Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9.002:658.562(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4 |
>1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР91-6719
Соловьев, В. А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев. - Л., 1991. - 20 с В надзаг.: АН СССР,Физ-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 18-20(20назв.).
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР91-10719
Чистяков, В. М. Математическое моделирование в диагностике полупроводниковых гетероструктур [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. М. Чистяков. - Л, 1991. - 27 с В надзаг.: АН СССР,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 22-27(27 назв.).
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР91-02080
Мингазов, В. К. Промышленные методы контроля электрофизических параметров тонких эпитаксиальных структур арсенида галлия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / В. К. Мингазов. - М., 1990. - 19 с. В надзаг. : Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.:с. 18-19(8 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР90-06587
Ярцев, М. А. Контроль электрофизических параметров эпитаксиальных структур на основе кремния и гетеросистемы ZnSe-GaAs [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.07 / М. А. Ярцев. - Ижевск, 1990. - 22 с. В надзаг. : АН СССР. Физ.-техн. ин-т. Урал. отд-ние. Библиогр.:с. 19-22(19 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|