Поисковый запрос: (<.>U=621.382.33.001.57(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5 |
>1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР94-5041
Муратчаев, С. А. Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. А. Муратчаев. - М., 1994. - 24 с. В надзаг.: Моск.гос.ин-т электронной техники (техн.ун-т). Библиогр.: с.23-24(9 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР97-2717
Кулькова, Е. Ю. Моделирование электронных процессов в сверхскоростных биполярных гетероструктурных транзисторах [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Е. Ю. Кулькова. - М., 1997. - 15 с. В надзаг. : Моск. гос. технол. ун-т "Станкин". Библиогр.:с. 14-15(8назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР95-1387
Карташов, С. Е. Математическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов АзВ5 [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.*наук:01.04.04 / С. Е. Карташов. - М., 1994. - 13 с. В надзаг.:Моск.физ.-техн.ин-т РАН.Библиогр.:с.11-13(12 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР99-4669
Хренов, Г. Ю. Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3В5 [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. Ю. Хренов. - М., 1999. - 34 с. В надзаг. :Физико-технол. ин-т Рос.АН. Библиогр.:с. 27-34(52 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР01-1685
Николаенков, Ю. К. Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Ю. К. Николаенков. - Воронеж, 2000. - 16 с. : ил. Библиогр.:с. 15-16 (17 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|