АР09-10879 Ладугин, М. А. Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/ALGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0,9 мкм [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.03 / М. А. Ладугин. - М., 2009. - 22. с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22
Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- галлий арсенид -- эпитаксия -- расчетные исследования -- экспериментально-технологические исследования -- многослойные гетероструктуры -- оптимальная геометрия -- излучающие секции -- легирование -- туннельный переход -- мощность -- яркость излучения Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар11-14075 Емельянов, В. М. Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных А3В5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения [Текст] : автореф. дис. ... епгд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Емельянов. - СПб., 2011. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-23
Кл.слова (ненормированные): солнечные батареи -- многослойные гетероструктуры -- наноразмерные слои -- моделирование -- коэффициент полезного действия -- радиационная стойкость -- фотопреобразователи -- оптимизация -- наземное применение -- космическое применение Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар11-19952 Блошкин, А. А. Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/SI с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.01.10 / А. А. Блошкин. - Новосибирск, 2011. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-15 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): многослойные гетероструктуры -- электронные структуры -- квантовые точки -- экспериментальные методы -- математическое моделирование Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |