Harrold, S. J.     An introduction to GaAs IC design [Text] : монография / S. J. Harrold. - New York etc. : Prentice-Hall, 1993. - 12, 172 с : ил. - ISBN 0-13-486358-5 : Б. ц. Перевод заглавия: 0 ^aВведение в проектирование интегральных схем на GaAs    Перевод заглавия: 0 ^aВведение в проектирование интегральных схем на GaAs ГРНТИ ^a47.33.31 Рубрики: <Интегральные> <схемы>    <Арсенид> <галлия> Свободных экз. нет

Радиационные процессы в микроэлектронике [Text] : обзор / Н. Ф. Голубев [и др.]. - М. : [s. n.], 1991. - 36 с. - Б. ц. УДК ^a621.3.049.77.002:621.039.8(048.8)^v3^zrus Рубрики: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА    МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ    МОП-СТРУКТУРЫ    КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    РАДИАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ    ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ    ТЕХНИЧЕСКАЯ ДИАГНОСТИКА Доп.точки доступа: Голубев, Н. Ф. Свободных экз. нет

Радиоэлектроника в 1980 году [Text] : обзор по материалам иностр. печати. - М. : [s. n.], 1981. - 70 с. - Б. ц. УДК ^a621.3.049.77.002:621.039.8(048.8)^v3^zrus ^a621.37/.39(1-87)(048.8)^v3^zrus Рубрики: ЗАРУБЕЖНЫЙ    ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА    РАДИОЭЛЕКТРОНИКА    ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    МДП-ТЕХНОЛОГИЯ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ Свободных экз. нет

Черняев, Александр Владимирович (доктор технических наук).     Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия [Text] / А. В. Черняев. - М. : Радио и связь, 1990. - 85 с. - Б. ц. УДК ^a621.3.049.77.002:621.9.048.7^v3^zrus Рубрики: ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ    ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА Свободных экз. нет

Сверхбыстродействующие цифровые схемы на арсениде галлия [Text] : обзор / Г. Н. Шведов, В. К. Семенов. - М. : ЦНИИ Электроника, 1989. - 61 с. - Б. ц. УДК ^a621.3.049.77.037.372(048.8)^v3^zrus Рубрики: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА    ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА    БЫСТРОДЕЙСТВИЕ Доп.точки доступа: Шведов, Г. Н.; Семенов, В. К. Свободных экз. нет

Шлопак, Николай Владимирович.     Влияние атомарного водорода на свойства кремния, арсенида галлия и структур на их основе [Text] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / Н. В. Шлопак. - Минск : [s. n.], 1994. - 15 с. - Б. ц. УДК ^a621.315.592(043.3)^v3^zrus Рубрики: АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    КРЕМНИЙ    АТОМАРНЫЙ ВОДОРОД    ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ    ПОЛУПРОВОДНИКИ Свободных экз. нет

Состояние, проблемы и перспективы развития арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона за рубежом [Text] : обзор / Н. И. Шопина, И. К. Викулов. - М. : [s. n.], 1987. - 34 с. - Б. ц. УДК ^a621.3.049.774.029.6.002(048.8)^v3^zrus Рубрики: ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА    МИКРОЭЛЕКТРОНИКА    ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    ДИАПАЗОНЫ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ЗАРУБЕЖНЫЙ Доп.точки доступа: Шопина, Н. И.; Викулов, И. К. Свободных экз. нет

Состояние, проблемы и перспективы развития арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона за рубежом [Text] : обзор / Н. И. Шопина, И. К. Викулов. - М. : [s. n.], 1987. - 40 с. - Б. ц. УДК ^a621.3.049.774.029.6.002(048.8)^v3^zrus Рубрики: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА    ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    ДИАПАЗОНЫ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ    ЗАРУБЕЖНЫЙ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Промышленное освоение Доп.точки доступа: Шопина, Н. И.; Викулов, И. К. Свободных экз. нет

Вилисова, Мария Дмитриевна.     Газофазовая эпитаксия полуизолирующего арсенида галлия [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1966-1984 гг. / М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева. - М. : [s. n.], 1985. - 33 с. - Б. ц. УДК ^a621.315.592.2:546.681'19(048.8)^v3^zrus Рубрики: ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ГАЗОВАЯ ФАЗА    ЭПИТАКСИЯ Доп.точки доступа: Лаврентьева, Л. Г. Свободных экз. нет

