Применение методов ионной имплантации для создания фоточувствительности p-n-переходов на антимониде индия [Text] : обзор / Н. Н. Герасименко [и др.]. - М. : [s. n.], 1990. - 20 с. - Б. ц. УДК ^a621.3.049.774.002(048.8)^v3^zrus ^a621.383.3(048.8)^v3^zrus ^a621.382.133(048.8)^v3^zrus Рубрики: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА    АНТИМОНИД ИНДИЯ    ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД    ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ    СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ (физ., хим.) Доп.точки доступа: Герасименко, Николай Николаевич (доктор физико-математических наук) Свободных экз. нет