Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремнии [Text] : [монография] / [О. Ю. Наливайко и др.] ; под редакцией А. С. Турцевича. - Минск : Интегралполиграф, 2013. - 688 с. : ил., табл. - ^aБиблиография в конце глав. - ISBN 978-985-6845-44-7 : Б. ц.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ КРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ ГЕТТЕРИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Пленочные структуры Доп.точки доступа: Наливайко, Олег Юрьевич; Солодуха, Виталий Александрович (электроника); Пилипенко, Владимир Александрович (доктор технических наук ; род. 1949); Колос, Владимир Владимирович (кандидат физико-математических наук); Турцевич, Аркадий Степанович (доктор технических наук ; род. 1958) \.\ Свободных экз. нет |
Стучебников, Владимир Михайлович (доктор технических наук). Электрофизические характеристики гетероэпитаксиальных пленок кремния на сапфире и шпинели [Text] : обзор / В. М. Стучебников. - М. : [s. n.], 1980. - 38 с. - Б. ц.
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ ШПИНЕЛИ КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ-СТРУКТУРА Кл.слова (ненормированные): 0 ; Гетероэпитаксильные структуры Свободных экз. нет |
Александров, Леонид Наумович (доктор физико-математических наук ; 1923—1999). Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок [Text] / Л. Н. Александров ; отв. ред. А. Ф. Кравченко. - Новосибирск : Наука, 1978. - 272 с. - Б. ц.
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ ПЕРЕХОДНЫЕ СЛОИ Доп.точки доступа: Кравченко, А. Ф. \.\ Свободных экз. нет |
Полянский, Александр Михайлович (кандидат технических наук). Кремниевые эпитаксиальные пленки [Text] : обзор / А. М. Полянский. - М. : [s. n.], 1981. - 40 с. - Б. ц.
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ Свободных экз. нет |