Осаждение диэлектрических и проводящих слоев из газовой фазы при пониженном давлении [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1970-1982 гг. / А. С. Адонин [и др.]. - М. : [s. n.], 1983. - 52 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
   ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   ОСАЖДЕНИЕ

   ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА

Кл.слова (ненормированные):
0 ; СЛОИ


Доп.точки доступа:
Адонин, Алексей Сергеевич
Свободных экз. нет



   

    Применение селективного химического осаждения металлов из газовой фазы в технологии интегральных схем [Text] : обзор / С. С. Дереченник, В. В. Баранов. - Минск : [s. n.], 1990. - 51 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
   ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ МЕТАЛЛОВ

   ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ



Доп.точки доступа:
Дереченник, Станислав Станиславович (младший ; род. 1988); Баранов, Валентин Владимирович (доктор технических наук ; род. 1949)
Свободных экз. нет



    Раков, Эдуард Григорьевич (доктор химических наук).

    Химия в микроэлектронике. Химическое осаждение из газовой фазы [Text] / Э. Г. Раков, В. В. Тесленко. - М. : [s. n.], 1988. - 48 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
   ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ



Доп.точки доступа:
Тесленко, В. В.
Свободных экз. нет



    Рубцов, И. Н. (микроэлектроника).

    Многоуровневая металлизация интегральных микросхем и проблемы ее надежности [Text] : (по материалам отечеств. и зарубеж. лит. за период 1969?1981 г.) / И. Н. Рубцов, Л. С. Турилина. - М. : [s. n.], 1982. - 39 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА
   ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   МЕТАЛЛИЗАЦИЯ

   НАДЕЖНОСТЬ (техн.)



Доп.точки доступа:
Турилина, Л. С.
Свободных экз. нет



    Турилина, Л. С.

    Многоуровневая металлизация интегральных микросхем и проблемы ее надежности [Text] : (реф.-аналит. обзор отечеств. и зарубеж. печати) / Л. С. Турилина, И. Н. Рубцов. - М. : [s. n.], 1983. - 32 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА
   ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   МЕТАЛЛИЗАЦИЯ

   НАДЕЖНОСТЬ (техн.)

   МЕЖСОЕДИНЕНИЯ (электротехн.)



Доп.точки доступа:
Рубцов, И. Н. (микроэлектроника)
Свободных экз. нет



    "Газофазное получение новых функциональных материалов и пленок" (1 ; 1989 ; Ужгород).

    Тезисы докладов ... (Ужгород, 29 мая-1 июня 1989 г.) [Text] / "Газофазное получение новых функциональных материалов и пленок" (1 ; 1989 ; Ужгород) . - Ужгород : [s. n.], 1989. - 51 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

   НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Кл.слова (ненормированные):
0 ; Теоретические основы

Свободных экз. нет



    "Газофазное получение новых функциональных материалов и пленок" (1 ; 1989 ; Ужгород).

    Тезисы докладов ... (Ужгород, 29 мая-1 июня 1989 г.) [Text] / "Газофазное получение новых функциональных материалов и пленок" (1 ; 1989 ; Ужгород) . - Ужгород : [s. n.], 1989. - 50 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

   НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

   ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА

   ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ


Свободных экз. нет



   

    Моделирование процессов осаждения диэлектрических слоев из газовой фазы при низком давлении [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1972-1983 годы / Л. Л. Васильева [и др.]. - М. : ЦНИИ "Электроника", 1984. - 25 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   НИЗКИЕ ДАВЛЕНИЯ

   ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

   МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ



Доп.точки доступа:
Васильева, Л. Л.
Свободных экз. нет



   

    Осаждение силицидов тугоплавких металлов из газовой фазы, их свойства и состав (по данным отечественной и зарубежной печати за 1973-1986 гг.) [Text] : обзор / И. А. Голод [и др.]. - М. : [s. n.], 1987. - 52 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: ТУГОПЛАВКИЕ МЕТАЛЛЫ
   СИЛИЦИДЫ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ



Доп.точки доступа:
Голод, И. А.
Свободных экз. нет



   

    Модели и механизмы процессов осаждения тонких слоев из газовой фазы при пониженном давлении [Text] : обзор / В. Ю. Васильев. - М. : ЦНИИ "Электроника", 1990. - 28 с. - Б. ц.
УДК
Рубрики: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ПОКРЫТИЯ
   ТОНКИЕ ПЛЕНКИ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   НИЗКИЕ ДАВЛЕНИЯ

   СИНТЕЗ (хим.)

   КИНЕТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

   ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

   ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ



Доп.точки доступа:
Васильев, Владимир Юрьевич
Свободных экз. нет



    Лю Имин (кандидат технических наук).

    Композиционные полимерсодержащие покрытия с регулируемыми поверхностными свойствами, осаждаемые из активной газовой фазы [Text] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Лю Имин ; Государственное научное учреждение "Институт механики металлополимерных систем им. В. А. Белого Национальной академии наук Беларуси". - Гомель : [s. n.], 2022. - 20 с. : ил., табл. - ^aБиблиография: с. 16—17 (13 назв.). - Б. ц.
; Резюме параллельно на белорусском, русском, английском языках

ГРНТИ
УДК
Рубрики: НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ
   ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ОБРАБОТКА

   БИОЛОГИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ

   ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА

   КОМПОЗИЦИОННЫЕ ПОКРЫТИЯ

   ГИДРОФОБНОСТЬ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ

   ПОКРЫТИЯ (материалы)

   ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

   СЛОИСТЫЕ МАТЕРИАЛЫ

   СОРБЦИОННЫЕ СВОЙСТВА

   ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД

   СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА

   ФТОРСОДЕРЖАЩИЕ ПОЛИМЕРЫ

   ТЛЕЮЩИЕ РАЗРЯДЫ


Свободных экз. нет



    Родионов, Юрий Анатольевич (кандидат технических наук, микроэлектроника).

    Химические технологии в производстве микроэлектромеханических систем [Text] : учебное пособие / Ю. А. Родионов. - Санкт-Петербург [и др.] : Лань, 2021. - 218 с. : ил., табл. - (Высшее образование). - ^aБиблиография: с. 216 (8 назв.). - ISBN 978-5-8114-5788-5 (в переплете) : Б. ц.

ГРНТИ
УДК
Рубрики: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
   МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ

   ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

   ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА

   ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ

   ХИМИЧЕСКИЕ РЕАКТИВЫ

   ХИМИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА

   ФОТОРЕЗИСТЫ

   ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА

   ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ

   ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ

   ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ

   ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ


Свободных экз. нет