Потапов, Т. В. Экспериментальное исследование термостабильности чувствительных элементов вод магнитного поля на основе кристалла Bi SiO [Текст] : препринт / Т. В. Потапов. - М., 1997. - 19 c. : ил. - (Препринт ; N6(620)). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aExperimental investigation of thermal stability for sensitive elements of magnetic field waters on the basis of the Bi--(12)SiO--(20) crystal Содержание: Перевод заглавия: ^aExperimental investigation of thermal stability for sensitive elements of magnetic field waters on the basis of the Bi--(12)SiO--(20) crystal
Свободных экз. нет |
Алексеева, Л. А. Технологические методы формирования заданных импедансных свойств в наноструктурированных тонких пленках [Text] : препринт / Алексеева Л.А., Антонов А.С., Ганьшина Е.А. и др. - М., 2003. - 52 с. : ил. - (Препринт / Объединенный ин-т высоких температур(Москва) ; 8-470). - ^aБиблиогр.: с. 47-49(47 назв.). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aTechnological methods for formation of given impedance properties in nanostructurized thin films^ePreprint Содержание: Перевод заглавия: ^aTechnological methods for formation of given impedance properties in nanostructurized thin films^ePreprint
Датчики магнитного поля Доп.точки доступа: Антонов, А.С.; Ганьшина, Е.А. Свободных экз. нет |
Kasai, S. Development of magnetic jхB sensor [Text] : сборник научных трудов / S. Kasai, T. Nakayama, E. Ishitsuka. - Tokai : [s. n.], 2001. - V,23 p. : ill. - (Tech / Japan atomic energy research institute(Tokyo) ; 2001-082). - ^aПарал. тит. л. яп. Рез. яп. Библиогр.: с.8-9. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Nakayama, T.; Ishitsuka, E. Свободных экз. нет |
Гриненко, В. А. Магниторезистивные датчики Honeywell при низких температурах [Text] : препринт / В. А. Гриненко. - М., 2006. - 8 с. : ил. - (Препринт / "Курчатовский ин-т", российский науч. центр (Москва) ; ИАЭ-6400/10). - ^aБиблиогр.: с. 8(12 назв.). - Б. ц.
См. : МБА/ЭДД Свободных экз. нет |
Hara, S. Development of steady state magnetic sensor [Text] : сборник научных трудов / S. Hara, A. Nagashima, T. Nakayama. - S.l. : [s. n.], 1998. - 12 p. : ill. - (Tech / Japan atomic energy research institute (Tokyo) ; 98-057). - ^aБиблиогр.:с.12. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Nagashima, A.; Nakayama, T. Свободных экз. нет |
Захаров, А. А. Датчики магнитного поля [Text] : учебное пособие для магистрантов направления "Электроника и наноэлектроника" при изучении дисциплин "Измерения в радиоэлектронике", "Датчики в электронных системах" / А. А. Захаров, А. А. Швачко ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А. - Саратов : Саратовский гос. технический ун-т, 2019. - 77с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 75-77 (32 назв.). - ISBN 978-5-7433-3294-6 : р100 р.
Доп.точки доступа: Швачко, А.А.; Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А. Свободных экз. нет |