Мамедов, Т. Н. Релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в сильно легированном кремнии [Text] : препринт / Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах. - Препринт. - Дубна, 2001. - 14 с. : ил. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Р14-2001-83). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Андрианов, Д.Г.; Герлах, Д. Свободных экз. нет |
Галяев, Н. А. Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния [Text] : препринт / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов. - Протвино , 1990. - 13 c. : ил. - (Препринт ; ИФВЭ 90-147). - ^aБиблиогр. в конце кн. (10 назв.). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aVolume capture of 70 GeV protons with Si bent single crystal into the channeling mode Содержание: Перевод заглавия: ^aVolume capture of 70 GeV protons with Si bent single crystal into the channeling mode
Доп.точки доступа: Запольский, В.Н.; Котов, В.И. Свободных экз. нет |
Мамедов, Т. Н. Исследование температурной зависимости скорости релаксации акцепторного центра в кремнии -SR-методом [Text] : препринт / Т. Н. Мамедов, К. И. Грицай, А. В. Стойков. - Препринт. - Дубна, 2000. - 11 с. : ил. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Р14-2000-58). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aInvestigation of the temperature dependence of the acceptor center relaxation rate in silicon by the @GM**(-)SR-method Содержание: Перевод заглавия: ^aInvestigation of the temperature dependence of the acceptor center relaxation rate in silicon by the @GM**(-)SR-method
Доп.точки доступа: Грицай, К.И.; Стойков, А.В. Свободных экз. нет |
Вариченко, В. С. Особенности дефектообразования в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионами криптона и ксенона [Text] : препринт / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц. - Препринт. - Дубна, 2000. - 11 с. : ил. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Р14-2000-104). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aPeculiarities of defect production in silicon, irradiated with high energy krypton and xenon ions Содержание: Перевод заглавия: ^aPeculiarities of defect production in silicon, irradiated with high energy krypton and xenon ions
Доп.точки доступа: Дидык, А.Ю.; Казючиц, Н.М. Свободных экз. нет |
Вариченко, В. С. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии, имплантированном ионами бора с энергией 92 МэВ [Text] : препринт / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, А. М. Зайцев. - Препринт. - Дубна, 2000. - 8 с. : ил. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Р14-2000-105). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aRecombination of nonequilibrium charge carriers in silicon, irradiated with 92 MeV boron ions Содержание: Перевод заглавия: ^aRecombination of nonequilibrium charge carriers in silicon, irradiated with 92 MeV boron ions
Доп.точки доступа: Дидык, А.Ю.; Зайцев, А.М. Свободных экз. нет |
Буренков, В. А. Роль поверхности в поведении радиационных дефектов в кремнии при отжиге [Text] : препринт / В. А. Буренков, В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык. - Препринт. - Дубна, 2000. - 8 с. : ил. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Р14-2000-106). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aA role of surface in behaviour of radiation defects in silicon during annealing Содержание: Перевод заглавия: ^aA role of surface in behaviour of radiation defects in silicon during annealing
Доп.точки доступа: Вариченко, В.С.; Дидык, А.Ю. Свободных экз. нет |
Didyk, A. Yu. Track effects in silicon irradiated by swift high energy heavy ions [Text] : препринт / A. Yu. Didyk, A. P. Kobzev, O. L. Orelovich. - Препринт. - Dubna, 2000. - 7 p. : il. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Е14-2000-107). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aTrack effects in silicon, irradiated by swift high energy heavy ions Содержание: Перевод заглавия: ^aTrack effects in silicon, irradiated by swift high energy heavy ions
Доп.точки доступа: Kobzev, A.P.; Orelovich, O.L. Свободных экз. нет |
Мамедов, Т. Н. Зависимость скорости релаксации магнитного момента мелкого акцепторного центра от концентрации примеси в кремнии [Text] : препринт / Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах. - Препринт. - Дубна, 2000. - 8 с. : ил. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Р14-2000-151). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aDependence of the shallow acceptor center magnetic moment relaxation rate on impurity concentration in silicon Содержание: Перевод заглавия: ^aDependence of the shallow acceptor center magnetic moment relaxation rate on impurity concentration in silicon
Доп.точки доступа: Андрианов, Д.Г.; Герлах, Д. Свободных экз. нет |
Хохлов, А. Ф. Аллотрипия кремния [Text] : монография / А. Ф. Хохлов, А. И. Машин. - Нижний Новгород : [s. n.], 2002. - 222 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 204-214 (268 назв.). - ISBN 5-85746-635-0 : Б. ц. В надзаг.: Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского.
Доп.точки доступа: Машин, А.И. Свободных экз. нет |
Karamian, S. A. Random flux redistribution obsweved for -particles transmitted through Si, Ni and Pt crystals [Text] : препринт / S. A. Karamian, F. Gruner, W. Assmann. - Препринт. - Dubna, 2001. - 16 p. : il. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Е14-2001-247). - Б. ц.
