Поисковый запрос: (<.>U=621.383.52.002(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9 |
1. 
| АР98-6234
Борзистая, Е. Л.
Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. Л. Борзистая. - М., 1998. - 27 с.
Библиогр.:с. 27(5 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
2.
| АР99-сф92
Мармалюк, А. А.
Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Мармалюк. - М., 1998. - 24 с. : ил.
Библиогр.:с. 21-24
Экземпляры всего 1: сф (1)
Свободны: сф (1)
Найти похожие
|
3.
| АР02-229
Жагиро, П. В.
Формирование и свойства пористого кремния и лавинных светоизлучающих структур на его основе [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / П. В. Жагиро. - Минск, 2001. - 20 с. : ил.
В надзаг.: Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.: с. 17(12 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
4.
| АР02-4718
Талимов, А. В.
Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных P-N переходов и модернизации базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / А. В. Талимов. - V/, 2001. - 19 с. : ил.
Библиогр.: с. 19 (5 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
5.
| Ар04-6307
Болесов, И. А.
Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / И. А. Болесов. - М., 2004. - 22 с. - 100 экз.
Библиогр.: с. 22
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
6.
| Ар04-сф124
Чапкевич, А. Л.
Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.01 / А. Л. Чапкевич. - М., 2004. - 42 c. : ил.
Библиогр.: с. 38-42(32 назв.)
Экземпляры всего 1: сф (1)
Свободны: сф (1)
Найти похожие
|
7.
| Ар08-6906
Борисов, Б. А.
Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Б. А. Борисов. - СПб., 2008. - 20 с : ил. - Библиогр.: с. 18-20(22 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
8.
| Ар09-7107
Соболев, Н. А.
Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Н. А. Соболев. - СПб., 2009. - 34 с : ил. - Библиогр.: с. 29-34
В надзаг.: Физико-техн. ин-т м. А.Ф. Иоффе РАН
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
9.
| Ар09-20291
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / И. Г. Ермошин. - М., 2009. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 20(11 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных