Поисковый запрос: (<.>U=621.383.52(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 51
Показаны документы с 1 по 10 |
|
>1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР91-2134
Афраилов, М. А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов. - Л., 1990. - 19 с В надзаг.: АН ССР,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 17-19.
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР93-7441
Попов, А. А. Светодиодные гетероструктуры на основе GaInAsSb [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Попов. - СПб, 1993. - 16 с. : ил В надзаг.: Рос.АН,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с.15 ( 8 назв. )
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР95-743
Моисеев, К. Д. Создание и исследование инфракрасных источников света на основе гетероструктур твердых растворов арсенида индия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Д. Моисеев. - СПб, 1994. - 18 с. В надзаг.: Рос.АН.Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с.18(10 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР94-5594
Алиев, Р. Ю. Фотодиоды на основе InSe с термоэлектрическим охладителем [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Р. Ю. Алиев. - Баку, 1994. - 17 с. В надзаг.:Ин-т фотоэлектрон.АН Азерб.Респ.Библиогр.:с.15(8 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР97-1722
Бида, О. Б. Исследование полупроводниковых излучающих диодов и разработка новых оптико-электронных приборов с их применением [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07 / О. Б. Бида. - М., 1997. - 20 с. В надзаг. :Моск.гос.ун-т геодезии и картографии. Библиогр.:с. 20(3 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР98-1046
Какушадзе, Д. Г. Исследование вопросов кинетики и деградации электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе арсенида галлия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. Г. Какушадзе. - Тбилиси, 1997. - 27,18 с. В надзаг. : Груз. техн. ун-т. Библиогр.:с. 27 (6 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР98-3635
Туркин, А. Н. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / А. Н. Туркин. - М., 1998. - 22 с. : ил. В надзаг. :МГУ им.М.В.Ломоносова. Библиогр.:с. 20-21(18 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР00-2308
Зеневич, А. О. Оптоэлектронные процессы в лавинных фотодиодах при одноквантовой регистрации [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук:05.27.01 / А. О. Зеневич. - Минск, 1999. - 14 с. В надзаг. :Белорус. гос.ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.:с. 10-11(13 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР00-3239
Куницына, Е. В. Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов GaInAsSb [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. В. Куницына. - СПб, 1999. - 23 с. В надзаг. :Рос.АН.Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 21-23
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
>10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
| АР01-6129
Вилисов, А. А. Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук:01.04.10 / А. А. Вилисов. - Томск, 2001. - 37 с. Библиогр.: с. 36-37(12 назв.)
Экземпляры всего 1: ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Найти похожие
|
|
|
|