"Нитриды галлия,индия и алюминия-структуры и приборы",всероссийское совещание (3 ; 1999). 3-е всероссийское совещание "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" [Text] : 2-го июня 1999 г. / "Нитриды галлия,индия и алюминия-структуры и приборы",всероссийское совещание (3 ; 1999) . - М. : [s. n.], 1999. - 75 с. : ил. - Б. ц.
Гетеропереходы Полупроводниковые приборы Свободных экз. нет |
Демиховский, В. Я. Физика квантовых низкоразмерных структур [Text] : монография / В. Я. Демиховский, Г. А. Вугальтер. - М. : Логос, 2000. - 247 с. : ил. - ^aБиблиогр.в конце гл. - ISBN 5-88439-045-9 : Б. ц. В надзаг.:Федерал.целевая программа"Гос.поддержка интеграции высш.образования и фундамент.науки на 1997-2000 гг.".
Доп.точки доступа: Вугальтер, Г.А. Свободных экз. нет |
Воробьев, Л. Е. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах [Text] : учеб.пособие для студентов вузов по направлению "Техн.физика" / Под общ.ред.В.И.Ильина, А.Я.Шика. - СПб : Наука, 2000. - 157 с. : ил. - (Новые разделы физики полупроводников). - ^aБиблиогр.:с.156 (10 назв.). - ISBN 5-02-024928-9 : Б. ц. На обл.авт.не указ.
Гетеропереходы Доп.точки доступа: Данилов, С.Н.; Ивченко, Е.Л.; Ильин, В.И. Свободных экз. нет |
Маркова, Н. В. Exchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film [Text] : препринт / Н. В. Маркова. - Moscow, 1995. - 13 c. : ил. - (Препринт ; N10(1995)). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aExchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film Перевод заглавия: ^aExchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film
Свободных экз. нет |
Воробьев, Л. Е. Оптические явления в полупроводниковых квантово-размерных структурах [Text] : учеб. пособие / Под ред. Е.Л.Ивченко, Л.Е.Воробьева. - СПб. : Изд-во СПбГТУ, 2000. - 156 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 153-154 (37 назв.). - Б. ц. ; В надзаг.: С.-Петерб. гос. техн. ун-т.
Доп.точки доступа: Голуб, Л.Е.; Данилов, С.Н.; Ивченко, Е.Л. Свободных экз. нет |
Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе,Санкт-Петербург. Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы [Text] : тез. докл. 4-го Всерос. совещ., 18-19 сент. 2000 г., С.-Петербург / Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе,Санкт-Петербург. - СПб. : Изд-во СПбГТУ, 2000. - 119 с. : ил. - ^aБиблиогр. в конце ст. - Б. ц. В надзаг.:Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе РАН.
Гетеропереходы Оптоэлектронные приборы Свободных экз. нет |
Ильин, В. И. Варизонные полупроводники и гетероструктуры [Text] : учеб. пособие "Техническая физика" / В. И. Ильин, С. Ф. Мусихин, А. Я. Шик. - СПб. : Наука, 2000. - 100 с. : ил. - ^aБиблиогр.:97-98. - Б. ц. В надзаг.:Федерал. целевая программа "Гос. поддержка интеграции высш. образования и фундаментал. науки на 1997-2000 гг".
Гетеропереходы Доп.точки доступа: Мусихин, С.Ф.; Шик, А.Я. Свободных экз. нет |
Сачков, В. А. Фононы в структурах на основе GaAs и AlAs: численное моделирование и эксперимент [Text] : препринт / В. А. Сачков, В. В. Болотов, В. А. Володин. - Новосибирск, 2000. - 62 с. : ил. - (Препринт ; 2000-01). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Болотов, В.В.; Володин, В.А. Свободных экз. нет |
International workshop on modern problems in the physics of surfaces and nanostructures (2001). International workshop on modern problems in the physics of surfaces and nanostructures [Text] : yaroslavl, Russia, 18-21 June 2001 / International workshop on modern problems in the physics of surfaces and nanostructures (2001) . - Yaroslavl : [s. n.], 2001. - 74 p. : il. - ^aБиблиогр. в конце отд. докл. Опис. по обл. Без тит. л. - Б. ц. В надзаг.: Russian academy of sciences, Institute of microelectronics and informatics, Russian foundation for basic research et al.
Гетеропереходы Свободных экз. нет |
Воробьев, Л. Е. Санкт-Петербургский гос.техн. ун-т. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах [Text] : учеб. пособие / Под ред.Л.Е.Воробьева. - СПб : Изд-во СПбГТУ, 1999. - 154 с. : ил. - ^aБиблиогр.:с.152 (13 назв.). - Б. ц. ; В надзаг.:С.-Петерб.гос.техн.ун-т.
