Поисковый запрос: (<.>K=транзисторы<.>) |
Общее количество найденных документов : 46
Показаны документы с 1 по 30 |
|
>1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР97-3573
Харитонов, А. Б. Селективные свойства сенсоров на основе фосфорилсодержащих ионофоров по отношению к щелочноземельным металлам. Ионселективные полевые транзисторы на барий, кальций и литий [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.02 / А. Б. Харитонов. - М., 1997. - 17 с. : ил. Библиогр.:с. 16-17
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР98-4685
Абрамова, Н. Ю. Ионоселективные полевые транзисторы (ИСПТ) с мембранами на основе фотополимеризуемых полиакрилатов, чувствительные к ионам калия и аммония [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.02 / Н. Ю. Абрамова. - СПб, 1998. - 17 с. : ил. В надзаг. :С.-Петерб. гос. ун-т. Библиогр.:с. 17(6 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар03-8570
Клецов, А. А. Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03 / А. А. Клецов. - Саратов, 2003. - 15 с. : ил. Библиогр.: с. 15 (6 назв.).
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар10-99
Коровченко, И. С. Эффекты воздействия сверхкоротких импульсов на полевые транзисторы с затвором Шоттки и малошумящие усилители на их основе [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / И. С. Коровченко. - Воронеж, 2009. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 13-16 (24 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар10-27277
Дунаева, М. А. Исследование и разработка усилителей считывания с повышенной устойчивостью к технологическому разбросу параметров транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.05 / М. А. Дунаева. - М., 2010. - 30 с. : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): запоминающие устройства оперативные -- процессоры -- большие интегральные схемы -- усилители считывания -- усилители напряжения -- транзисторы -- разброс параметров -- геометрические размеры -- метод компенсации -- компаратор напряжений
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР09-10821
Смолянкина, О. Ю. Исследование транспорта электронов через сверхпроводящую наночастицу [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. Ю. Смолянкина. - Омск, 2009. - 21 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-21
Кл.слова (ненормированные): низкоразмерные системы -- сверхпроводящие свойства -- туннельные токи -- одноэлектронные транзисторы -- куперовские пары
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар09-10919
Калинин, М. В. Полупроводниково-резисторная система ослабления возбуждения тяговых двигателей электровозов переменного тока [Текст] : автореф. дис. ... канд. ехн. наук : 05.22.07 / М. В. Калинин. - СПб., 2009. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.)
Кл.слова (ненормированные): электровозы -- тяговые двигатели -- возбуждение -- система ослабления -- элементная база -- однооперационный тиристор -- MOSFET транзисторы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-4817
Ткачев, А. Ю. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. Ю. Ткачев. - Воронеж, 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (26 назв.)
Кл.слова (ненормированные): моп-транзисторы свч -- численное моделирование -- электрические параметры -- конструктивно-технологические факторы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-12122
Речкунов, С. Н. Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объемного заряда арсенида галлия [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Н. Речкунов. - Новосибирск, 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 22 (16 назв.)
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые тонкопленочные структуры -- арсенид галлия -- неравновесные зарядовые процессы -- границы раздела пленка-подложка -- характеристики приборов -- интегральные схемы -- полевые транзисторы -- качество -- неразрушающая экспресс-диагностика
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-12690
Разуваев, Ю. Ю. Воздействие сверхкоротких импульсных перегрузок на полевые транзисторы и цифровые схемы [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / Ю. Ю. Разуваев. - Воронеж, 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (14 назв.)
Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- цифровые схемы -- электромагнитная совместимость -- сверхкороткие импульсные электрические перегрузки -- радиосвязь -- сверхширокополосные сигналы -- полупроводниковые структуры -- деградация характеристик -- потеря информации
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>11. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-12837
Мазеев, Е. В. Моделирование электрических характеристик СВЧ-генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Е. В. Мазеев. - Саратов, 2011. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-20 (14 назв.)
Кл.слова (ненормированные): генераторы свч -- биполярные транзисторы -- электрические характеристики -- моделирование -- фиксированная частота -- перестройка частоты
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>12. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-14358
Ющенко, А. Ю. Разработка и исследование элементной базы на гетероструктурах на основе соединений А3В5 для СВЧ-модулей [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. Ю. Ющенко. - Томск, 2011. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-24
Кл.слова (ненормированные): монолитные интегральные схемы СВЧ -- арсенидгаллиевые гетероструктурные pin-диоды -- транзисторы с высокой подвижностью электронов
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>13. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-15283
Гудкова, О. Н. Методы логико-временного анализа цифровых СБИС с учетом деградации порогового напряжения транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.12 / О. Н. Гудкова. - М., 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (14 назв.)
Кл.слова (ненормированные): интегральные схемы цифровые -- быстродействие -- логико-временной анализ -- методы -- алгоритмы -- транзисторы -- деградация порогового напряжения
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>14. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-16692
Рябоконь, А. В. Разработка методов и устройств защиты мощных широкополосных передатчиков систем радиосвязи и радиовещания от рассогласования с нагрузкой [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.13 / А. В. Рябоконь. - Владимир, 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 22 (11 назв.)
Кл.слова (ненормированные): широкополосные радиопередатчики СВЧ -- рассогласование с нагрузкой -- транзисторы -- усилители мощности -- защита
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>15. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар11-22228
Пузанов, А. С. Перенос электронов в транзитных структурах в сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока квантов высоких энергий [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / А. С. Пузанов. - Н.Новгород, 2011. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-18
Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- ионизирующие излучения -- радиационная стойкость
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>16. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-1787
Удалов, В. Н. Высокочастотные коммутационные устройства с повышенным быстродействием [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.12.04, 05.12.07 / В. Н. Удалов. - М., 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (16 назв.)
Кл.слова (ненормированные): коммутационные устройства -- быстродействие -- высокочастотные сигналы -- полупроводниковые диоды -- полевые транзисторы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>17. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-3164
Букашев, Ф. И. Разработка и исследование управляемых выпрямителей на основе биполярных статических индукционных транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наукъ : 05.27.01 / Ф. И. Букашев. - Великий Новгород, 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-21 (13 назв.)
Кл.слова (ненормированные): низковольтные управляемые выпрямители -- биполярные статические индукционные транзисторы -- низковольтные источники вторичного электропитания
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>18. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-4486
Климов, Е. А. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием [Текст] : автореф. дис. ... кнд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Е. А. Климов. - М., 2012. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18 (12 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- наногетероструктуры -- оптимизация -- малошумящие усилители свч -- электрофизические характеристики
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>19. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-6016
Травкин, В. В. Молекулярное допирование тонкопленочных структур на основе фталоцианинов для устройств органической электроники [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / В. В. Травкин. - Н. Новгород, 2011. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 22 (8 назв.).
Кл.слова (ненормированные): солнечные батареи -- производство -- тонкопленочные полевые транзисторы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>20. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-6025
Соломатова, А. А. Ключевой элемент квазирезонансного преобразователя напряжения на основе МДП-транзистора [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.12 / А. А. Соломатова. - Красноярск, 2012. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-24.
Кл.слова (ненормированные): преобразователи напряжения полупроводниковые -- энергетическая эффективность -- мдп-транзисторы -- диоды шоттки
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>21. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-7074
Ерофеев, Е. В. Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / Е. В. Ерофеев. - Томск, 2012. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-24 (33 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- технология изготовления -- физические основы -- исследование параметров
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>22. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-13587
Михайлов, А. А. Формирование наноразмерных покрытий на основе оксидов олова и сурьмы из пероксидсодержащих прекурсоров [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.01 / А. А. Михайлов. - М., 2012. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-23 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые свойства -- солнечные батареи -- жидкокристаллические дисплеи -- транзисторы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>23. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-14056
Калинин, Б. В. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al, Ga)N/GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Б. В. Калинин. - СПб., 2012. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-17 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- гетероструктуры -- высокая подвижность электронов -- свч-усилители мощности
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>24. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-16067
Бородкин, И. И. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / И. И. Бородкин. - Воронеж, 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): моп-транзисторы свч -- производство -- технологические процессы -- оптимизация
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>25. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-15933
Краснов, А. А. Зависимости электрических параметров нано-МОП транзисторов со структурой КНИ от конструктивных и технологических факторов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Краснов. - Воронеж, 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.)
Кл.слова (ненормированные): моп-транзисторы -- нанотехнологии -- электрические параметры
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>26. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-19283
Тихонов, Е. В. Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Е. В. Тихонов. - М., 2012. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19 (10 назв.)
Кл.слова (ненормированные): металлфталоцианины -- молекулы -- молекулярная электроника -- транзисторы -- солнечные батареи
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>27. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар12-23028
Целыковский, А. А. Диффузионно-дрейфовая модель графенового полевого транзистора для использования в системах автоматизированного проектирования [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Целыковский. - М., 2012. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22 (24 назв.)
Кл.слова (ненормированные): графеновые полевые транзисторы -- моделирование
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>28. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР11-30951
Мошкунов, С. И. Разработка, создание и исследование генераторов высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / С. И. Мошкунов. - СПб., 2011. - 36 с. : ил. - Библиогр.: с. 32-36 (39 назв.)
Кл.слова (ненормированные): генераторы импульсные высокого напряжения -- биполярные транзисторы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>29. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар13-5808
Юзеева, Н. А. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 меньше х 0,6) на подложках GaAs и InP [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Н. А. Юзеева. - М., 2013. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22
Кл.слова (ненормированные): транзисторы полевые -- гетероструктуры -- электронные свойства
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>30. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| Ар13-7639
Пушкарев, С. С. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных немт наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. С. Пушкарев. - М., 2013. - 26 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-26
Кл.слова (ненормированные): транзисторы свч -- наногетероструктуры -- электрофизические свойства -- структура
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|
|