Влияние дефектов границ раздела на излучательные характеристики эпитаксильных слоев фосфида галлия [Text] : обзор / А. П. Виданов [и др.]. - М. : [s. n.], 1990. - 28 с. - Б. ц.
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ ДЕФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Доп.точки доступа: Виданов, А. П. Свободных экз. нет |
Тензиметрические исследования и физико-химический анализ фазовых равновесий в системах, используемых при получении эпитаксиальных слоев AsupIII/supBsupV/sup и твердых растворов на их основе [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1950-1986 гг. / Е. Н. Вигдорович. - М. : [s. n.], 1987. - 43 с. - Б. ц.
ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ Доп.точки доступа: Вигдорович, Евгений Наумович (доктор технических наук) Свободных экз. нет |
Технология получения эпитаксиальных слоев соединений AsupIII/supBsupV/sup методом пиролиза [Text] : темат. указ. лит. - М. : [s. n.], 1983. - 53 с. - Б. ц.
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА Свободных экз. нет |
Электрожидкофазная эпитаксия соединений AsupIII/supBsupV/sup для оптоэлектроники [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1956-1984 гг. / Л. Н. Гурков [и др.]. - М. : [s. n.], 1986. - 72 с. - Б. ц.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ КИНЕТИКА ОПТОЭЛЕКТРОНИКА ЖИДКОСТНАЯ ЭПИТАКСИЯ Доп.точки доступа: Гурков, Л. Н. Свободных экз. нет |
Стрельченко, Станислав Сергеевич (доктор технических наук). Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений AsupIII/supBsupV/sup из газовой фазы [Text] : обзор / С. С. Стрельченко, А. А. Матяш. - М. : [s. n.], 1979. - 56 с. - Б. ц.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ГАЗОВАЯ ФАЗА ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ Доп.точки доступа: Матяш, Александр Андреевич Свободных экз. нет |