Романов, В. П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах [Text] : учеб.пособие / В. П. Романов. - М. : [s. n.], 2001. - 63 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с.63 (12 назв.). - Б. ц. В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т).
Электронно-дырочные переходы Транзисторы биполярные Транзисторы полевые Свободных экз. нет |
Балашов, Ю. С. Физические основы функционирования интегральных устройств микроэлектроники [Text] : учеб.пособие / Ю. С. Балашов, М. И. Горлов. - Воронеж : [s. n.], 2002. - 160 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 160. - Б. ц. В надзаг.: Воронеж. гос. техн. ун-т.
Транзисторы биполярные Транзисторы полевые Доп.точки доступа: Горлов, М.И. Свободных экз. нет |
Воронков, Э. Н. Полевые транзисторы [Text] : учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э. Н. Воронков, Е. Зенова. - М. : Изд-во МЭИ, 2004. - 59 с. - ^aБиблиогр.: с. 59. - ISBN 5-7046-1030-7 : Б. ц.
См. : МБА/ЭДД Доп.точки доступа: Зенова, Е. Свободных экз. нет |
Игнатов, А. Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи [Text] : монография / А. Н. Игнатов. - Новосибирск : СибГУТИ, 2008. - 319 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 318-319 (31 назв.). - Б. ц. ; В надзаг.: Сиб. гос. ун-т телекоммуникаций и информатики
Аппаратура связи Свободных экз. нет |
Aaen, P. H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs [Text] : материал технической информации / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood. - Cambridge [etc.] : Cambridge univ. press, 2007. - XV, 362 p. : ill. - ( Перевод заглавия: 0 ^aМоделирование и определение параметров радиочастотных и микроволновых мощных полевых транзисторов.^zrus Перевод заглавия: 0 ^aМоделирование и определение параметров радиочастотных и микроволновых мощных полевых транзисторов.^zrus
Доп.точки доступа: Pla, J.A.; Wood, J. Свободных экз. нет |
Langen, W. Herstellung und Charakterisierung selektiv gewachsener vertikaler Feldeffekttransistoren [Text] : diss. / W. Langen. - Aachen : [s. n.], 1995. - 95 S. : Ill. - ^aБиблиогр.:с.89-93. - Б. ц.
Свободных экз. нет |
Aidam, R. Untersuchung des epitaktischen Wachstums duner Pb(Zr0,52Ti0,48)03-Schichten und ihre Anwendung in ferroelektrischen supraleitenden Feldeffekttransistoren [Text] : diss. / R. Aidam. - Karlsruhe : [s. n.], 1999. - 92 S. : Ill. - (Wissenschaftliche Berichte / Forschungszentrum(Karlsruhe), ISSN 0947-8620 ; 6226). - ^aРез.англ.Библиогр.:с.85-92. - Б. ц.
Свободных экз. нет |
Dasgupta, S. Wissenschaftliche Berichte [Text] : diss. / FZKA. - Karlsruhe : [s. n.], 2009. - X, 125 p. : ill. - ^aБиблиогр.: с. 101-114. - ISSN 0947-8620. - Б. ц. ; Парал. тит. л. нем. Рез. нем.
Металлы Транзисторы полевые Свободных экз. нет |
Маликов, С. В. Полевые транзисторы [Text] : монография / С. В. Маликов, Н. В. Маликова. - Липецк : ЛФ МИКТ, 2012. - 68 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 60-61 (23 назв.). - ISBN 978-5-98858-041-6 : Б. ц. ; В надзаг.: Междунар. ин-т компьютерн. технологий, Липец. фил.
Доп.точки доступа: Маликова, Н.В. Свободных экз. нет |
Максименко, Юрий Николаевич. Мощные полупроводниковые приборы со статической индукцией [Text] : монография / Ю. Н. Максименко. - Новосибирск : PVN, 2022. - 213с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 203-211 (102 назв.). - ISBN 978-5-94581-032-0 : р260 р. Содержание:
Кл.слова (ненормированные): 1 ; планарные транзисторы -- 1 ; проектирование -- 1 ; высоковольтные транзисторы -- 1 ; технологии -- 1 ; полупроводниковые приборы на основе транзисторов -- 1 ; сравнение параметров -- 1 ; применение Свободных экз. нет |
Никифоров, Игорь Кронидович. Радиоэлектронная и силовая электронная аппаратура. Биполярные и полевые транзисторы [Text] : учебное пособие / И. К. Никифоров ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Чувашский государственный университет имени И. Н. Ульянова. - Чебоксары : Изд-во Чувашского ун-та, 2022. - 459с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 456-457. - ISBN 978-5-7677-3518-1 : р260 р. Содержание:
Транзисторы полевые Кл.слова (ненормированные): 1 ; транзисторные структуры -- 1 ; схемы включения -- 1 ; режимы работы -- 1 ; модели -- 1 ; индукционные транзисторы -- 1 ; MOSFET транзисторы Доп.точки доступа: Чувашский государственный университет имени И. Н. Ульянова ((Чебоксары)) Свободных экз. нет |