Белоус, Анатолий Иванович (доктор технических наук ; род. 1951).     Основы проектирования субмикронных микросхем [Text] / А. И. Белоус, Г. Я. Красников, В. А. Солодуха. - Москва : Техносфера, 2020. - 780 с. : ил., табл., цв. ил. - (Мир электроники ; VII?72). - ^aБиблиография в конце глав. - ISBN 978-5-94836-603-6 (в переплете) : Б. ц. ГРНТИ ^a47.13.11^v6 УДК ^a621.3.049.77^v4^zrus Рубрики: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    КРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    БОЛЬШИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    СУБМИКРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ    ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ    БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ    СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ    КМОП (технология)    КМОП-СХЕМЫ    ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ    ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ    ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ    ТРАНЗИСТОРНАЯ ЛОГИКА    ШОТТКИ ДИОДЫ    КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ    РАДИАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА    СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ    ЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ    ТЕСТОВЫЕ СТРУКТУРЫ    КОРПУСИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ    УПРАВЛЕНИЕ КАЧЕСТВОМ    ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ    ПОВЫШЕНИЕ НАДЕЖНОСТИ Доп.точки доступа: Красников, Геннадий Яковлевич (доктор технических наук ; род. 1958); Солодуха, Виталий Александрович (кандидат технических наук, электроника) Свободных экз. нет

Ким, Чан Вом     Электрические свойства неоднородных контактов Al+Si/Al-nSi диодов Шоттки [Text] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / Чан Вом Ким. - Баку : [s. n.], 1984. - 13 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.22.066.6^v3^zrus Рубрики: КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ    ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА    ШОТТКИ ДИОДЫ    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Свободных экз. нет

Стриха, Виталий Илларионович.     Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки: Физика, технология, применение [Text] / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева, И. А. Радзиевский ; под общ. ред. В. И. Стрихи. - М. : Совет. радио, 1974. - 246 с. - Б. ц. УДК ^a621.382.22^v3^zrus Рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ    ШОТТКИ ДИОДЫ    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Доп.точки доступа: Бузанева, Евгения Викторовна; Радзиевский, Игорь Александрович Свободных экз. нет