Kulik, M.     Creation of oxygen-enriched layers at the surface of GaAs single crystal [Text] : препринт / M. Kulik, A. P. Kobzev, D. Maczka. - Препринт. - Dubna, 1999. - 8 p. : il. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Е15-99-265). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aCreation of oxygen-enriched layers at the surface of GaAs monocrystal     Содержание:    Перевод заглавия: ^aCreation of oxygen-enriched layers at the surface of GaAs monocrystal ГРНТИ ^a47.09.29 УДК ^a621.315.592.3(04) Рубрики: Галлий, арсениды Доп.точки доступа: Kobzev, A.P.; Maczka, D. Свободных экз. нет

Kim, H.     Electronic and structural properties of the As vacancy on the (110) surface of GaAs [Text] : сборник научных трудов / H. Kim, J. R. Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2000. - 8 p. : ill. - (UMSI research report / University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute ; 2000/115). - ^aБиблиогр.:с.7-8. - Б. ц. ГРНТИ ^a29.19.31 УДК ^a537.311.322:532.6 Рубрики: Галлий, арсениды Доп.точки доступа: Chelikowsky, J.R. Свободных экз. нет

Kuball, M.     Effekte der Oberflahe,der Dotierung und eines elektrischen Feldes auf die optischen und elektronischen Eigenschaften von GaAs [Text] : diss. / M. Kuball. - Stuttgart : [s. n.], 1995. - 214 S. : Ill. - ^aБиблиогр.:с.199-211. - Б. ц. ГРНТИ ^a29.19.31 УДК ^a537.311.322(043) Рубрики: <Галлий>, <арсениды> Свободных экз. нет

Vasiliev, I.     AB initio absorption spectra of gallium arsenide clusters [Text] : сборник научных трудов / I. Vasiliev, S. Ogut, J. R. Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1999. - 4 p. : ill. - (UMSI research report / University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute ; 99/132). - ^aБиблиогр.:с.4. - Б. ц. ГРНТИ ^a29.19.31 УДК ^a537.311.322:535 Рубрики: Галлий, арсениды Доп.точки доступа: Ogut, S.; Chelikowsky, J.R. Свободных экз. нет