Югай, Л. Я.     СВЧ монолитные интегральные усилители на основе арсенида галлия [Text] : (по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1965-1982 гг.) / Л. Я. Югай, Е. И. Блажнова, Э. И. Батыгина. - М. : [s. n.], 1983. - 36 с. - Б. ц. УДК ^a621.375.029.6(048.8)^v3^zrus Рубрики: СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    УСИЛИТЕЛИ Доп.точки доступа: Блажнова, Е. И.; Батыгина, Э. И. Свободных экз. нет

Чистяков, Юрий Дмитриевич.     Локальное травление в процессах изготовления полупроводниковых приборов на арсениде галлия [Text] : обзор / Ю. Д. Чистяков, О. С. Булатов. - М. : [s. n.], 1980. - 49 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.002.2:621.357.8(048.8)^v3^zrus Рубрики: ПРОИЗВОДСТВО    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ТРАВЛЕНИЕ Доп.точки доступа: Булатов, О. С. Свободных экз. нет

Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки [Text] : обзор / С. А. Костылев [и др.]. - М. : [s. n.], 1986. - 40 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.323:546.681.19(048.8)^v3^zrus Рубрики: ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ    ШОТТКИ БАРЬЕРЫ    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Доп.точки доступа: Костылев, Сергей Александрович Свободных экз. нет

Двумерное нелокальное моделирование полевых транзисторов с затвором Шоттки на арсениде галлия [Text] : обзор / Г. З. Гарбер. - М. : [s. n.], 1988. - 36 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.323.001.57(048.8)^v3^zrus Рубрики: ДВУМЕРНЫЕ МОДЕЛИ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Шоттки затворы Доп.точки доступа: Гарбер, Геннадий Зеликович Свободных экз. нет

Механизмы отказов и надежность транзисторов на арсениде галлия [Text] : обзор / ЦНИИ Электроника. - М. : [s. n.], 1981. - 42 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.323.019.3(048.8)^v3^zrus Рубрики: НАДЕЖНОСТЬ (техн.)    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ    ТРАНЗИСТОРЫ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Свободных экз. нет

Нелинейное динамическое моделирование полевых СВЧ транзисторов с затвором Шоттки на арсениде галлия [Text] : обзор / Г. З. Гарбер. - М. : [s. n.], 1990. - 48 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.323.001.573(048.8)^v3^zrus Рубрики: ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ    СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Шоттки затворы Доп.точки доступа: Гарбер, Геннадий Зеликович Свободных экз. нет

Нечаев, А. М.     Механизмы пробоя транзисторов на арсениде галлия [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1980-1984 гг. / А. М. Нечаев. - М. : [s. n.], 1985. - 42 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.323.019.3(048.8)^v3^zrus Рубрики: ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ    ТРАНЗИСТОРЫ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    МЕХАНИЗМЫ (техн.) Кл.слова (ненормированные): 0 ; Пробой Свободных экз. нет

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления [Text] : пер. с англ. / П. Ф. Линдквист [и др.] ; под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. - М. : Радио и связь, 1988. - 494 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.323^v3^zrus Рубрики: ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Доп.точки доступа: Линдквист, П. Ф.; Ди Лоренцо, Д. В. \.\; Канделуол, Д. Д. \.\ Свободных экз. нет

Физико-технологические особенности ионного легирования монокристаллического и эпитаксиального арсенида галлия для монолитных СВЧ устройств [Text] : (по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1977-1987 гг.) / Б. В. Козейкин [и др.]. - М. : [s. n.], 1983. - 50 с. - Б. ц. УДК ^a621.385.6.002(048.8)^v3^zrus Рубрики: СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ    МОНОКРИСТАЛЛЫ    ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ    АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Доп.точки доступа: Козейкин, Б. В. Свободных экз. нет

Ионно-лучевая технология пассивных интегральных схем СВЧ на арсениде галлия [Text] : обзор / Б. В. Козейкин [и др.]. - М. : [s. n.], 1990. - 59 с. - Б. ц. УДК ^a621.9.048.7(048.8)^v3^zrus Рубрики: АРСЕНИД ГАЛЛИЯ    СВЕРХВЫСОКИЕ ЧАСТОТЫ    ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ОБРАБОТКА Доп.точки доступа: Козейкин, Б. В. Свободных экз. нет