Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592:669.046.516(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6 |
1. 
| Ар11-21103
Феклистов, К. В.
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге: расслоение на стадии оствальдовского созревания [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / К. В. Феклистов. - Новосибирск, 2011. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 16-18
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- бор -- легирование -- отжиг -- расслоение ансамбля преципитатов -- моделирование
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
2.
| Ар11-22833
Тимошина, М. И.
Влияние термообработки и легирования на свойства мнокристаллического кремния [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / М. И. Тимошина. - М., 2011. - 21 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-21 (22 назв.)
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- термическая обработка -- легирование -- легирующие добавки -- полупроводниковые приборы -- термостабильность
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
3.
| Ар12-23182
Гуда, А. А.
Внедрение примесных атомов в наноразмерные полупроводники ZnO, AlN, InN: рентгеноспектральная диагностика и компьютерное моделирование [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Гуда. - Ростов н/Д, 2012. - 27 с. : ил. - Библиогр.: с. 24-27
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- ионное внедрение -- дефекты
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
4.
| Ар13-6085
Карабешкин, К. В.
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и альфа-C: Н облучением ионами RFn срдних энергий [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04, 01.04.10 / К. В. Карабешкин. - СПб., 2013. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- ионная имплантация
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
5.
| Ар14-79
Матасов, М. Д.
Влияние спектрального состава света и фазового полупроводниковой мишени на вторично-ионный фотоэффект [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / М. Д. Матасов. - Саратов, 2013. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 . - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные):
фотоионизация -- полупроводники -- травление -- легирование
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
6.
| Ар14-6157
Балакирев, Н. А.
Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Н. А. Балакирев. - Казань, 2014. - 16 с. - Библиогр.: с. 14-16. - 100 экз.
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- ионная имплантация -- силициды железа -- магнитные кластеры
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных