Поисковый запрос: (<.>K=GAAS@<.>) |
Общее количество найденных документов : 202
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Kulik M. Creation of oxygen-enriched layers at the surface of GaAs single crystal. - 1999
|
2.
| Сачков В.А. Фононы в структурах на основе GaAs и AlAs: численное моделирование и эксперимент. - 2000
|
3.
| Kusano S. Study on sublattice reversal in a GaAs/Ge/GaAs(001) crystal by X-ray standing waves/By Kusano S., Nakatani S., Takahashi T. et al. - 2003
|
4.
| Kubon M. Photolumineszenzmessungen an MBE-AlGaAs/GaAs-Halbleiterschichtsystemen zur Optimierung der Wachstumsparameter/Institut Schichund Ionentechnik. - 1991
|
5.
| Reimand I. Picosecond dynamics of optical excitations in GaAs and other excitonic systems. - 2000
|
6.
| Cole B.E. Effective mass anisotropy and many body effects in 2D GaAs/(Ga,Al)As hole gases observed in very high magnetic fields. - 1995
|
7.
| Goller K.-W. Aufbau einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage und Untersuchung des orientierten Schichtwachstums von GaAs- und AlGaAs-Verbindungshalbleiterkristallen. - 1990
|
8.
| Bwlyaev A.E. Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices/Inst.of semiconductor physics of the Nat.acad.of sciences of Ukraine;Slovak univ.of technology. - 1998
|
9.
| Болдырев Е.М. Математическая модель транспорта носителей зарядов в арсенидгаллиевом (GaAs) детекторе. - 2003
|
10.
| Kim H. Electronic and structural properties of the As vacancy on the (110) surface of GaAs. - 2000
|
11.
| Миттова И.Я. Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs/И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков. - 2008
|
12.
| Конников С.Г. Процессы образования и особенности структуры метастабильных твердых растворов (Ge2)х(GaAs)1-х, полученных методом пиролитического синтеза/С. Г. Конников, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев. - 1988
|
13.
| Джафаров Влияние диффузии меди на электрические и фотоэлектрические свойства CuGaSe'2-GaAs и CuZnSe'2-GaAs гетероструктур/Т. Д. Джафаров, М. С. Садыгов, С. Ф. Гафаров. - 1989
|
14.
| Болховитянов Переходные слои в гетероструктурах, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии: AlGaAs/GaAs и InGaAsP/GaAs. - 1989
|
15.
| Гущина Расчет в рамках метода сильной связи разрывов зон в гетеросистемах Al'xGa'1-xAs/GaAs(AlAs). - 1989
|
16.
| Белый Электронные состояния на GaAs. - 1989
|
17.
| Адилов М.К. Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках GaP и GaAs
|
18.
| Джафаров CuGaSe&2-GaAs-гетеропереходы/Джафаров Т. Д., Гафаров С. Ф., Цыганова Т. В.. - 1987
|
19.
| Меликян Р.А. Эмиссия фотовозбужденных поляризованных электронов в пьезоэлектрическом поле GaAs. - 1986
|
20.
| Достов В.Л. Осаждение буферных слоев в системе GaAs-AsCl'3-H'2 на полуизолирующих подложках арсенида галлия. - 1988
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных