Ар10-24560 Мифтахутдинов, Д. Р. Катастрофическая оптическая деградация в мощных поперечно-одномодовых полупроводниковых лазерах [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Д. Р. Мифтахутдинов. - М., 2010. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 23 (4 назв.)
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- катастрофическая оптическая деградация -- численное моделирование -- критическая мощность -- динамика разогрева -- программное обеспечение Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар10-27415 Цыпленков, В. В. Релаксация рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров V группы в кремнии при излучении фононов [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / В. В. Цыпленков. - Н.Новгород, 2010. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 12-17
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- кремний -- мелкие доноры -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- висмут -- время жизни -- неравновесные состояния Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар11-9160 Свиридов, Д. Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. Е. Свиридов. - М., 2011. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-17
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- гетероструктуры -- методы исследования -- атомно-силовая микроскопия -- сканирующая микроскопия сопротивления растекания Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар11-12546 Ковш, А. Р. Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. Р. Ковш. - СПб., 2011. - 38 с. : ил. - Библиогр.: с. 32-38
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- квантовые точки -- компрессия оптического усиления -- насыщенное усиление -- модулированное легирование -- сверхширокие спектры усиления -- шум интенсивности продольных мод Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар11-15722 Кукушкин, В. А. Разработка методов усиления, генерации и управления инфракрасным и терагерцовым излучением на основе нелинейных и резонансных эффектов в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.03, 05.27.01 / В. А. Кукушкин. - Н.Новгород, 2011. - 38 с. : ил. - Библиогр.: с. 32-38
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- полупроводниковые наногетероструктуры -- квантовые ямы -- квантовые точки -- волноведущие структуры -- аналитическое исследование -- численные расчеты Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар11-16937 Козырев, А. А. Разработка покрытий для защиты полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Козырев. - Саратов, 2011. - 19 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-19 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- оптические системы -- защитные покрытия -- полимеры -- неорганические материалы Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар11-23952 Надточий, А. М. Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучаемых лазеров с вертикальным микрорезонатором [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. М. Надточий. - СПб., 2011. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 16-18
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- оптимизация -- эффективность -- быстродействие Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-3051 Шахмин, А. А. Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. А. Шахмин. - СПб., 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 В надзаг.: Физко-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- эпитаксиальные пленки -- гетероструктуры -- методы исследования -- катодолюминесцентные свойства Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-8935 Деменев, А. А. Кинетика стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в планарных полупроводниковых микрорезонаторах [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Деменев. - Черноголовка, 2012. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-20
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- накачка -- оптические резонаторы Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-12615 Шашкин, И. С. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации [Текст] : автореф. дис. ... канд. фз.-мат. наук : 01.04.10 / И. С. Шашкин. - СПб., 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- оптическая мощность Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-18138 Дьячков, Н. В. Параметры Стокса излучения мощных поперечно-одномодовых квантоворазмерных InGaAs/AlGaAs-гетеролазеров [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Н. В. Дьячков. - М., 2012. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 23 (4 назв.) В надзаг.: Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева Рос. акад. наук
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- лазерное излучение -- параметры -- измерение Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар12-21375 Новодворский, О. А. Импульсное лазерное напыление тонких пленок и наноразмерных структур для активных сред лазеров [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.03 / О. А. Новодворский. - Шатура, 2012. - 39 с. : ил. - Библиогр.: с. 34-39
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- тонкие пленки -- тонкопленочные структуры -- напыление Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-5132 Винниченко, М. Я. Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. Я. Винниченко. - СПб., 2013. - 17 с. - Библиогр.: с. 13-17
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- средний инфракрасный диапазон спектра Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-2911 Григас, С. Э. Инжекционные лазеры с вертикальным резонатором с контролируемой поляризацией излучения [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / С. Э. Григас. - М., 2013. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 18 (15 назв.)
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- вертикальные резонаторы -- поляризация излучения -- контроль Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-3269 Рябочкина, П. А. Интенсификация сверхчувствительных переходов редкоземельных ионов в оксидных лазерных кристаллах [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / П. А. Рябочкина. - Саранск, 2012. - 37 с. : ил. - Библиогр.: с. 30-37
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- оксидные лазерные кристаллы Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-6916 Деребезов, И. А. Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. А. Деребезов. - Новосибирск, 2013. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-17
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- вертикальные резонаторы Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-8353 Барановский, М. В. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. В. Барановский. - СПб., 2013. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 16-17 (15 назв.)
Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- лазеры полупроводниковые -- гетероструктуры -- методы исследования Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-10147 Коренев, В. В. Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. В. Коренев. - СПб., 2013. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 16-17
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- спектральные характеристики -- оптимизация -- двухуровневая генерация Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-13015 Зубов, Ф. И. Влияние возбужденных и волноводных энергетических состояний на характеристики лазеров с квантоворазмерной активной областью [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ф. И. Зубов. - СПб., 2013. - 15 с. : ил. - Библиогр.: с. 13-15
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- оптимизация характеристик Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ар13-16802 Яроцкая, И. В. Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели ( лямбда = 808 НМ) на их основе [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.03 / И. В. Яроцкая. - М., 2013. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-22
Кл.слова (ненормированные): лазеры полупроводниковые -- полупроводниковые гетероструктуры Экземпляры всего 1: ХР (1) Свободны: ХР (1) |