Лойко, Н. Н. Введение в молекулярно-лучевую эпитаксию [Text] : сборник / Под ред.Ю.В.Копаева. - М. : [s. n.], 2000. - 47 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с.45-46 (31 назв.). - Б. ц. В надзаг.: Моск.гос.инж.-физ.ин-т (техн.ун-т),Моск.ин-т электрон.техники (техн.ун-т),Физ.ин-т Рос.АН.
Свободных экз. нет |
Tlaczala, M. Epitaksja movpe w technologii heterostruktur zwiazkow aiiibv [Text] : монография / M.Tlaczala. - Wroclaw : Oficyna wydaw. politech. Wroclawskiej, 2002. - 198s. : il. - ISBN 83-7085-633-0 : Б. ц.
Гетероструктуры Свободных экз. нет |
Емельянов, Виктор Андреевич. Эпитаксиальные слои кремния и германия для интегральных микросхем [Text] / В. А. Емельянов, А. С. Турцевич, О. Ю. Наливайко. - Минск : Интегралполиграф, 2008. - 287 с. - ^aБиблиогр.: с. 282-287. - ISBN 978-985-6845-10-2 : Б. ц.
ГЕРМАНИЙ ЭПИТАКСИЯ ПОДЛОЖКИ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Доп.точки доступа: Турцевич, Аркадий Степанович; Наливайко, Олег Юрьевич Свободных экз. нет |
Ayers, J. E. Heteroepitaxy of semiconductors. Theory, growth and characterization [Text] : монография / J. E. Ayers. - Boca Raton [et al.] : Taylor & Francis group, 2007. - 455 p. : il. - ^aУказ.: с. 441-455. - ISBN 0-8493-7195-3 : р4596.79 р.
Полупроводники Свободных экз. нет |
Дубровский, В. Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур [Text] : монография / В. Г. Дубровский. - М. : Физматлит, 2009. - 350 с. : ил. - (Фундаментальная и прикладная физика). - ^aБиблиогр.: с. 338-350. - ISBN 978-5-9221-1069-3 : Б. ц. Содержание:
Эпитаксия Свободных экз. нет |
North American conference on molecular beam epitaxy (17th ; 1998). Papers from the 17th North American conference on molecular beam epitaxy, 4-7 Oct., 1998 [Text] : материалы временных коллективов / Ed.:R.S.Goldman. - New York : [s. n.], 1999. - A20,905-1308 p. : ill. - (Journal of vacuum science & technology B, ISSN 0734-211X ; 1999,Vol.17,N 3). - ^aБиблиогр. в конце статей. Указ.: с.1304-1308. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Goldman, R.S. Свободных экз. нет |
Ratz, A. Bonner mathematische Schriften [Text] : diss. / A. Ratz. - Bonn : [s. n.], 2007. - VI, 94 p. : ill. - ^aБиблиогр.: с. 87-94. - ISSN 0524-045X. - Б. ц.
Свободных экз. нет |
Полупроводниковые пленки для микроэлектроники [Text] / отв. ред. Л. Н. Александров, В. И. Петросян ; АН СССР, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, Сибир. отд-ние, 1977. - 248 с. - ^aБиблиогр. в конце гл. - Б. ц.
ПЛЕНОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ ЭПИТАКСИЯ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Гетероэпитаксия -- 0 ; ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ Доп.точки доступа: Александров, Леонид Наумович \.\; Петросян, Вольдемар Иванович Свободных экз. нет |
Томашпольский, Юрий Яковлевич. Пленочные сегнетоэлектрики [Text] / Ю. Я. Томашпольский. - Москва : Радио и связь, 1984. - 192, [1] с. - ^aБиблиогр.: с. 185—191 (127 назв.). - Б. ц.
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ ЭПИТАКСИЯ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Сегнетоэлектрические пленки Свободных экз. нет |
Папков, Владимир Сергеевич. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе [Text] / В. С. Папков, М. Б. Цыбульников ; под ред. А. Ю. Малинина. - Москва : Энергия, 1979. - 87, [2] с. - ^aБиблиогр.: с. 85—88 (69 назв.). - Б. ц.
ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ КРЕМНИЙ ПРИБОРЫ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Гетероэпитаксиальные слои (физика) -- 0 ; Диэлектрические подложки Доп.точки доступа: Цыбульников, Марк Борисович; Малинин, А. Ю. \.\ Свободных экз. нет |
Маслов, Вадим Николаевич. Репродукционная эпитаксия [Text] / В. Н. Маслов. - Москва : Металлургия, 1981. - 186, [1] с. - ^aБиблиография: с. 181—186 (205 назв.). - Б. ц.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ Свободных экз. нет |
Сысоев, И. А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов А[[p]]III[[/p]] B[[p]]V[[/p]] через тонкую газовую зону [Text] : монография / И. А. Сысоев, Л. С. Лунин ; Сев.-Кавк. федер. ун-т. - Ставрополь : Изд-во СКФУ, 2015. - 96с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 88-92 (43 назв.). - ISBN 978-5-9296-0785-1 : р260 р.
Эпитаксия Доп.точки доступа: Лунин, Л.С.; Северо-Кавказский федеральный ун-т ((Ставрополь)) Свободных экз. нет |
Кузнецов, Владимир Владимирович. Межфазные взаимодействия при гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов [Text] : монография / В. В. Кузнецов, П. П. Москвин. - Санкт-Петербург [и др.] : Лань, 2019. - 374 с. : ил., табл. - (Учебники для вузов. Специальная литература) (Бакалавриат и магистратура). - ^aБиблиография: с. 360—374 (244 назв.). - ISBN 978-5-8114-3809-9 (в переплете) : Б. ц.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ ЭПИТАКСИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ МЕЖФАЗНЫЕ ГРАНИЦЫ ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ РАСЧЕТА МЕТОДЫ Доп.точки доступа: Москвин, Павел Петрович Свободных экз. нет |
Гиваргизов, Евгений Инвиевич. Искусственная эпитаксия — перспективная технология элементной базы микроэлектроники [Text] / Е. И. Гиваргизов ; предисл. Е. П. Велихова. - М. : Наука, 1988. - 175 с. - Б. ц.
ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭПИТАКСИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ Доп.точки доступа: Велихов, Евгений Павлович (физик ; род. 1935) \.\ Свободных экз. нет |
Вилисова, Мария Дмитриевна. Газофазовая эпитаксия полуизолирующего арсенида галлия [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1966-1984 гг. / М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева. - М. : [s. n.], 1985. - 33 с. - Б. ц.
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ГАЗОВАЯ ФАЗА ЭПИТАКСИЯ Доп.точки доступа: Лаврентьева, Л. Г. Свободных экз. нет |
Балохонов, Дмитрий Валентинович (кандидат технических наук). Метод материального баланса в технологии полупроводников (практические задания) [Text] : учебно-методическое пособие для студентов специальности 1-27 01 01 "Экономика и организация производства (по направлениям)" по направлению 1-27 01 01-08 "Экономика и организация производства (приборостроение)" / Д. В. Балохонов ; Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский национальный технический университет, Кафедра "Микро- и нанотехника". - Минск : БНТУ, 2023. - 51, [1] с. : ил., табл. - ^aБиблиография в конце книги (7 назв.). - ISBN 978-985-583-901-0 : Б. ц.
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПОДЛОЖКИ (электроника) ОКСИДИРОВАНИЕ ФОТОЛИТОГРАФИЯ ЭПИТАКСИЯ ТРАВЛЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ МАТЕРИАЛЬНЫЙ БАЛАНС Свободных экз. нет |
Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника [Text] : научные результаты ИФП СО РАН за 2022 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; под редакцией А. В. Латышева. - Новосибирск : Параллель, 2023. - 231с. : ил., цв. ил. - ^aБиблиогр.: с. 184-207. - ISBN 978-5-98901-295-4 : р300 р. Содержание:
Эпитаксия Фотоника Электроника Кл.слова (ненормированные): 1 ; низкоразмерные системы -- 1 ; электронная компонентная база -- 1 ; новые материалы -- 1 ; поверхность -- 1 ; гетерограницы -- 1 ; структурные дефекты -- 1 ; полупроводниковая оптоэлектроника -- 1 ; полупроводниковая фотоэлектроника -- 1 ; оптика -- 1 ; лазерная спектроскопия -- 1 ; квантовая информатика -- 1 ; моделирование физических процессов -- 1 ; научное приборостроение Доп.точки доступа: Латышев, Александр Васильевич \.\; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова ((Новосибирск)) Свободных экз. нет |