Harrold, S. J. An introduction to GaAs IC design [Text] : монография / S. J. Harrold. - New York etc. : Prentice-Hall, 1993. - 12, 172 с : ил. - ISBN 0-13-486358-5 : Б. ц. Перевод заглавия: 0 ^aВведение в проектирование интегральных схем на GaAs Перевод заглавия: 0 ^aВведение в проектирование интегральных схем на GaAs
Рубрики: <Интегральные> <схемы> <Арсенид> <галлия> Свободных экз. нет |
Радиационные процессы в микроэлектронике [Text] : обзор / Н. Ф. Голубев [и др.]. - М. : [s. n.], 1991. - 36 с. - Б. ц.
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ МОП-СТРУКТУРЫ КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ РАДИАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ТЕХНИЧЕСКАЯ ДИАГНОСТИКА Доп.точки доступа: Голубев, Н. Ф. Свободных экз. нет |
Радиоэлектроника в 1980 году [Text] : обзор по материалам иностр. печати. - М. : [s. n.], 1981. - 70 с. - Б. ц.
ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА РАДИОЭЛЕКТРОНИКА ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ МДП-ТЕХНОЛОГИЯ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ Свободных экз. нет |
Черняев, Александр Владимирович (доктор технических наук). Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия [Text] / А. В. Черняев. - М. : Радио и связь, 1990. - 85 с. - Б. ц.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА Свободных экз. нет |
Сверхбыстродействующие цифровые схемы на арсениде галлия [Text] : обзор / Г. Н. Шведов, В. К. Семенов. - М. : ЦНИИ Электроника, 1989. - 61 с. - Б. ц.
ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА БЫСТРОДЕЙСТВИЕ Доп.точки доступа: Шведов, Г. Н.; Семенов, В. К. Свободных экз. нет |
Шлопак, Николай Владимирович. Влияние атомарного водорода на свойства кремния, арсенида галлия и структур на их основе [Text] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / Н. В. Шлопак. - Минск : [s. n.], 1994. - 15 с. - Б. ц.
КРЕМНИЙ АТОМАРНЫЙ ВОДОРОД ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОЛУПРОВОДНИКИ Свободных экз. нет |
Состояние, проблемы и перспективы развития арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона за рубежом [Text] : обзор / Н. И. Шопина, И. К. Викулов. - М. : [s. n.], 1987. - 34 с. - Б. ц.
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ДИАПАЗОНЫ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ЗАРУБЕЖНЫЙ Доп.точки доступа: Шопина, Н. И.; Викулов, И. К. Свободных экз. нет |
Состояние, проблемы и перспективы развития арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона за рубежом [Text] : обзор / Н. И. Шопина, И. К. Викулов. - М. : [s. n.], 1987. - 40 с. - Б. ц.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ДИАПАЗОНЫ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ЗАРУБЕЖНЫЙ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Промышленное освоение Доп.точки доступа: Шопина, Н. И.; Викулов, И. К. Свободных экз. нет |
Вилисова, Мария Дмитриевна. Газофазовая эпитаксия полуизолирующего арсенида галлия [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1966-1984 гг. / М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева. - М. : [s. n.], 1985. - 33 с. - Б. ц.
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ГАЗОВАЯ ФАЗА ЭПИТАКСИЯ Доп.точки доступа: Лаврентьева, Л. Г. Свободных экз. нет |
Югай, Л. Я. СВЧ монолитные интегральные усилители на основе арсенида галлия [Text] : (по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1965-1982 гг.) / Л. Я. Югай, Е. И. Блажнова, Э. И. Батыгина. - М. : [s. n.], 1983. - 36 с. - Б. ц.
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ УСИЛИТЕЛИ Доп.точки доступа: Блажнова, Е. И.; Батыгина, Э. И. Свободных экз. нет |
Чистяков, Юрий Дмитриевич. Локальное травление в процессах изготовления полупроводниковых приборов на арсениде галлия [Text] : обзор / Ю. Д. Чистяков, О. С. Булатов. - М. : [s. n.], 1980. - 49 с. - Б. ц.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ТРАВЛЕНИЕ Доп.точки доступа: Булатов, О. С. Свободных экз. нет |
Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки [Text] : обзор / С. А. Костылев [и др.]. - М. : [s. n.], 1986. - 40 с. - Б. ц.
ШОТТКИ БАРЬЕРЫ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Доп.точки доступа: Костылев, Сергей Александрович Свободных экз. нет |
Двумерное нелокальное моделирование полевых транзисторов с затвором Шоттки на арсениде галлия [Text] : обзор / Г. З. Гарбер. - М. : [s. n.], 1988. - 36 с. - Б. ц.
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Шоттки затворы Доп.точки доступа: Гарбер, Геннадий Зеликович Свободных экз. нет |
Механизмы отказов и надежность транзисторов на арсениде галлия [Text] : обзор / ЦНИИ Электроника. - М. : [s. n.], 1981. - 42 с. - Б. ц.
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ТРАНЗИСТОРЫ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Свободных экз. нет |
Нелинейное динамическое моделирование полевых СВЧ транзисторов с затвором Шоттки на арсениде галлия [Text] : обзор / Г. З. Гарбер. - М. : [s. n.], 1990. - 48 с. - Б. ц.
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Шоттки затворы Доп.точки доступа: Гарбер, Геннадий Зеликович Свободных экз. нет |
Нечаев, А. М. Механизмы пробоя транзисторов на арсениде галлия [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1980-1984 гг. / А. М. Нечаев. - М. : [s. n.], 1985. - 42 с. - Б. ц.
ТРАНЗИСТОРЫ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ МЕХАНИЗМЫ (техн.) Кл.слова (ненормированные): 0 ; Пробой Свободных экз. нет |
Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления [Text] : пер. с англ. / П. Ф. Линдквист [и др.] ; под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. - М. : Радио и связь, 1988. - 494 с. - Б. ц.
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Доп.точки доступа: Линдквист, П. Ф.; Ди Лоренцо, Д. В. \.\; Канделуол, Д. Д. \.\ Свободных экз. нет |
Физико-технологические особенности ионного легирования монокристаллического и эпитаксиального арсенида галлия для монолитных СВЧ устройств [Text] : (по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1977-1987 гг.) / Б. В. Козейкин [и др.]. - М. : [s. n.], 1983. - 50 с. - Б. ц.
МОНОКРИСТАЛЛЫ ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Доп.точки доступа: Козейкин, Б. В. Свободных экз. нет |
Ионно-лучевая технология пассивных интегральных схем СВЧ на арсениде галлия [Text] : обзор / Б. В. Козейкин [и др.]. - М. : [s. n.], 1990. - 59 с. - Б. ц.
СВЕРХВЫСОКИЕ ЧАСТОТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ОБРАБОТКА Доп.точки доступа: Козейкин, Б. В. Свободных экз. нет |