Еникеев, Э. Х. Образование фазы силицида при имплантации низкоэнергетичных ионов Mo+ и Ta+ в кремний [Text] : препринт / ... Отд. колебаний. - М., 1990. - 24 с. : ил. - (Препринт ; N72). - ^aБиблиогр.: с. 14 (7 назв.). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aSilicide phase form ation during the low-energy Mo+ and Ta+ ion implantation to silicium Содержание: Перевод заглавия: ^aSilicide phase form ation during the low-energy Mo+ and Ta+ ion implantation to silicium
Доп.точки доступа: Любимов, А.Г.; Людчик, О.Р. Свободных экз. нет |
Быковский, Ю. А. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов [Text] : монография / Ю. А. Быковский, В. Н. Неволин, В. Ю. Фоминовский. - М. : Энергоатомиздат, 1991. - 237 с. : ил. - ^aБиблиогр.:с.232-236 (137 назв.). - ISBN 5-283-03921-8 : Б. ц. Перевод заглавия: ^aIon and laser implantation of metallic materials Содержание: Перевод заглавия: ^aIon and laser implantation of metallic materials
Лазерная металлообработка Доп.точки доступа: Неволин, В.Н.; Фоминовский, В.Ю. Свободных экз. нет |
Барвинок, В. А. Физические основы и математическое моделирование процессов вакуумного ионно-плазменного напыления [Text] : монография / В. А. Барвинок, В. И. Богданович. - М. : Машиностроение, 1999. - 309 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с.297-306 (110 назв.). - ISBN 5-217-02957-9 : Б. ц. Перевод заглавия: ^aPhysical principles and mathematical modelling of vacuum ion-plasma spraying Содержание: Перевод заглавия: ^aPhysical principles and mathematical modelling of vacuum ion-plasma spraying
Ионное внедрение Доп.точки доступа: Богданович, В.И. Свободных экз. нет |
Марголин, В. И. Основы нанотехнологии. Электронная литография и ионная имплантация [Text] : учеб.пособие / В. И. Марголин, В. А. Тупик. - СПб : Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2000. - 55 с. : ил. - ^aБиблиогр.:с.54. - ISBN 5-7629-0297-8 : Б. ц. В надзаг.:С.-Петерб.гос.электротехн.ун-т "ЛЭТИ".
Ионное внедрение Доп.точки доступа: Тупик, В.А. Свободных экз. нет |
Вариченко, В. С. Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni [Текст] : препринт / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович. - Дубна, 1995. - 11 c. : ил. - (Препринт ; Р14-95-145). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aDefect origination in natural diamond, irradiated by high energy Ni ions Содержание: Перевод заглавия: ^aDefect origination in natural diamond, irradiated by high energy Ni ions
Доп.точки доступа: Дидык, А.Ю.; Мартинович, В.А. Свободных экз. нет |
Реутов, В. Ф. ПЭМ-изучение в геометрии "Cross-Section" структурных изменений в кремнии в результате последовательного облучения ионами N + He и Ar +He [Текст] : препринт / В. Ф. Реутов, А. С. Сохацкий. - Дубна, 1997. - 10 с. : ил. - (Препринт ; Р14-97-216). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aCross-section TEM investigation of the structural modifications in silicon, irradiated in succession by the ions N**(+) and He**(+) or Ar**(8+) and He**(+) Содержание: Перевод заглавия: ^aCross-section TEM investigation of the structural modifications in silicon, irradiated in succession by the ions N**(+) and He**(+) or Ar**(8+) and He**(+)
Доп.точки доступа: Сохацкий, А.С. Свободных экз. нет |
Титов, В. В. Ионная имплантация: перспективы и альтернативы [Текст] : препринт / В. В. Титов. - М., 1997. - 15 с. - (Препринт ; ИАЭ-6067/11). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aIon implantations: perspectives and alternatives Содержание: Перевод заглавия: ^aIon implantations: perspectives and alternatives
Свободных экз. нет |
Gurovich, B. A. Controller transformation of electrical, magnetic and optical material properties by ion beams [Text] : препринт / B. A. Gurovich, D. I. Dolgy, E. A. Kuleshova. - Moscow, 2000. - 32 с. : ил. - (Препринт ; IAE-6176/11). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Dolgy, D.I.; Kuleshova, E.A. Свободных экз. нет |
"Физические и физ.-хим.основы ионной имплантации",всероссийский семинар (5 ; 2000). V Всероссийский семинар "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" [Text] : 11-13 окт. 2000 г. / "Физические и физ.-хим.основы ионной имплантации",всероссийский семинар (5 ; 2000) . - Ниж.Новгород : [s. n.], 2000. - 99 с. - ^aБиблиогр. в конце ст. - Б. ц. В надзаг.:Нижегород. гос. ун-т им. Н.И.Лобачевского. Рос. фонд фундамент. исследований.
Свободных экз. нет |
По материалам V Всероссийского семинара "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", Нижний Новгород, 11-13 октября 2000 г. [Text] : сборник. - [S. l. : s. n.], 2001. - 137 с. : ил. - (Вестник Нижегородского университета им. Н.И.Лобачевского...Серия Физика твердого тела / Нижегородский гос. ун-т им. Н.И.Лобачевского ; вып.2(5)). - Б. ц.