Металлы Доп.точки доступа: Gruner, F.; Assmann, W. Свободных экз. нет |
Шеуджен, А. Х. Кремний и методы его определения [Text] : монография / А. Х. Шеуджен, Т. Ф. Бочко, М. Х. Кемечева. - Майкоп : Изд-во МГТИ, 2002. - 41 с. - ^aБиблиогр.: с. 40. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Бочко, Т.Ф.; Кемечева, М.Х. Свободных экз. нет |
Скобочкин, А. М. Структурная диагностика поверхностей с использованием вейвлетов [Text] : препринт / А. М. Скобочкин, В. Д. Левченко. - М., 2002. - 15 с. : ил. - (Препринт ; N48 за 2002 г.). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aThe diagnostics of structures on surfaces, using wavelets^ePreprint Содержание: Перевод заглавия: ^aThe diagnostics of structures on surfaces, using wavelets^ePreprint
Доп.точки доступа: Левченко, В.Д. Свободных экз. нет |
Мамедов, Т. Н. Особенности взаимодействия акцепторной примеси Al в слабо- и сильнолегированных образцах кремния [Text] : препринт / Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах. - Препринт. - Дубна, 2002. - 8 с. : ил. - (Сообщения Объединенного института ядерных исследований ; Р14-2002-167). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aInteractions of the @GMAl acceptor impurity in lightly and heavily-doped silicon^ePreprint Содержание: Перевод заглавия: ^aInteractions of the @GMAl acceptor impurity in lightly and heavily-doped silicon^ePreprint
Доп.точки доступа: Андрианов, Д.Г.; Герлах, Д. Свободных экз. нет |
Костишко, Б. М. Карбонизированный пористый кремний [Text] : монография / Б. М. Костишко. - Ульяновск : [s. n.], 2003. - 125 с. - ^aБиблиогр.: с. . - ISBN 5-88866-143-0 : Б. ц. В надзаг.:Ульян. гос. ун-т.
Свободных экз. нет |
Правила безопасности при производстве глинозема, алюминия, магния, кристаллического кремния и электротермического силумина. ПБ 11-541-03 [Text] : нормативно-технический материал. - [S. l. : s. n.], 2003. - 47 с. - (Нормативные документы по безопасности, надзорной и разрешительной деятельности в металлургической промышленности / Федерал.горн.и пром.надзор России (Госгортехнадзор России) ; вып.6). - ISBN 5-93586-233-6 : Б. ц.
Кремний Свободных экз. нет |
Лифшиц, В. Г. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии [Text] : монография / В. Г. Лифшиц, Ю. В. Луняков. - Владивосток : Дальнаука, 2004. - 314 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 311-312 (26 назв.). - ISBN 5-8044-0454-7 : Б. ц. В надзаг.:Рос. АН, Дальневост. отд-ние, Ин-т автоматики и процессов упр.
См. : МБА/ЭДД, См. : МБА/ЭДД Доп.точки доступа: Луняков, Ю.В. Свободных экз. нет |
Белостоцкая, И. С. Химия кремния [Text] : учеб. пособие / И. С. Белостоцкая. - М. : Инфра-М, 2004. - 63 с. - (Среднее профессиональное образование). - ^aБиблиогр.: с. 63. - ISBN 5-16-002002-0 : Б. ц.
См. : МБА/ЭДД Свободных экз. нет |
Институт геохимии им.А.П.Виноградова,Иркутск. Кремний-2004 [Text] : тезисы докладов Совещания, Иркутск, 5-9 июля 2004 г. / Институт геохимии им.А.П.Виноградова,Иркутск. - Иркутск : Изд-во Ин-та географии СО РАН, 2004. - 244 с. - ^aБиблиогр. в конце отд. ст. - ISBN 5-94797-048-1 : Б. ц. В надзаг.:Сибирск. отд-ние РАН, Институт геохимии им.А.П.Виноградова.
См. : МБА/ЭДД, См. : МБА/ЭДД Свободных экз. нет |
Мамедов, Т. Н. Исследование механизмов ионизации акцепторной примеси алюминия в кремнии [Text] : препринт / Мамедов Т.Н., Андрианов Д.Г., Герлах Д. и др. - Дубна, 2003. - 8 с. : ил. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Р14-2003-201). - ^aБиблиогр.: с. 8 (15 назв.). - Б. ц.
См. : МБА/ЭДД Доп.точки доступа: Андрианов, Д.Г.; Герлах, Д. Свободных экз. нет |
Ogut, S. Ab initio investigation of point deffects in bulk Si and Ge using a cluster method [Text] : сборник научных трудов / S. Ogut, J. R. Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2001. - [11] l. с. : ill. - (UMSI research report / University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute ; 2001/165). - ^aБиблиогр.в конце кн. - Б. ц.
Германий Доп.точки доступа: Chelikowsky, J.R. Свободных экз. нет |