Поисковый запрос: <.>R=29.19.31$<.> |
Общее количество найденных документов : 1165
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
| Родионов А.И.
Методы многомерного измерения данных при оптических исследованиях поверхности
Винценц С.В., Калинин А.П. - М. - 2001. - 28 с.: ил. -(Препринт; N685). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322:532.6(04)
Предметные рубрики: Полупроводники
Держатели документа:
|
2.
| Всероссийская молодежная науч.конф.по физике полупроводников и полупроводниковой опто-и наноэлектронике. (1999).
Всероссийская молодежная научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Санкт-Петербург,30 нояб.-3 дек.1999 г. - СПб.: Изд-во СПбГТУ. - 1999. - 150 с. - На рус.яз. - Российская Федерация. - В надзаг.: М-во образования Рос. Федерации, Рос. АН. - Тираж 200 экз.
ГРНТИ: 29.19.31; 47.33.33; 47.33.37
УДК: 537.311.322(063); 621.383(063); 621.3.049.76(063)
Предметные рубрики: Полупроводники
; Оптоэлектроника
; Микроэлектроника
Держатели документа:
|
3.
| Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. (13; 1999).
Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур: ХШ Урал. международ. зим. шк. по физике полупроводников, 15-20 февр. 1999 г. - Екатеринбург. - 1999. - 123 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - В надзаг.: Отд-ние общ. физики и астрономии РАН, Науч. совет РАН по проблеме "Физика полупроводников", Урал. отд-ние РАН и др. . - Тираж 80 экз.
ГРНТИ: 29.19.31; 29.19.29
УДК: 537.311.322:530.145(063); 538.945(063)
Предметные рубрики: Полупроводники
; Сверхпроводники
Держатели документа:
|
4.
| Анатычук Л.И.
Полупроводники в экстремальных температурных условиях
Булат Л.П. - СПб.: Наука. - 2001. - 224 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - ISBN 5-02-024960-2. - Тираж 1500 экз.
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322:536
Предметные рубрики: Полупроводники
Перевод заглавия: Semiconductors in extremal temperature conditions
Аннотация: В книге рассмотрены кинетические явления в полупроводниках при больших градиентах температуры. Изучены механизмы влияния больших градиентов температуры на кинетические явления. Разработаны теоретические методы исследования кинетических явлений при резкой температурной неоднородности в однородных и макроскопически неоднородных структурах. Выявлены и исследованы новые нелинейные и нелокальные кинетические эффекты в условиях больших градиентов температуры. Предложены приборы, использующие такие эффекты
Держатели документа:
|
5.
| Мамедов Т.Н.
Релаксация магнитного момента мелкого акцепторного центра в сильно легированном кремнии
Андрианов Д.Г., Герлах Д. - Препринт. - Дубна. - 2001. - 14 с.: ил. -(Сообщения Объединенного института ядерных исследований; Р14-2001-83). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 310 экз.
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322:548.4(04)
Предметные рубрики: Кремний
Держатели документа:
|
6.
| Саратовский ун-т им.Н.Г.Чернышевского. .
Физика полупроводников и полупроводниковая электроника
Сарат.ун-т им.Н.Г.Чернышевского;Под общ.ред.Б.Н.Климова,А.Н.Михайлова. - Саратов. - 2001. - 187 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - ISBN 5-94409-005-7. - Тираж 200 экз.
ГРНТИ: 29.19.31; 47.33
УДК: 537.311.322; 621.382
Предметные рубрики: Полупроводники
; Полупроводниковые приборы
Держатели документа:
|
7.
| Галяев Н.А.
Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния
Запольский В.Н., Котов В.И. - Протвино . - 1990. - 13 c.: ил. -(Препринт; ИФВЭ 90-147). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 250 экз.
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322:539.16(04)
Предметные рубрики: Кремний
Перевод заглавия: Volume capture of 70 GeV protons with Si bent single crystal into the channeling mode
Аннотация: Экспериментально доказано существование объемного захвата протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутым монокристаллом кремния ориентации (111). Получены данные о вероятности захвата протонов в режим каналирования в зависимости от радиуса изгиба кристалла, а также о динамике деканалирования объемно-захваченных частиц.
Держатели документа:
|
8.
| Искендеров С.О.
Физические свойства пленочных систем Bi Те -Bi Se
Ахмедов Г.М., Абдуллаев Н.М. - Баку. - 1991. - 13 c. -(Препринт; N377). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322:539.216.2(04)
Предметные рубрики: Полупроводниковые пленки
Перевод заглавия: Physical characteristics of Bi'2Te'3 - Bi'2Se'3 film systems.
Аннотация: Методом дискретного испарения в едином технологическом цикле получены пленочные p-n структуры B.T. - B.S. с коэффициентом выпрямления k.10. при U=0,2 В. Изучен механизм токопрохождения через p-n структуры и определен интервал температур доминирующих механизмов. Установлено, что при низких температурах (77-100 К) на начальном участке прямой ветви ВАХ до 50 мВ доминирующим механизмом протекания тока является туннелирование зона-зона. В температурном интервале 100-200 К протекание тока определяется генерационно-рекомбинационным током на границе раздела
Держатели документа:
|
9.
| Исаев А.И.
Некоторые электронные процессы в аморфной системе Se - As
Мехтиев С.И., Султанов Р.Б. - Баку. - 1991. - 22 с. -(Препринт; N378). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322:530.145(04)
Предметные рубрики: Полупроводники аморфные
Перевод заглавия: Some electronic processes in the Se-As amorphous system
Аннотация: Комплексным исследованием электрических и оптических свойств ХСП системы Se-As с примесью галогенов определены параметры локализованных состояний в "запрещенной зоне" указанной системы. Показано, что параметры электронных состояний претерпевают изменения в ХСП системы Se-As как в зависимости от содержания основных элементов, так и от8концентрации примесей галогенов. Наблюдена корреляция между электрическими и оптическими свойствами
Держатели документа:
|
10.
| Дрокин Н.А.
Электрическая неустойчивость тока в области пространственной неоднородности поля в полупроводниках
Ганиев Ш.М. - Красноярск. - 1991. - 41 c.: ил. -(Препринт; N683Ф). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 29.19.31
УДК: 537.311.322:537(04)
Предметные рубрики: Полупроводники
Перевод заглавия: Electric current instability in the region of spatial field inhomogeneity in semiconductors
Аннотация: Описаны нелинейные явления неустойчивости тока, протекающего через область пространственного заряда в полупроводниках. Приведены результаты экспериментальных исследований пространственных и временных распределений электрического потенциала в магнитных полупроводниках CdCr.Se. Установлено, что неустойчивость тока возникает из-за изменения объемного заряда вблизи контакта. На основе зонной модели для магнитных полупроводников обсуждается механизм возникновения неустойчивости.
Держатели документа:
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных