Поисковый запрос: (<.>K=GAAS@<.>) |
Общее количество найденных документов : 202
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1. 
| Самойлюкович В. А.
Исследование внутренних параметров GaAs инжекционных лазеров: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук
В. А. Самойлюкович. - Минск. - 1971. - 17 с. - На рус.яз. - Беларусь
УДК: 621.373.826.038.825.5(043.3)
Предметные рубрики: ЛАЗЕРЫ
; ИССЛЕДОВАНИЯ
; ИНЖЕКЦИОННЫЕ ЛАЗЕРЫ
Держатели документа:
|
2.
| Молочев В. И.
Разработка и создание инжекционных полупроводниковых лазеров с ограниченной областью генерации Р-П перехода на основе GaAs: автореф. дис. ... канд. техн. наук
В. И. Молочев. - М. - 1980. - 22 с. - На рус.яз. - Российская Федерация
УДК: 621.373.826.038.825.5(043.3)
Предметные рубрики: ЛАЗЕРЫ
; ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
; ИНЖЕКЦИОННЫЕ ЛАЗЕРЫ
Держатели документа:
|
3.
| Olego D.J
Photolumineszenz und inelastische Lichtstreuung in hoch-dotiertem GaAs: Diss. - Stuttgart. - 1980. - 199 с. - На англ.яз. - Германия. - Библиогр.: с. 3-11
ГРНТИ: 29.19.27
УДК: 537.311; 535.36
Перевод заглавия: Фотолюминесценция и неупругое рассеяние света в высоколегированном арсениде галлия. Дис
Держатели документа:
|
4.
| Mains R.K
Properties of high efficiency X-band GaAs impatt diodes
Haddad G.I. - Ann Arbon (Mi). - 1981. - 116 с. -(AFWAL techn. rep./US. Air force wright aeronautical lab.; N 81-1066). - На англ.яз. - Соединенные Штаты Америки. - Библиогр.: с.116
ГРНТИ: 47.33.29
УДК: 621.382.2
Перевод заглавия: Свойства высокоэффективного арсенидгаллиевого лавинно-пролетного диода для частот 5,20-10,90 ГГц
Держатели документа:
|
5.
| Gregory P.E
Accelerated aging of GaAs concentrator solar cells
Way G.H -Б.м. - 1981. - 147 с. -(Rep./Sandia lab.; N 81-7112). - На англ.яз. - Библиогр. в конце текста
ГРНТИ: 44.41.31
УДК: 621.362
Перевод заглавия: Ускоренное старение солнечных элементов с концентраторами из арсенида галлия
Держатели документа:
|
6.
| Гейдур С. А.
Исследование пьезооптических свойств GaP и GaAs и разработка на основе этих материалов модуляторов лазерного излучения: автореф. дис. ... канд. техн. наук
С. А. Гейдур. - Л. - 1981. - 19 с. - На рус.яз. - Российская Федерация
ГРНТИ: 05.12.19
УДК: 621.384.362.2(043.3)
Предметные рубрики: МОДУЛЯТОРЫ СВЕТА
; ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
; ФОТОУПРУГОСТЬ
; ЛАЗЕРНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
Держатели документа:
|
7.
| Wilson J.W
A simple model of proton damage in GaAs solar cells
Walker G.H, Outlaw R.A -Б.м. - 1982. - 18 с. -(NASA techn. memorandum; N 84495). - На англ.яз. - Библиогр.: с. 9
ГРНТИ: 44.41.31
УДК: 621.362
Перевод заглавия: Простая модель протонного радиационного повреждения в солнечных элементах из арсенида галлия
Держатели документа:
|
8.
| Anderson C.L
GaAs surface passivation for device applications
Clark M.D. - Wright Patterson Air Force Base (Oh). - 1982. - 68 с. -(AFWAL techn. rep./US. Air force wright aeronautical lab.; N 82-1020). - На англ.яз. - Соединенные Штаты Америки
ГРНТИ: 47.14.07
УДК: 621.382; 621.794; 621.315.5
Перевод заглавия: Пассивирование поверхности арсенида галлия, применяемое в приборостроении
Держатели документа:
|
9.
| Huber E.J
Untersuchung der Lichtemission beim Lawinendurchbruch von GaAs-Schottkydioden: Diss. - Darmstadt. - 1983. - 91 с. - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.: с.85-91
ГРНТИ: 47.33.29
УДК: 621.382.2
Перевод заглавия: Исследование светоэмиссии при лавинном пробое диодов Шоттки из арсенида галлия. Дис
Держатели документа:
|
10.
|
GaAs IC symposium: IEEE gallium arsenide integrated circuit symp.: Techn.digest 1983,Phoenix (Az),Oct.1983. - New York: IEEE. - 1983. - 189 с. - На англ.яз. - Соединенные Штаты Америки
ГРНТИ: 47.13.17
УДК: 621.3.049
Перевод заглавия: Труды симпозиума по интегральным схемам на арсениде галлия.Феникс (Аризона),октябрь 1983
Держатели документа:
|
11.
