Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов [Text] : в 2 ч. / Красников Г.Я. - М. : Техносфера, 2002. - 413 с. : ил. - ISBN 5-94836-001-6 : Б. ц.
Свободных экз. нет |
Силаков, М. В. Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте [Text] : препринт / Силаков М.В., Бабушкин Г.А., Валиев К.А. и др. - М., 2003. - 40 с. : ил. - (Препринт / Физико-технологический ин-т (Москва) ; 25(2003)). - ^aБиблиогр.: с. 37-40(34 назв.). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aThe calculation of the bremsstrahlung generation in electronic lithography, its influence on work of MOP-transistors and evaluation of contribution of Bremsstrahlung's generation in absorbed energy in the resist^ePreprint Содержание: Перевод заглавия: ^aThe calculation of the bremsstrahlung generation in electronic lithography, its influence on work of MOP-transistors and evaluation of contribution of Bremsstrahlung's generation in absorbed energy in the resist^ePreprint
МОП-транзисторы Доп.точки доступа: Бабушкин, Г.А.; Валиев, К.А. Свободных экз. нет |
Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов [Text] : монография / Красников Г.Я. - [S. l. : s. n.], 2004. - 535 с. - ^aБиблиогр.: с. 531-535. - ISBN 5-94836-001-6 : Б. ц.
Свободных экз. нет |
Nagel, N. Losungswachstum von Siliziumschichten auf Siliziumdioxid und Charakterisierung der Schichten [Text] : diss. / N. Nagel. - Stuttgart : [s. n.], 1993. - 140 S. : Ill. - Б. ц. ; Библиогр.:с.133-138
Свободных экз. нет |
Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов [Text] : монография / Г. Я. Красников. - 2-е изд., испр. - М. : Техносфера, 2011. - 799 с. - (Мир электроники). - ^aБиблиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-289-2 : Б. ц.
Свободных экз. нет |
Методы подавления короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах [Text] : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, А. Н. Цоцорин, А. Е. Бормонтов, С. В. Авилов ; Министерство науки и высшего образования РФ, Воронежский государственный университет. - Воронеж : Издательский дом ВГУ, 2021. - 116с. : ил. - ^aАвт. указ. на обороте тит. л. - ^aБиблиогр.: с. 116 (8 назв.). - ISBN 978-5-9273-3301-1 : р150 р. Содержание:
Кл.слова (ненормированные): 1 ; физико-математические модели -- 1 ; электрофизические параметры -- 1 ; приборно-технологическое моделирование -- 1 ; DIBL-эффект -- 1 ; затворы -- 1 ; легирующие примеси Доп.точки доступа: Быкадорова, Галина Владимировна; Цоцорин, Андрей Николаевич; Бормонтов, Александр Евгеньевич; Авилов, Святослав Владимирович; Воронежский государственный университет Свободных экз. нет |