Прокопьев, Е. П. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества [Text] : препринт / Е. П. Прокопьев, С. П. Тимошенков, А. Л. Суворов. - М., 2000. - 20 с. : ил. - (Препринт ; 24-00). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aPeculiarities of technology of manufacture of SOI structures by direct splicing of silicon plates and their quality monitoring Содержание: Перевод заглавия: ^aPeculiarities of technology of manufacture of SOI structures by direct splicing of silicon plates and their quality monitoring
Доп.точки доступа: Тимошенков, С.П.; Суворов, А.Л. Свободных экз. нет |
Суворов, А. Л. Анализ преимуществ, перспектив применения и технологий производства структур КНИ [Text] : препринт / А. Л. Суворов, Ю. А. Чаплыгин, С. П. Тимошенков. - М., 2000. - 35 с. : ил. - (Препринт ; 27-00(2000)). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aAnalysis of advantages, application prospects and manufacturing technologies of silicon-on-insulator structures Содержание: Перевод заглавия: ^aAnalysis of advantages, application prospects and manufacturing technologies of silicon-on-insulator structures
Доп.точки доступа: Чаплыгин, Ю.А.; Тимошенков, С.П. Свободных экз. нет |
Богданович, Б. Ю. Технологии и методы исследования структур КНИ [Text] : монография / Богданович Б.Ю., Графутин В.И., Калугин В.В. и др. - М. : [s. n.], 2003. - 288 с. : ил. - ^aБиблиогр. в конце глав. - ISBN 5-7256-0320-2 : Б. ц. В надзаг.:Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т), Моск. инж.-физ. ин-т (гос. ун-т), ФГУП ГНЦ РФ ин-т теорет. и эксперим. физики.
Доп.точки доступа: Графутин, В.И.; Калугин, В.В. Свободных экз. нет |
Богданович, Б. Ю. Технологии и методы исследования структур КНИ [Text] : монография / Богданович Б.Ю., Графутин В.И., Калугин В.В. и др. - М. : [s. n.], 2003. - 288 с. : ил. - ^aБиблиогр. в конце глав. - ISBN 5-7256-0320-2 : Б. ц.
Доп.точки доступа: Графутин, В.И.; Калугин, В.В. Свободных экз. нет |
Козлов, Ю. Ф. Структуры кремния на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение [Text] : учеб. пособие / Ю. Ф. Козлов, В. В. Зотов. - М. : МИЭТ, 2004. - 139 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 133-136(45 назв.). - ISBN 5-7256-0378-4 : Б. ц. В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т).
См. : МБА/ЭДД Доп.точки доступа: Зотов, В.В. Свободных экз. нет |
Зиновьев, Д. В. Кремниевые структуры для приборов микроэлектроники [Text] : учеб. пособие по курсу "Технология микроэлектроники" / Д. В. Зиновьев, В. М. Андреев, К. А. Тузовский. - М. : МИЭТ, 2006. - 64 с. : ил. - ^aБиблиогр.: с. 63 (8 назв.). - ISBN 5-7256-0422-5 : Б. ц. ; В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т)
Доп.точки доступа: Андреев, В.М.; Тузовский, К.А. Свободных экз. нет |
Fruhauf, J. Shape and functional elements of the bulk silicon microtechnique [Text] : a man. of wet-etched silicon structures / J. Fruhauf. - Berlin [etc.] : Springer, 2005. - XII, 221 p. : ill. - ^aБиблиогр. в конце глав. Указ.: с. 217-221. - ISBN 3-540-22109-3 : р3508.67 р.
Свободных экз. нет |
Springer series in materials science [Text] : сборник / ed. R. Hull [et al.]. - Berlin [etc.] : Springer, 2009. - XXVIII, 343 p. : ill. - ^aБиблиогр. в конце глав. Указ.: с. 335-343. - ISSN 0933-033X. - ISBN 978-3-540-74558-7 : р4927.53 р.
Доп.точки доступа: Huff, H.R. \.\ Свободных экз. нет |
Thoissen, M. O.-W. Spektroskopische Charakterisierung von Schichten und Schichtsystemen aus poroem Silicium im Hinblick auf optische und optoelektonische Anwendungen [Text] : diss. / M. O.-W. Thoissen. - Aachen : [s. n.], 1998. - VIII,160,XXIII S. : ill. - ^aБиблиогр.: с.XIII-XXII. - Б. ц.
Кремниевые структуры Свободных экз. нет |
NATO advanced research workshop on perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices (1998). Perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices [Text] : proc.of the NATO advanced research workshop on perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices, Kyiv, 12-15 Oct.1998 / Ed.:P.L.Hemment et al. - Dordrecht etc. : Kluwer, 1999. - XXI, 344 p. : ill. - (NATO ASI(Advanced science institutes)series. Partnership sub-series 3, High technology ; vol.73). - ^aБиблиогр.в конце ст. Указ.:с.329-344. - ISBN 0-7923-6116-4 : Б. ц.
Полупроводниковые приборы Доп.точки доступа: Hemment, P.L. Свободных экз. нет |
Коробко, Александра Олеговна. Формирование функциональных слоев соединений кремния с никелем, кобальтом, железом и палладием ионной имплантацией и ионно-плазменным нанесением [Text] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Коробко Александра Олеговна ; Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. - Минск : [s. n.], 2009. - 23 с. - ^aБиблиогр.: с. 17-20. - Б. ц.
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ НИКЕЛЬ ИОНЫ МЕТАЛЛОВ КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Свободных экз. нет |
Строгова, Александра Сергеевна (нанотехнологии). Получение и свойства порошков нанодисперсного кремния [Text] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Строгова Александра Сергеевна ; УО "Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники". - Минск : [s. n.], 2011. - 23 с. : ил. - ^aБиблиография: с. 17—20 (28 назв.). - Б. ц.
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ ИЗМЕЛЬЧЕНИЕ ХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА ОКИСЛЕНИЕ АВТОРЕФЕРАТЫ Кл.слова (ненормированные): 0 ; Кремниевые наноматериалы -- 0 ; Высокотемпературный синтез Свободных экз. нет |
Pavesi, L. Porous silicon dielectric multilayers and microcavities [Text] : сборник научных трудов / L. Pavesi. - Bologna : [s. n.], 1997. - 76 p. : ill. - (La rivista del nuovo cimento. Ser.3-4, ISSN 0393-697X ; vol.20,N 10). - ^aБиблиогр.:с.72-76. - Б. ц.
<Оптоэлектронные> <приборы> Свободных экз. нет |
Бондаренко, Анна Витальевна (кандидат технических наук). Наноструктурированные пленки меди, формируемые методом химического осаждения на пористый кремний [Text] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Бондаренко Анна Витальевна ; Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники". - Минск : [s. n.], 2014. - 23 с. : ил. - ^aБиблиография: с. 16—20 (39 назв.). - Б. ц. ; Резюме на белорусском, русском, английском языках
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ ПОВЕРХНОСТНАЯ ОБРАБОТКА НАНОПЛЕНКИ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ МЕДЬ ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ РАСТВОРОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ СТРУКТУРА МАТЕРИАЛОВ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АВТОРЕФЕРАТЫ Свободных экз. нет |
Зебрев, Геннадий Иванович (доктор технических наук). Физические основы кремниевой наноэлектроники [Text] : учебное пособие / Г. И. Зебрев. - Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2017. - 240 с. : ил., табл., схемы. - (Нанотехнологии). - ^aБиблиография: с. 225—232. - ISBN 978-5-9963-0181-2 (в переплете) : Б. ц.
КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЕВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ МОП-СТРУКТУРЫ КМОП (технология) ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАНОТЕХНОЛОГИИ НАНОМАТЕРИАЛЫ Свободных экз. нет |
Бондаренко, Анна Витальевна (кандидат технических наук). Наноструктурированные пленки меди на пористом кремнии: формирование, свойства, применение [Text] : [монография] / А. В. Бондаренко. - Минск : Бестпринт, 2019. - 133 с. : ил., табл. - ^aБиблиография: с. 126—133 (103 назв.). - ISBN 978-985-6963-99-8 (в переплете) : Б. ц.
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ ПОВЕРХНОСТНАЯ ОБРАБОТКА НАНОПЛЕНКИ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ МЕДЬ ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ РАСТВОРОВ СТРУКТУРА МАТЕРИАЛОВ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Свободных экз. нет |
Ясюнас, Александр Алексеевич (наноэлектроника ; род. 1985). Технология и особенности построения оборудования для формирования наноструктурированных гидрофобных и износостойких оптических покрытий для видимого спектрального диапазона [Text] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Ясюнас Александр Алексеевич ; Учреждения образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники". - Минск : [s. n.], 2020. - 23 с. : ил. - ^aБиблиография: с. 17—20 (25 назв.). - Б. ц. ; Резюме параллельно на белорусском, русском и английском языках
ЗАЩИТНЫЕ ПОКРЫТИЯ ГИДРОФОБНЫЕ ПОКРЫТИЯ НАНОПОКРЫТИЯ НАНОПЛЕНКИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОРЕАКТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Свободных экз. нет |
Горлов, Митрофан Иванович. Современное состояние проблемы надежности кремниевых биполярных интегральных схем [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1972-1983 гг. / М. И. Горлов. - М. : [s. n.], 1984. - 61 с. - Б. ц.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ НАДЕЖНОСТЬ (техн.) Свободных экз. нет |
Гликин, Л. С. Новые применения лучистой энергии в микроэлектронике [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1978-1984 гг. / Л. С. Гликин, В. В. Зотов, Е. А. Королева. - М. : [s. n.], 1984. - 41 с. - Б. ц.
КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ПОЛУПРОВОДНИКИ Доп.точки доступа: Зотов, Владислав Владимирович; Королева, Е. А. (микроэлектроника) Свободных экз. нет |
Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией для изделий микроэлектроники [Text] : по данным отечеств. и зарубеж. печати за 1975-1985 гг. / Н. А. Брюхно [и др.]. - М. : [s. n.], 1987. - 40 с. - Б. ц.
ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ИЗОЛЯЦИЯ КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ ДИЭЛЕКТРИКИ Доп.точки доступа: Брюхно, Николай Алексеевич Свободных экз. нет |