Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.383.52.002(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.
Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм. - 1998
2.
Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия/А. А. Мармалюк. - 1998
3.
Жагиро П.В. Формирование и свойства пористого кремния и лавинных светоизлучающих структур на его основе. - 2001
4.
Талимов А.В. Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных P-N переходов и модернизации базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb. - 2001
5.
Болесов И.А. Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации. - 2004
6.
Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов. - 2004
7.
Борисов Б.А. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона/Б. А. Борисов. - 2008
8.
Соболев Н.А. Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур/Н. А. Соболев. - 2009
9.
Ермошин И.Г. Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур/И. Г. Ермошин. - 2009

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)