Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. Интегральные схемы [Text] : учебник для бакалавриата и магистратуры / В. И. Иванов [и др.] ; под редакцией Ю. В. Гуляева. - Москва : Юрайт, 2019. - 460 с. : ил., табл. - (Университеты России). - ^aБиблиография: с. 405—406 (18 назв.). - ISBN 978-5-534-03170-6 (в переплете) : Б. ц.
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ ОКСИДИРОВАНИЕ ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛИТОГРАФИЯ (электроника) ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ГЕРМЕТИЗАЦИЯ СБОРОЧНО-МОНТАЖНЫЕ РАБОТЫ НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМ-ВЫПАРИВАНИЕ ИОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ МЕТАЛЛИЗАЦИЯ Доп.точки доступа: Иванов, Владимир Иванович (радиоэлектроника); Лучников, Петр Александрович; Сигов, Александр Сергеевич (доктор физико-математических наук ; род. 1945); Суржиков, Анатолий Петрович; Гуляев, Юрий Васильевич (доктор физико-математических наук ; род. 1935) \.\ Свободных экз. нет |
Исследование латерального роста соединений AsupIII/supBsupV/sup [Text] : обзор / Л. П. Пороховниченко, И. В. Ивонин, Л. А. Борисенко. - М. : ЦНИИ Электроника, 1991. - 36 с. - Б. ц.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ Доп.точки доступа: Пороховниченко, Лидия Петровна; Ивонин, И. В.; Борисенко, Л. А. Свободных экз. нет |
Современное состояние исследований механизма эпитаксиального роста кремния и соединения AsupIII/supBsupV/sup из газовой фазы [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1966-1984 гг. / С. С. Стрельченко [и др.]. - М. : [s. n.], 1986. - 41 с. - Б. ц.
ЛЕГИРОВАНИЕ ПИРОЛИЗ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ КРЕМНИЙ ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ Доп.точки доступа: Стрельченко, Станислав Сергеевич (доктор технических наук) Свободных экз. нет |
Стрельченко, Станислав Сергеевич (доктор технических наук). Современное состояние исследований механизма эпитаксиального роста кремния и соединения AsupIII/supBsupV/sup из газовой фазы [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1966-1984 гг. / С. С. Стрельченко, А. А. Матяш, Ю. И. Кунакин. - М. : [s. n.], 1985. - 54 с. - Б. ц.
ГАЗОВАЯ ФАЗА КРЕМНИЙ ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ Доп.точки доступа: Матяш, Александр Андреевич; Кунакин, Ю. И. Свободных экз. нет |
Стрельченко, Станислав Сергеевич (доктор технических наук). Современное состояние исследований механизма роста эпитаксиальных слоев кремния и соединений AsupIII/supBsupV/sup из газовой фазы [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1968-1982 гг. / С. С. Стрельченко, А. А. Матяш. - М. : [s. n.], 1984. - 37 с. - Б. ц.
ГАЗОВАЯ ФАЗА КРЕМНИЙ ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ Доп.точки доступа: Матяш, Александр Андреевич Свободных экз. нет |
Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере CaP [Text] : обзор. - М. : [s. n.], 1980. - 22 с. - Б. ц.
ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ ЖИДКОСТНАЯ ЭПИТАКСИЯ ПОЛУПРОВОДНИКИ Свободных экз. нет |