Свободных экз. нет |
International conference on surface modification of materials by ion beam (12th ; 2001). Final programme and abstracts 12th International conference, Marburg, Germany, Sept.9-14, 2001 [Text] : материалы временных коллективов / Organized by Philipps-Univ. Marburg and Ges. fur Schwerionenforschung mbH;SMMIB 2001. - Marburg : GSI, 2001. - [284] p. - Б. ц.
Свободных экз. нет |
Григорьев, С. Н. Технология вакуумно-плазменной обработки инструмента и деталей машин [Text] : учебник / С.Н. Григорьев, Н.А. Воронин. - М. : Янус-К, 2005. - 507 с. - (Технология, оборудование и автоматизация машиностроительных производств). - ^aБиблиогр. в конце глав. - ISBN 5-8037-0285-4 : Б. ц.
Ионное внедрение См. : МБА/ЭДД, См. : МБА/ЭДД Доп.точки доступа: Воронин, Н.А. Свободных экз. нет |
Шипатов, Э. Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов [Text] : учеб. пособие / Э. Т. Шипатов. - Ульяновск : УлГУ, 2007. - 111 с. - ^aБиблиогр.: с. 109-110. - Б. ц. ; В надзаг.: Ульян. гос. ун-т
Свободных экз. нет |
Будилов, В. В. Нанотехнологии обработки поверхности деталей на основе вакуумных ионно-плазменных методов. Физические основы и технические решения [Text] : монография / В. В. Будилов, В. С. Мухин, С. Р. Шехтман. - М. : Наука, 2008. - 191 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 187-189 (34 назв.). - ISBN 978-5-02-036627-5 : Б. ц. ; В надзаг.: Рос. АН, Уфим. науч. центр, Ин-т физики молекул и кристаллов, АН Республики Башкортостан, Отд-ние физ.-мат. и техн. наук.
Ионное внедрение Нанотехнологии Доп.точки доступа: Мухин, В.С.; Шехтман, С.Р. Свободных экз. нет |
Наноинженерия поверхности. Формирование неравновесных состояний в поверхностных слоях материалов методами электронно-ионно-плазменных технологий [Text] : монография / А. Н. Лотков [и др.].; отв. ред. Н. З. Ляхов, С. Г. Псахье. - Новосибирск : Изд-во Сиб. отд-ния Рос. акад. наук, 2008. - 275 с. : ил. - ^aБиблиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-7692-0982-6 : Б. ц. ; В надзаг.: Ин-т физики прочности и материаловедения СО РАН
Ионное внедрение Нанотехнологии Доп.точки доступа: Лотков, А.Н.; Псахье, С.Г.; Князева, А.Г.; Коваль, Н.Н.; Коротаев, А.Д. Свободных экз. нет |
Установка для исследования процессов ионного распыления под влиянием пучков ионов средних энергий [Text] : препринт / К. Пышняк [и др.]. - Дубна, 2008. - 8 с. : ил. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Р13-2008-145). - ^aБиблиогр.: с. 8(5 назв.). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Пышняк, К.; Турек, М.; Дроздзель, А.; Селянко, Ю.; Мончка, Д. Свободных экз. нет |
Дубский, Г. А. Вакуумная ионно-плазменная и ионно-лучевая модификация поверхности металлов. Состав, Структура, Свойства. Получение, Исследование [Text] : монография / Г. А. Дубский, С. И. Платов. - Магнитогорск : МГТУ, 2009. - 392 с. : ил. - ^aБиблиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-9967-0048-6 : Б. ц. ; В надзаг.: Магнитогор. гос. техн. ун-т им. Г. И. Носова
Ионное внедрение Доп.точки доступа: Платов, С.И. Свободных экз. нет |
Формирование молекулярных пучков для ионной имплантации [Text] : препринт / Ю. А. Ваганов [и др.]. - Дубна , 2009. - 11 с. : ил. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Р13-2009-117). - ^aБиблиогр.: с. 11(9 назв.). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Ваганов, Ю.А.; Мончка, Д.; Словински, Б.; Юшкевич, Ю.В.; Зубржицки, Я. Свободных экз. нет |
Вольпяс, В. А. Физика слабоионизованной плазмы [Text] : прикладные вопросы ионно-плазменного распыления / В. А. Вольпяс, А. Б. Козырев. - СПб. : ТОО "Складень", 1997. - 130 с. : ил. - ^aБиблиогр.:с.130(17 назв.). - ISBN 5-89028-005-8 : Б. ц.
<Ионное> <внедрение> <Металлизация> <плазменная> Доп.точки доступа: Козырев, А.Б. Свободных экз. нет |
Шипатов, Э. Т. Имплантация ионов в полупроводники [Text] : учеб.пособие для вузов / Э. Т. Шипатов. - Ульяновск : [s. n.], 1998. - 199 с. : ил. - ^aБиблиогр.:с.196-197 (28 назв.). - ISBN 5-88855-020-5 : Б. ц. ; В надзаг.:Ульян.гос.ун-т.
Свободных экз. нет |