux GaAs/GaAlAs en etat d'affinite electronique negative: Diss. - Orsay. - 1985. - 156 с. - На фр.яз. - Рез.англ.Библиогр.: с.152-154
ГРНТИ: 29.19.27
УДК: 537.311
Перевод заглавия: Фотоэмиссия квантовых потенциальных ям суперрешетки GaAs/GaAlAs в состоянии отрицательного сродства к электрону.Дис

Держатели документа:
5.
Narozny P
Untersuchung von GaAs/GaAlAs-He-terojunction Bipolarstrukturen fur I.L Schaltungen: Diss. - Aachen. - 1986. - 118 с. - На нем.яз. - Библиогр.: с.107-118
ГРНТИ: 45.09
УДК: 621.315.5
Перевод заглавия: Исследование гетероперехода GaAs/GaAlAs в биполярных структурах для схем I.L. Дис

Держатели документа:
6.
Houdre R
Photoemission de puits quantiques et de superreseaux GaAs/GaAlAs en etat d'affinite electronique negative: Diss. - Orsay. - 1985. - 156 с. - На фр.яз. - Рез.англ.Библиогр.: с.152-154
ГРНТИ: 29.19.27
УДК: 537.311
Перевод заглавия: Фотоэмиссия квантовых потенциальных ям суперрешетки GaAs/GaAlAs в состоянии отрицательного сродства к электрону.Дис

Держатели документа:
 
Описание базы данных
Стандартный
Расширенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)