Ар12-4486 Климов, Е. А. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием [Текст] : автореф. дис. ... кнд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Е. А. Климов. - М., 2012. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18 (12 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- наногетероструктуры -- оптимизация -- малошумящие усилители свч -- электрофизические характеристики Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-7074 Ерофеев, Е. В. Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / Е. В. Ерофеев. - Томск, 2012. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-24 (33 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- технология изготовления -- физические основы -- исследование параметров Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-14056 Калинин, Б. В. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al, Ga)N/GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Б. В. Калинин. - СПб., 2012. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-17 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- гетероструктуры -- высокая подвижность электронов -- свч-усилители мощности Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-7639 Пушкарев, С. С. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных немт наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. С. Пушкарев. - М., 2013. - 26 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-26
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- наногетероструктуры -- электрофизические свойства -- структура Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-8834 Курмачев, В. А. Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / В. А. Курмачев. - М., 2013. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-20 (17 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар14-3644 Мартынов, Я. Б. Разработка методов моделирования и исследование лавинно-инжекционной неустойчивости в мощных полевых транзисторах СВЧ диапазона с целью повышения их выходной мощности [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Я. Б. Мартынов. - Фрязино, 2014. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-23. - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- моделирование Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар14-10184 Зайцев, А. А. Исследование и разработка методов формирования устройств наноэлектроники с применением технологии наноимпринт-литографии [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Зайцев. - М., 2014. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22 (13 назв.). - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- наноимпринт-литография Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |