Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксиальные пленки<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.
Ар10-28792

    Новиков, В. А.
    Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металл/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков. - Томск, 2010. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
контакт металл-полупроводник -- диоды Шоттки -- производство -- технический контроль -- атомно-силовая микроскопия -- подложки -- поверхность -- морфология -- эпитаксиальные пленки -- электронные свойства

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
2.
Ар11-5257

    Лотин, А. А.
    Квантоворазмерные эффекты в двумерных гетероструктурах на основе ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.03 / А. А. Лотин. - Шатура, 2011. - 19 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-19т

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
оксид цинка -- эпитаксиальные пленки -- лазерное напыление -- двумерные гетероструктуры -- светоизлучающие диоды

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
3.
Ар12-3051

    Шахмин, А. А.
    Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. А. Шахмин. - СПб., 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16
В надзаг.: Физко-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
лазеры полупроводниковые -- эпитаксиальные пленки -- гетероструктуры -- методы исследования -- катодолюминесцентные свойства

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
4.
Ар13-4214

    Аль-Обайди Надир Джасим Мохаммед
    Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук :01.04.04. - Махачкала, 2012. - 19 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-19 (11 назв.)

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
оптоэлектронные приборные структуры -- оксид цинка -- эпитаксиальные пленки -- оптимальные технологические условия

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
5.
АР12-31356

    Костюченко, В. Я.
    Фотоэлектромагнитные и магнитооптические методы определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в узкозонных полупроводниках [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01 / В. Я. Костюченко. - Барнаул, 2012. - 41 с. : ил. - Библиогр.: с. 34-40

ГРНТИ
УДК

Кл.слова (ненормированные):
фотоприемники инфракрасного диапазона -- производство -- эпитаксиальные пленки -- пленочные структуры -- параметры -- измерение

Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)