Кислородный обмен в нестехиометрических оксидах со смешанной проводимостью: новые экспериментальные методики и методология получения/анализа равновесных и кинетических данных [Text] / [М. П. Попов и др.] ; ответственный редактор Н. Ф. Уваров. - Новосибирск : Издательство Сибирского отделения Российской академии наук, 2019. - 132, [2] с. : ил., цв. ил., табл. - ^aБиблиография: с. 122—132 (157 назв.). - ISBN 978-5-6042856-4-0 (СО РАН). - ISBN 978-5-7692-1647-3 Издательство СО РАН) (в переплете : Б. ц.

ГРНТИ
УДК
Рубрики: ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
   СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ

   ПЕРОВСКИТОПОДОБНЫЕ ОКСИДЫ

   КОБАЛЬТИТЫ

   ФЕРРИТ СТРОНЦИЯ

   НЕСТЕХИОМЕТРИЯ

   ТРАНСПОРТ КИСЛОРОДА (физ. химия)

   ПАРЦИАЛЬНОЕ ДАВЛЕНИЕ

   ЭЛЕКТРОННО-ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ

   ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ

   ВЫСОКИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ

   ХИМИЧЕСКАЯ КИНЕТИКА

   ИССЛЕДОВАНИЙ МЕТОДЫ

   ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ

   МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ



Доп.точки доступа:
Попов, Михаил Петрович (кандидат химических наук); Старков, Илья Андреевич (кандидат химических наук); Чижик, Станислав Александрович (кандидат химических наук); Немудрый, Александр Петрович (доктор химических наук); Уваров, Николай Фавстович (доктор химических наук) \.\
Свободных экз. нет



    Доан Тхе Хоанг (микроэлектроника).

    Формирование тонкопленочных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением [Text] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Доан Тхе Хоанг ; Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники". - Минск : [s. n.], 2023. - 21 с. : ил., схемы. - : Формирование тонкоплёночных слоёв с высокой диэлектрической проницаемостью на основе сложных оксидов реактивным магнетронным распылением. - ^aБиблиография: с. 17—18 (13 назв.). - Б. ц.
; Резюме параллельно на белорусском, русском, английском языках

ГРНТИ
УДК
Рубрики: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
   ТОНКИЕ ПЛЕНКИ

   СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ

   ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ

   МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ

   НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ

   ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

   ЛЕГИРОВАНИЕ


Свободных экз. нет