Гетеропереходы Доп.точки доступа: Данилов, С.Н.; Ивченко, Е.Л. Свободных экз. нет |
Rodin, P. B. Superfast fronts of impact ionization in initially unbiased layered semiconductor structures [Text] : сборник научных трудов / P. B. Rodin, U. M. Ebert, W. H. Hundsdorfer. - Amsterdam : [s. n.], 2001. - 18 p. : ill. - (Report:Modelling, analysis and simulation / Centrum voor wiskunde en informatica(Amsterdam), ISSN 1386-3703 ; MAS-R0110). - ^aБиблиогр.: с.11-12. - Б. ц. Перевод заглавия: 0 ^aСверхбыстрые фронты ударной ионизации в слоистых полупроводниковых структурах первоначально без смещения. Перевод заглавия: 0 ^aСверхбыстрые фронты ударной ионизации в слоистых полупроводниковых структурах первоначально без смещения.
См. : МБА/ЭДД Доп.точки доступа: Ebert, U.M.; Hundsdorfer, W.H. Свободных экз. нет |
Lipinski, M. O. Selbstordnende III/V Halbleiterquantenstrukturen - Molekularstrahlepitaxie, strukturelle und elektronische Eigenschaften [Text] : diss. / M. O. Lipinski. - Stuttgart : [s. n.], 2001. - 138 S. : Ill. - ^aБиблиогр.:с.129-134. - Б. ц.
Свободных экз. нет |
Nikolaev, K. R. Oscillatory exchange coupling and positive magnetoresistance in epitaxial oxide heterostructures [Text] : сборник научных трудов / K. R. Nikolaev, A. Yu. Dobin, I. N. Krivorotov. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2000. - 4 p. - (UMSI research report / University of Minnesota(Minneapolis,Mn).Supercomputer institute ; 2000/279). - ^aБиблиогр.:c.4. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Dobin, A.Yu.; Krivorotov, I.N. Свободных экз. нет |
Дюбуа, А. Б. Коллективные возбуждения в неоднородных и диссипативных средах [Text] : монография / А.Б. Дюбуа, Р.В. Лысов. - Рязань : Пресса, 2005. - 69 с. - ^aБиблиогр.: с. 67-69 (39 назв.). - ISBN 5-86122-179-0 : Б. ц. ; В надзаг.:Ряз.ин-т октытого образования
Гетеропереходы См. : МБА/ЭДД Доп.точки доступа: Лысов, Р.В. Свободных экз. нет |
Агеев, И. М. Гетеропереходы и квантоворазмерные эффекты [Text] : учеб. пособие / И. М. Агеев, Г. Г. Шишкин. - М. : Изд-во МАИ-ПРЕСС, 2008. - 51 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 50(6 назв.). - ISBN 978-5-7035-1929-5 : Б. ц. ; В надзаг.: Моск. авиационный ин-т, (гос. техн. ун-т)
Доп.точки доступа: Шишкин, Г.Г. Свободных экз. нет |
Котина, И. М. Барьеры Шоттки и химические окислы на высокоомном кремнии р-типа [Text] : препринт / И. М. Котина, Г. В. Пацекина, В. Д. Савельев. - Гатчина, 1996. - 37 c. : ил. - (Препринт ; SS-3-1996 2094). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aSchottky barrier and chemical oxides on the high-purity p-type silicon Содержание: Перевод заглавия: ^aSchottky barrier and chemical oxides on the high-purity p-type silicon
Доп.точки доступа: Пацекина, Г.В.; Савельев, В.Д. Свободных экз. нет |
Сорокин, В. С. Методы формирования полупроводниковых сверхрешеток и квантово-размерных структур [Text] : учеб. пособие / В. С. Сорокин. - СПб. : [s. n.], 1996. - 68 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с.66-67 (17 назв.). - ISBN 5-7629-0097-5 : Б. ц. В надзаг.: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т.
<Гетеропереходы> Свободных экз. нет |
Кульбачинский, В. А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки [Text] : монография / В. А. Кульбачинский. - М. : Физ.фак.МГУ, 1998. - 162 с. : ил. - ^aБиблиогр.:с.159-160(34 назв.). - Б. ц.
Сверхрешетки Свободных экз. нет |
Диагностика полупроводниковых и магнитных структур с нанометровыми размерами [Text] : сборник научных трудов / Отв. ред. А.М.Афанасьев. - М. : Наука. Физматлит, 1999. - 127 с. : ил. - (Труды ФТИАН / Физико-технологический ин-т (Москва). ; т.14). - ^aБиблиогр. в конце ст. - Б. ц. ; В надзаг.:Рос.АН Содержание:
Доп.точки доступа: Афанасьев, А.М. Свободных экз. нет |
Grambow, P. Technologie und Untersuchung nanostruktueter Halbleitersysteme [Text] : diss. / P. Grambow. - Darmstadt : [s. n.], 1992. - 121 S. : Ill. - Б. ц. ; Библиогр.:с.118-121
Свободных экз. нет |