Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=транзисторы<.>)
Общее количество найденных документов : 46
Показаны документы с 1 по 30
 1-30    31-46 
1.
АР97-3573

    Харитонов, А. Б.
    Селективные свойства сенсоров на основе фосфорилсодержащих ионофоров по отношению к щелочноземельным металлам. Ионселективные полевые транзисторы на барий, кальций и литий [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.02 / А. Б. Харитонов. - М., 1997. - 17 с. : ил.
Библиогр.:с. 16-17

ГРНТИ
УДК


Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
2.
АР98-4685

    Абрамова, Н. Ю.
    Ионоселективные полевые транзисторы (ИСПТ) с мембранами на основе фотополимеризуемых полиакрилатов, чувствительные к ионам калия и аммония [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.02 / Н. Ю. Абрамова. - СПб, 1998. - 17 с. : ил.
В надзаг. :С.-Петерб. гос. ун-т. Библиогр.:с. 17(6 назв.)

ГРНТИ
УДК


Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
3.
Ар03-8570

    Клецов, А. А.
    Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03 / А. А. Клецов. - Саратов, 2003. - 15 с. : ил.
Библиогр.: с. 15 (6 назв.).

ГРНТИ
УДК


Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
4.
Ар10-99

    Коровченко, И. С.
    Эффекты воздействия сверхкоротких импульсов на полевые транзисторы с затвором Шоттки и малошумящие усилители на их основе [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / И. С. Коровченко. - Воронеж, 2009. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 13-16 (24 назв.)

ГРНТИ
УДК


Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
5.
Ар10-27277

    Дунаева, М. А.
    Исследование и разработка усилителей считывания с повышенной устойчивостью к технологическому разбросу параметров транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.05 / М. А. Дунаева. - М., 2010. - 30 с. : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (10 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
запоминающие устройства оперативные -- процессоры -- большие интегральные схемы -- усилители считывания -- усилители напряжения -- транзисторы -- разброс параметров -- геометрические размеры -- метод компенсации -- компаратор напряжений

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
6.
АР09-10821

    Смолянкина, О. Ю.
    Исследование транспорта электронов через сверхпроводящую наночастицу [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. Ю. Смолянкина. - Омск, 2009. - 21 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-21

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
низкоразмерные системы -- сверхпроводящие свойства -- туннельные токи -- одноэлектронные транзисторы -- куперовские пары

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
7.
Ар09-10919

    Калинин, М. В.
    Полупроводниково-резисторная система ослабления возбуждения тяговых двигателей электровозов переменного тока [Текст] : автореф. дис. ... канд. ехн. наук : 05.22.07 / М. В. Калинин. - СПб., 2009. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
электровозы -- тяговые двигатели -- возбуждение -- система ослабления -- элементная база -- однооперационный тиристор -- MOSFET транзисторы

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
8.
Ар11-4817

    Ткачев, А. Ю.
    Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. Ю. Ткачев. - Воронеж, 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (26 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
моп-транзисторы свч -- численное моделирование -- электрические параметры -- конструктивно-технологические факторы

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
9.
Ар11-12122

    Речкунов, С. Н.
    Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объемного заряда арсенида галлия [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Н. Речкунов. - Новосибирск, 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 22 (16 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые тонкопленочные структуры -- арсенид галлия -- неравновесные зарядовые процессы -- границы раздела пленка-подложка -- характеристики приборов -- интегральные схемы -- полевые транзисторы -- качество -- неразрушающая экспресс-диагностика

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
10.
Ар11-12690

    Разуваев, Ю. Ю.
    Воздействие сверхкоротких импульсных перегрузок на полевые транзисторы и цифровые схемы [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / Ю. Ю. Разуваев. - Воронеж, 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (14 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
полевые транзисторы -- цифровые схемы -- электромагнитная совместимость -- сверхкороткие импульсные электрические перегрузки -- радиосвязь -- сверхширокополосные сигналы -- полупроводниковые структуры -- деградация характеристик -- потеря информации

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
11.
Ар11-12837

    Мазеев, Е. В.
    Моделирование электрических характеристик СВЧ-генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Е. В. Мазеев. - Саратов, 2011. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-20 (14 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
генераторы свч -- биполярные транзисторы -- электрические характеристики -- моделирование -- фиксированная частота -- перестройка частоты

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
12.
Ар11-14358

    Ющенко, А. Ю.
    Разработка и исследование элементной базы на гетероструктурах на основе соединений А3В5 для СВЧ-модулей [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. Ю. Ющенко. - Томск, 2011. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-24

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
монолитные интегральные схемы СВЧ -- арсенидгаллиевые гетероструктурные pin-диоды -- транзисторы с высокой подвижностью электронов

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
13.
Ар11-15283

    Гудкова, О. Н.
    Методы логико-временного анализа цифровых СБИС с учетом деградации порогового напряжения транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.12 / О. Н. Гудкова. - М., 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (14 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
интегральные схемы цифровые -- быстродействие -- логико-временной анализ -- методы -- алгоритмы -- транзисторы -- деградация порогового напряжения

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
14.
Ар11-16692

    Рябоконь, А. В.
    Разработка методов и устройств защиты мощных широкополосных передатчиков систем радиосвязи и радиовещания от рассогласования с нагрузкой [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.13 / А. В. Рябоконь. - Владимир, 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 22 (11 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
широкополосные радиопередатчики СВЧ -- рассогласование с нагрузкой -- транзисторы -- усилители мощности -- защита

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
15.
Ар11-22228

    Пузанов, А. С.
    Перенос электронов в транзитных структурах в сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока квантов высоких энергий [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / А. С. Пузанов. - Н.Новгород, 2011. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-18

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- ионизирующие излучения -- радиационная стойкость

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
16.
Ар12-1787

    Удалов, В. Н.
    Высокочастотные коммутационные устройства с повышенным быстродействием [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.04, 05.12.07 / В. Н. Удалов. - М., 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (16 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
коммутационные устройства -- быстродействие -- высокочастотные сигналы -- полупроводниковые диоды -- полевые транзисторы

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
17.
Ар12-3164

    Букашев, Ф. И.
    Разработка и исследование управляемых выпрямителей на основе биполярных статических индукционных транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наукъ : 05.27.01 / Ф. И. Букашев. - Великий Новгород, 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-21 (13 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
низковольтные управляемые выпрямители -- биполярные статические индукционные транзисторы -- низковольтные источники вторичного электропитания

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
18.
Ар12-4486

    Климов, Е. А.
    Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием [Текст] : автореф. дис. ... кнд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Е. А. Климов. - М., 2012. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18 (12 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы свч -- наногетероструктуры -- оптимизация -- малошумящие усилители свч -- электрофизические характеристики

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
19.
Ар12-6016

    Травкин, В. В.
    Молекулярное допирование тонкопленочных структур на основе фталоцианинов для устройств органической электроники [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / В. В. Травкин. - Н. Новгород, 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 22 (8 назв.).

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
солнечные батареи -- производство -- тонкопленочные полевые транзисторы

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
20.
Ар12-6025

    Соломатова, А. А.
    Ключевой элемент квазирезонансного преобразователя напряжения на основе МДП-транзистора [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.12 / А. А. Соломатова. - Красноярск, 2012. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-24.

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
преобразователи напряжения полупроводниковые -- энергетическая эффективность -- мдп-транзисторы -- диоды шоттки

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
21.
Ар12-7074

    Ерофеев, Е. В.
    Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / Е. В. Ерофеев. - Томск, 2012. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-24 (33 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы свч -- технология изготовления -- физические основы -- исследование параметров

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
22.
Ар12-13587

    Михайлов, А. А.
    Формирование наноразмерных покрытий на основе оксидов олова и сурьмы из пероксидсодержащих прекурсоров [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.01 / А. А. Михайлов. - М., 2012. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-23 (10 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые свойства -- солнечные батареи -- жидкокристаллические дисплеи -- транзисторы

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
23.
Ар12-14056

    Калинин, Б. В.
    Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al, Ga)N/GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Б. В. Калинин. - СПб., 2012. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-17 (10 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы свч -- гетероструктуры -- высокая подвижность электронов -- свч-усилители мощности

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
24.
Ар12-16067

    Бородкин, И. И.
    Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / И. И. Бородкин. - Воронеж, 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (10 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
моп-транзисторы свч -- производство -- технологические процессы -- оптимизация

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
25.
Ар12-15933

    Краснов, А. А.
    Зависимости электрических параметров нано-МОП транзисторов со структурой КНИ от конструктивных и технологических факторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Краснов. - Воронеж, 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
моп-транзисторы -- нанотехнологии -- электрические параметры

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
26.
Ар12-19283

    Тихонов, Е. В.
    Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Е. В. Тихонов. - М., 2012. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19 (10 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
металлфталоцианины -- молекулы -- молекулярная электроника -- транзисторы -- солнечные батареи

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
27.
Ар12-23028

    Целыковский, А. А.
    Диффузионно-дрейфовая модель графенового полевого транзистора для использования в системах автоматизированного проектирования [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Целыковский. - М., 2012. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22 (24 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
графеновые полевые транзисторы -- моделирование

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
28.
АР11-30951

    Мошкунов, С. И.
    Разработка, создание и исследование генераторов высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / С. И. Мошкунов. - СПб., 2011. - 36 с. : ил. - Библиогр.: с. 32-36 (39 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
генераторы импульсные высокого напряжения -- биполярные транзисторы

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
29.
Ар13-5808

    Юзеева, Н. А.
    Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 меньше х 0,6) на подложках GaAs и InP [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Н. А. Юзеева. - М., 2013. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы полевые -- гетероструктуры -- электронные свойства

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
30.
Ар13-7639

    Пушкарев, С. С.
    Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных немт наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. С. Пушкарев. - М., 2013. - 26 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-26

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы свч -- наногетероструктуры -- электрофизические свойства -- структура

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
 1-30    31-46 

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)