Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе,Санкт-Петербург.     Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы [Text] : тез. докл. 4-го Всерос. совещ., 18-19 сент. 2000 г., С.-Петербург / Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе,Санкт-Петербург. - СПб. : Изд-во СПбГТУ, 2000. - 119 с. : ил. - ^aБиблиогр. в конце ст. - Б. ц. В надзаг.:Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе РАН. ГРНТИ ^a47.33 УДК ^a621.315.592.9(063) ^a621.383(043) Рубрики: Металлы, нитриды    Гетеропереходы    Оптоэлектронные приборы Свободных экз. нет

Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе,Санкт-Петербург.     Аморфные и микрокристаллические полупроводники [Text] : тез. докл. П Междунар. конф. / Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе,Санкт-Петербург. - СПб. : Изд-во СПбГТУ, 2000. - 179 с. - ^aБиблиогр. в конце отд. докл. - Б. ц. В надзаг.: Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе. ГРНТИ ^a29.19.31 УДК ^a537.311.322(063) Рубрики: Полупроводники Свободных экз. нет

Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе,Санкт-Петербург.     Фото- и электролюминесценция редкоземельных элементов в полупроводниках и диэлектриках [Text] : сб.тр.междунар.симпоз.,23-24 окт.2001 г.,С.-Петербург / Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе,Санкт-Петербург. - СПб. : Изд-во СПбГТУ, 2001. - 47 с. : ил. - ^aБиблиогр. в конце ст. Часть текста англ. - Б. ц. В надзаг.: Рос. АН, Физико-технический ин-т им.А.Ф.Иоффе, С.-Петерб. гос. техн. ун-т. ГРНТИ ^a29.19.31 ^a29.19.33 УДК ^a537.311.322:535.37(063) ^a537.226:535.37(063) Рубрики: Полупроводники    Диэлектрики Свободных экз. нет