Силаков, М. В. Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте [Text] : препринт / Силаков М.В., Бабушкин Г.А., Валиев К.А. и др. - М., 2003. - 40 с. : ил. - (Препринт / Физико-технологический ин-т (Москва) ; 25(2003)). - ^aБиблиогр.: с. 37-40(34 назв.). - Б. ц. Перевод заглавия: ^aThe calculation of the bremsstrahlung generation in electronic lithography, its influence on work of MOP-transistors and evaluation of contribution of Bremsstrahlung's generation in absorbed energy in the resist^ePreprint Содержание: Перевод заглавия: ^aThe calculation of the bremsstrahlung generation in electronic lithography, its influence on work of MOP-transistors and evaluation of contribution of Bremsstrahlung's generation in absorbed energy in the resist^ePreprint
МОП-транзисторы Доп.точки доступа: Бабушкин, Г.А.; Валиев, К.А. Свободных экз. нет |
Achenbach, S. Optimierung der Prozessbedingungen zur Herstellung von Mikrostrukturen durch ultratiefe Rontgenlithographie (UDXRL) [Text] : diss. / S. Achenbach, F. J. Pantenburg, J. Mohr. - Karlsruhe : [s. n.], 2000. - VI,138 S. : Ill. - (Wissenschaftliche Berichte / Forschungszentrum(Karlsruhe), ISSN 0947-8620 ; 6576). - ^aРез.англ.Библиогр.:c.113-122. - Б. ц.
Рентгенолитография Доп.точки доступа: Pantenburg, F.J.; Mohr, J. Свободных экз. нет |
Mappes, T. Wissenschaftliche Berichte [Text] : diss. / FZKA. - Karlsruhe : FZKA, 2006. - IV, 71S. : Ill. - ISSN 0947-8620. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Achenbach, S.; Mohr, J. Свободных экз. нет |
Лыньков, Л. М. Субмикронная литография [Text] : сборник / Л. М. Лыньков, С. Л. Прищепа. - Минск : [s. n.], 1999. - 205 с. : ил. - ^aВ надзаг.Белорусский гос.ун-т информатики и радиоэлектроники.Библиогр.:с.197-205. - ISBN 985-444-036-2 : Б. ц.
Фотолитография Рентгенолитография Ионолитография Доп.точки доступа: Прищепа, С.Л. Свободных экз. нет |