| Escobosa Echavarria
Mittels metallorganischer Gasphasen-Epitaxie hergestellte nich legierte ohmsche Kontakte auf GaAs und GaAlAs: Diss. - Aachen. - 1983. - 127 с. - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.: с.115-127
ГРНТИ: 45.09
УДК: 621.315.5
Перевод заглавия: Нелигированные омические контакты на основе GaAs и GaAlAs, полученные при помощи металлоорганической газофазной эпитаксии. Дис
Держатели документа:
|
12.
| Roth W
Laserstimulierte Epitaxie von GaAs: Diss. - Aachen. - 1983. - 79 с. - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.: с. 77-79
ГРНТИ: 29.19.27
УДК: 537.311
Перевод заглавия: Стимулируемая лазером эпитаксия GaAs. Дис
Держатели документа:
|
13.
|
Design considerations for a monolithic, GaAs, Dual-Mode, QPSK/QASK, highthrough put rate transceiver
Submitted: Kot R.A. -Б.м. - 1984. - 207 с. -(NASA contractor rep.; CR-173560). - На англ.яз.
УДК: 629.7.05
Перевод заглавия: Соображения по конструированию дуплексного приемопередатчика с высокой пропускной способностью для сигналов четырехпозиционной фазовой/амплитудной манипуляции, реализуемого на базе GaAs в монолитном исполнении
Держатели документа:
|
14.
|
Crystal growth of device quality GaAs in space: Annual rep. 1, Apr. 1983-31 Mar. 1984
Submitted: Gatos H.C; Lagowski J -Б.м. - 1984. - 173 с. -(US. NASA contractor rep.; CR-173749). - На англ.яз. - Библиогр. в конце ст
ГРНТИ: 45.09
УДК: 621.315.5; 629.78
Перевод заглавия: Рост кристаллов арсенида галлия в космосе. Годовой отчет за период с 1 апреля 1983 по 31 марта 1984
Держатели документа:
|
15.
| Abdalla S.
Conductivite complexe de GaAs semi-isolant et de Si compense effet des fluctuations de potentiel: Diss -Б.м. - 1984. - A-M, 211 с. - На англ.яз. - Текст фр., англ. Библиогр.: с.183-191
ГРНТИ: 29.19.27
УДК: 537.311
Перевод заглавия: Комплексная проводимость GaAs-полупроводника и Si, выравнивающая эффект колебания потенциалов. Дис
Держатели документа:
|
16.
|
Crystal growth of device quality GaAs in space: Annual rep. 1, Apr. 1983-31 Mar. 1984
Submitted: Gatos H.C; Lagowski J -Б.м. - 1984. - 173 с. -(US. NASA contractor rep.; CR-173749). - На англ.яз. - Библиогр. в конце ст
ГРНТИ: 45.09
УДК: 621.315.5; 629.78
Перевод заглавия: Рост кристаллов арсенида галлия в космосе. Годовой отчет за период с 1 апреля 1983 по 31 марта 1984
Держатели документа:
|
17.
|
Lec GaAs for integrated circuit applications
Kirkpatrick C.G; Chen R.T; Holmes D.E.e.a. -Б.м. - 1984. - 131 с. -(US. NASA contractor rep.; N 173267). - На англ.яз.
ГРНТИ: 47.13.17
УДК: 621.3.049
Перевод заглавия: Слаболегированный в эмиттерной области арсенид галлия для применения в интегральных схемах
Держатели документа:
|
18.
| Jung H.K
Strahlende Rekombination in GaAs Dotierungsubergittern und Alx Ga...As-GaAs Quantum-Well-Heterostrukturen: Diss. - Stuttgart. - 1984. - 174 с. - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.: с. 166-171
ГРНТИ: 45.09
УДК: 621.315.5
Перевод заглавия: Излучательная рекомбинация в легированных сверхструктурах GaAs и в квантовых гетероструктурах Alx Ga...As-GaAs. Дис
Держатели документа:
|
19.
| Su L.M
GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits: Diss. - Aachen. - 1984. - 128 с. - На англ.яз. - Германия. - Библиогр.: с.122-126
ГРНТИ: 47.33.29
УДК: 621.382.3; 621.3.049
Перевод заглавия: Биполярные гетеротранзисторы на GaAs-GaAlAs и связанные с ними интегральные схемы. Дис
Держатели документа:
|
20.
| Putz N
Zum Wachstum von GaAs aus metall-organischen Ga-Verbindungen und Arsin: Diss. - Aachen. - 1985. - 98 с. - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.: с.93-98
ГРНТИ: 45.09
УДК: 621.315.5
Перевод заглавия: К вопросу о росте GaAs из металлоорганических Ga-соединений и арсинов. Дис
Держатели документа:
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных