АР92-010965 Рубаха, Е. А. Физика отказов и обеспечение надежности мощных биополярных транзисторов ВЧ и СВЧ диапазона в режимах эксплуатации [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Е. А. Рубаха. - М., 1992. - 72 с. : ил В надзаг.: НИИ "Пульсар". Библиогр.: с. 63-70(81 назв.).
Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
АР93-03391 Булгаков, О. М. Электромагнитные взаимодействия во входных цепях мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов и их энергетические и частотные характеристики [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / О. М. Булгаков. - Воронеж, 1993. - 18 с. : ил В надзаг.: Воронеж.гос.ун-т им.Ленинского комсомола. Библиогр.: с.15-18(27назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
АР94-0437 Селезнев, Б. И. Формирование ионно-легированных и тонкопленочных структур для СВЧ транзисторов и микросхем [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Б. И. Селезнев. - СПб, 1994. - 32 с. В надзаг.:С.-Петербург.гос.электротехн.ун-т им.В.И.Ульянова (Ленина).Библиогр.:с.2732(46 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
АР94-0544 Гуков, П. О. Электродинамические эффекты в мощных СВЧ биполярных и МДП-транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / П. О. Гуков. - Воронеж, 1994. - 17 с. : ил В надзаг.:Воронеж.гос.ун-т.Библиогр.:с.15-17(17 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
АР00-сф95 Асессоров, В. В. Физико-технологические основы создания мощных биполярных кремниевых транзисторов различного назначения в диапазоне частот 100-1000 МГц [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.01 / В. В. Асессоров. - Воронеж, 1999. - 35 с. : ил. Библиогр.:с. 32-35(58 назв.)
Экземпляры всего 1: сф (1) Свободны: сф (1) |
Ар03-8570 Клецов, А. А. Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03 / А. А. Клецов. - Саратов, 2003. - 15 с. : ил. Библиогр.: с. 15 (6 назв.).
Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар06-5249 Хребтов, И. В. Моделирование и оптимизация характеристик субмикронных одно- и двухканальных НЕМТ транзисторов и усилителей СВЧ на их основе [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / И. В. Хребтов. - Воронеж, 2005. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16(13 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар06-9364 Семейкин, И. В. Влияние конструктивных особенностей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП транзисторов на входной импеданс и коэффициент усиления мощности [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / И. В. Семейкин. - Воронеж, 2006. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16(15 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар11-4817 Ткачев, А. Ю. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. Ю. Ткачев. - Воронеж, 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (26 назв.)
Кл.слова (ненормированные): моп-транзисторы свч -- численное моделирование -- электрические параметры -- конструктивно-технологические факторы Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-4486 Климов, Е. А. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием [Текст] : автореф. дис. ... кнд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Е. А. Климов. - М., 2012. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18 (12 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- наногетероструктуры -- оптимизация -- малошумящие усилители свч -- электрофизические характеристики Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-14056 Калинин, Б. В. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al, Ga)N/GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Б. В. Калинин. - СПб., 2012. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-17 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- гетероструктуры -- высокая подвижность электронов -- свч-усилители мощности Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-7639 Пушкарев, С. С. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных немт наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. С. Пушкарев. - М., 2013. - 26 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-26
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- наногетероструктуры -- электрофизические свойства -- структура Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-8834 Курмачев, В. А. Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / В. А. Курмачев. - М., 2013. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-20 (17 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар15-4343 Лукашин, В. М. Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT-транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / В. М. Лукашин. - Фрязино, 2015. - 26 с. - Библиогр.: с. 22-26. - 50 экз.
Кл.слова (ненормированные): полевые свч транзисторы -- (DA)-DpHEMT гетероструктуры -- омические контакты -- локализующие барьеры Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |