Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.9-047.84(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 17 |
1. 
| Ар10-21058
Беспалов, А. В.
Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / А. В. Беспалов. - М., 2010. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18 (14 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
2.
| Ар10-21222
Арбенин, Д. Е.
Совершенствование технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии на основе программного комплекса [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.113.01 / Д. Е. Арбенин. - М., 2010. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 23 (12 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
3.
| Ар10-22414
Кузубов, С. В.
Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Кузубов. - Воронеж, 2010. - 16 с. : ил. - 14-16 (21 назв.)Библиогр.: с.
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
4.
| Ар10-24500
Милешко, Л. П.
Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.01 / Л. П. Милешко. - Таганрог, 2010. - 47 с. : ил. - Библиогр.: с. 41-47 (57 назв.)
Кл.слова (ненормированные):
диоксид кремния -- анодные пленки -- легирование -- физико-химические основы -- технологические основы -- легирующие электролиты -- интегральные схемы -- полупроводниковые приборы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
5.
| Ар10-24706
Дусь, А. И.
Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. И. Дусь. - СПб., 2010. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- диоксид кремния -- термическое окисление -- моделирование -- диэлектрик -- интегральные микросхемы
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
6.
| Ар10-25675
Вагапова, Н. Т.
Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs методом мосгидридной эпитаксии [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 05.27.06 / Н. Т. Вагапова. - М., 2010. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 20-22 (8 назв.)
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры полупроводниковые -- капельная эпитаксия -- квантовые точки бездислокационные -- механизм странского-крастанова -- лазерные диоды
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
7.
| Ар10-28792
Новиков, В. А.
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металл/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков. - Томск, 2010. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18
Кл.слова (ненормированные):
контакт металл-полупроводник -- диоды Шоттки -- производство -- технический контроль -- атомно-силовая микроскопия -- подложки -- поверхность -- морфология -- эпитаксиальные пленки -- электронные свойства
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
8.
| Ар12-16316
Васютин, Д. С.
Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. С. Васютин. - М., 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (17 назв.)
Кл.слова (ненормированные):
мдп-структуры -- производство -- дефекты -- технический контроль
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
9.
| Ар12-19481
Денисов, С. А.
Молекулярно-лучевая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. А. Денисов. - Н.Новгород, 2012. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-20
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- эпитаксия -- микроэлектроника -- оптоэлектроника
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
10.
| Ар12-19491
Якименко, А. Н.
Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Н. Якименко. - СПб., 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 13-16 (26 назв.)
Кл.слова (ненормированные):
диоды полупроводниковые -- структуры металл-диэлектрик-полупроводник -- производство -- инженерия радиационных дефектов
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
11.
| Ар12-21716
Юрасов, Д. В.
Особенности образования нанооостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Д. В. Юрасов. - Н.Новгород, 2012. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-23
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые гетероструктуры -- эпитаксия -- селективное легирование -- донорные примеси
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
12.
| АР11-30774
Кострюков, В. Ф.
Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование арсенида галлия [Текст] : автореф. дис. ... д-ра хим. наук : 02.00.01 / В. Ф. Кострюков. - Воронеж, 2011. - 31 с. : ил. - Библиогр.: с. 27-31 (59 назв.)
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- термооксидирование -- оксидные пленки -- гетероструктуры
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
13.
| Ар13-5226
Курочка, А. С.
Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / А. С. Курочка. - М., 2013. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-24 (16 назв.)
Кл.слова (ненормированные):
мдп-структуры -- травление -- технический контроль
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
14.
| Ар14-559
Лапин, В. А.
Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.15 / В. А. Лапин. - Нальчик, 2013. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-20. - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- методы исследования
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
15.
| Ар14-6494
Борисова, Т. М.
Поляризационные процессы в слоях аморфного оксида алюминия, полученного методом молекулярного наслаивания [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Т. М. Борисова. - СПб., 2014. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (11 назв.). - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные):
мдп-структуры -- производство -- осаждение атомных слоев
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
16.
| Ар14-8974
Валов, Г. В.
Процессы массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации кремния с использованием микроразмерной ростовой ячейки [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. В. Валов. - Краснодар, 2013. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-20 (14 назв.). - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- эпитаксия -- зонная сублимационная перекристаллизация
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
17.
| Ар14-32528
Рожавская, М. М.
Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Рожавская. - СПб., 2014. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-22. - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- газофазная эпитаксия -- металл-органические соединения
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных