Применение методов ионной имплантации для создания фоточувствительности p-n-переходов на антимониде индия [Text] : обзор / Н. Н. Герасименко [и др.]. - М. : [s. n.], 1990. - 20 с. - Б. ц.
АНТИМОНИД ИНДИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ (физ., хим.) Доп.точки доступа: Герасименко, Николай Николаевич (доктор физико-математических наук) Свободных экз. нет |
Влияние легирующих примесей на изменение свойств монокристаллов антимонида индия [Text] : обзор / В. С. Ивлева [и др.]. - М. : [s. n.], 1982. - 42 с. - Б. ц.
АНТИМОНИД ИНДИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Легирующие примеси Доп.точки доступа: Ивлева, В. С. Свободных экз. нет |