Селиванов, И. А. Биполярные транзисторы в аналоговых электронных схемах [Text] : методический материал / И. А. Селиванов, А. С. Карандаев, В. Ф. Барсуков. - Магнитогорск : [s. n.], 2001. - 219 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 209 (6 назв.). - Б. ц.
Электронные схемы аналоговые Доп.точки доступа: Карандаев, А.С.; Барсуков, В.Ф. Свободных экз. нет |
Романов, В. П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах [Text] : учеб.пособие / В. П. Романов. - М. : [s. n.], 2001. - 63 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с.63 (12 назв.). - Б. ц. В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т).
Электронно-дырочные переходы Транзисторы биполярные Транзисторы полевые Свободных экз. нет |
Гомоюнов, К. К. Транзисторные цепи [Text] : учеб.пособие / К. К. Гомоюнов. - СПб.и др. : БХВ-Петербург, 2002. - 234 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с.229 (12 назв.). Предм. указ.: с.230-234. - ISBN 5-94157-100-3 : Б. ц.
Электронные схемы Свободных экз. нет |
Воронков, Э. Н. Биполярные транзисторы [Text] : учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э. Н. Воронков. - М. : Изд-во МЭИ, 2002. - 41 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с.41 (4 назв.). - ISBN 5-7046-0786-1 : Б. ц. В надзаг.: Моск. энерг. ин-т (техн. ун-т).
Свободных экз. нет |
Балашов, Ю. С. Физические основы функционирования интегральных устройств микроэлектроники [Text] : учеб.пособие / Ю. С. Балашов, М. И. Горлов. - Воронеж : [s. n.], 2002. - 160 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 160. - Б. ц. В надзаг.: Воронеж. гос. техн. ун-т.
Транзисторы биполярные Транзисторы полевые Доп.точки доступа: Горлов, М.И. Свободных экз. нет |
Infineon: транзисторы S-IGBT, интеллектуальные ключи и мостовые драйверы [Text]. - [S. l. : s. n.], 2003. - 63 с. : ИЛ. - (Библиотека электронных компонентов ; вып.28). - ISBN 5-94120-078-1 : Б. ц.
Автомобильное электронное оборудование Свободных экз. нет |
Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги [Text] : каталог / Петухов В.М. - [S. l. : s. n.], 2004. - 542 с. : ил. - (Справочник). - ISBN 5-93037-035-4 : Б. ц.
См. : МБА/ЭДД, См. : МБА/ЭДД Свободных экз. нет |
Ямпурин, Н. П. Биполярные транзисторы (функционирование, схемы, применение) [Text] : учеб.пособие / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова, А. Е. Вязовов. - Ниж.Новгород : [s. n.], 1998. - 82 с. : ил. - ^aБиблиогр.:с.82(9 назв.). - ISBN 5-230-03065-8 : Б. ц. ; В надзаг.:Нижегор.гос.техн.ун-т.
Доп.точки доступа: Баранова, А.В.; Вязовов, А.Е. Свободных экз. нет |
Корольков, В. И. Гетеробиполярные транзисторы [Text] : препринт / В. И. Корольков. - СПб, 1999. - 23 с. : ил. - (Препринт ; 1733). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aHeterobipolar transistors Содержание: Перевод заглавия: ^aHeterobipolar transistors
Свободных экз. нет |
Schutt, R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern [Text] : diss. / R. Schutt. - Hannover : [s. n.], 1992. - VII,139 S. - Б. ц. ; Библиогр.:с.:120-122
<Преобразователи> <частоты> Свободных экз. нет |
Szynka, D. Vergrabene Basiskontaktierung von selektiv epitaxierten Heterobipolartransistoren in Saulengeometrie [Text] : diss. / D. Szynka. - Aachen : [s. n.], 1995. - 153 S. : Ill. - ^aБиблиогр.:с.142-153. - Б. ц.
Свободных экз. нет |
Leistungs-Halbleiter [Text] : leistungs-Module IGBT 2.Generation. - Muchen : Siemens, 1995. - 341 S. : Ill. - ^aПарал.загл.англ. - Б. ц.
Свободных экз. нет |
Никифоров, Игорь Кронидович. Радиоэлектронная и силовая электронная аппаратура. Биполярные и полевые транзисторы [Text] : учебное пособие / И. К. Никифоров ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Чувашский государственный университет имени И. Н. Ульянова. - Чебоксары : Изд-во Чувашского ун-та, 2022. - 459с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 456-457. - ISBN 978-5-7677-3518-1 : р260 р. Содержание:
Транзисторы полевые Кл.слова (ненормированные): 1 ; транзисторные структуры -- 1 ; схемы включения -- 1 ; режимы работы -- 1 ; модели -- 1 ; индукционные транзисторы -- 1 ; MOSFET транзисторы Доп.точки доступа: Чувашский государственный университет имени И. Н. Ульянова ((Чебоксары)) Свободных экз. нет |