Поисковый запрос: (<.>U=621.383.002(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 28
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1. 
| АР93-6932
Сысоев, И. А.
Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А В [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. А. Сысоев. - Новочеркасск, 1993. - 14 с.
В надзаг.: Новочеркас.гос.техн.ун-т. Библиогр.: с.13-14 (13 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
2.
| АР94-021
Сахарова, Т. В.
Формирование гетероструктур InAs Sb B1 /InSb методом жидкофазной эпитаксии для фотоприемных устройств [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Т. В. Сахарова. - М., 1994. - 22 с. : ил
В надзаг.: Моск.гос.акад.тонкой хим.технологии им.М.В.Ломоносова. Библиогр.: с.21-22(10 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
3.
| АР96-744
Максимов, М. В.
Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур в системах A B и A B , полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / М. В. Максимов. - СПб., 1995. - 22 с. : ил
В надзаг. : Рос.АН. Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 20-22
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
4.
| АР96-1477
Грицкевич, О. В.
Исследования процессов формирования изображений произвольной геометрической формы и размеров на криволинейных поверхностях вращения с использованием лазерного излучения [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.05 / О. В. Грицкевич. - Новосибирск, 1995. - 22 с. : ил
Библиогр.:с. 19 (7 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
5.
| АР96-0192
Армягова, О. П.
Исследование условий и разработка технологии получения эпитаксиальных структур антимонида индия для многоэлементных фотоприемников [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / О. П. Армягова. - М., 1996. - 21 с. : ил
Библиогр.:с. 21(6 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
6.
| АР96-5614
Благин, А. В.
Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных системах на основе антимонида индия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / А. В. Благин. - 1996, 1996. - 15 с. : ил
В надзаг. :Новочеркас.гос.техн.ун-т. Библиогр.:с. 14-15(6 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
7.
| АР98-5040
Красовицкий, Д. М.
Закономерности пиролиза аммиакатов трихлоридов галлия и индия в процессе осаждения слоев GaN, InN In Ga N [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 05.27.06 / Д. М. Красовицкий. - СПб, 1998. - 18 с. : ил.
Библиогр.:с. 18 с(9 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
8.
| АР99-6342
Лабутин, О. А.
Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP:МОС-гидридная эпитаксия. Свойства и применения в оптоэлектронных приборах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. А. Лабутин. - СПб, 1999. - 23 с.
В надзаг. :Рос.АН. Физико-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 23(6 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
9.
| АР02-2259
Лисицына, Л. И.
Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологиче ских решений [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.02 / Л. И. Лисицына. - Саратов, 2000. - 36 с.
Библиогр.: с. 33-36(46 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
10.
| АР91-0189
Васильев, В. И.
Особенности эпитаксиального роста твердых растворов GaZnAsSb и AlGaAsSb из растворов-расплавов на основе сурьмы [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. И. Васильев. - Л., 1990. - 18 с.
В надзаг. : АН СССР. Физ.-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 16-17(16 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
11.
| АР90-017415
Якорев, С. Н.
Элементы технологии формирования реальных поверхностей и границ рахдела в серийном производстве оптоэлектронных приборов на основе GaAs-AlGaAs [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / С. Н. Якорев. - Одесса, 1990. - 19 с.
В надзаг. : Одес. электротехн. ин-т маязи им.А.С.Попова. Библиогр.:с. 17-19(21 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
12.
| АР90-011061
Юрценюк, В. З.
Особенности роста и физические свойства эпитаксиальных слоев PbSe Te Pb Sn Te [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. З. Юрценюк. - Черновцы, 1990. - 19 с.
В надзаг. : Черновиц. гос. ун-т им.Ю.Федьковича. Библиогр.:с. 17-19(15 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
13.
| АР90-012007
Барчук, А. Н.
Управление параметрами легированных пленок и светодиодных структур при жидкостной эпитаксии фосфида галлия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.10 / А. Н. Барчук. - Кишинев, 1990. - 16 с. : ил.
В надзаг. : Ин-т прикладной физики АН МССР. Библиогр.:с. 13-16
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
14.
| АР90-011819
Трофим, В. Г.
Жидкостная эпитаксия гетероструктур AlGaAs - GaAS из ограниченного объема расплава и создание фотопреобразователей излучения на их основе [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 01.04.10 / В. Г. Трофим. - Кишинев, 1990. - 34 с.
В надзаг. : АН МССР. Ин-т прикладной физики. Библиогр.:с. 27-34(62 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
15.
| Ар03-2048
Яблочкина, Г. И.
Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Г. И. Яблочкина. - Владикавказ, 2002. - 24 с. : ил.
Библиогр.: с. 23(6 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
16.
| Ар03-11358
Мустафаева, Д. Г.
Оптимизация технологии полупроводниковых пленочных преобразователей и повышение эффективности их производства [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Д. Г. Мустафаева. - Владикавказ, 2002. - 23 с.
Библиогр.: с. 22-23(11 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
17.
| Ар04-10302
Косарев, А. М.
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / А. М. Косарев. - М., 2004. - 34 c. : ил.
Библиогр.: с. 33-34 (3 назв.).
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
18.
| Ар06-11685
Микаева, С. А.
Исследование и разработка технологии производства нового поколения люминесцентных ртутьсодержащих приборов [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.11.14 / С. А. Микаева. - М., 2006. - 34 с. : ил. - Библиогр.: с. 30-34 (47 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
19.
| Ар06-14021
Письменский, М. В.
Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / М. В. Письменский. - Новочеркасск, 2006. - 16 с : ил. - Библиогр.: с. 16(7 назв.)
В надзаг.: Южно-Российский гос. техн. ун-т (Новочеркасский политехн. ин-т)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
20.
| Ар07-1795
Мармалюк, А. А.
Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников А В для приборов оптоэлектроники и ИК-техники [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / А. А. Мармалюк. - М., 2006. - 47 с. : ил. - Библиогр.: с. 38-46
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных