Поисковый запрос: (<.>U=621.383.52(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 51
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар07-7874
Автор(ы) : Кодак А.С.
Заглавие : Взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : М., 2007 Колич.характеристики :24 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 23-24
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар06-6105
Автор(ы) : Чиж А.Л.
Заглавие : Высокоскоростные P-I-N фотодиоды на основе фосфида индия для волоконно-оптических систем
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Минск, 2005 Колич.характеристики :21 с:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-18(16 назв.). - В надзаг.: Ин-т электроники Нац. АН Беларуси
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-12073
Автор(ы) : Петухов А.А.
Заглавие : Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2013 Колич.характеристики :26 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 24-26
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды высокотемпературные
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР02-сф255
Автор(ы) : Андриевский В.Ф.
Заглавие : Высокочувствительные PIN-фотодиодные модули на основе фосфида индия для волоконно-оптических линий связи
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01
Выходные данные : Минск, 2002 Колич.характеристики :19 с.:
ил.
Примечания : В надзаг.: Ин-т электроники Нац. АН Беларуси. Библиогр.: с. 14-16(30 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :СФ(1) Свободны : СФ(1) Найти похожие
|
5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар07-14161
Автор(ы) : Смирнова И.П.
Заглавие : Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2007 Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-19(19 назв.). - В надзаг.: Рос. АН, Физико-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР98-1046
Автор(ы) : Какушадзе Д.Г.
Заглавие : Исследование вопросов кинетики и деградации электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе арсенида галлия
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Тбилиси, 1997 Колич.характеристики :27,18 с.
Примечания : В надзаг. : Груз. техн. ун-т. Библиогр.:с. 27 (6 назв.)
ГРНТИ : 59.41 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар07-3755
Автор(ы) : Балашов А.Г.
Заглавие : Исследование и разработка констуктивно-технологических решений создания элементов фоточувствительной микросхемы с использованием методов приборно-технологического моделирования
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : М., 2006 Колич.характеристики :30 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 28-29.
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР97-1722
Автор(ы) : Бида О.Б.
Заглавие : Исследование полупроводниковых излучающих диодов и разработка новых оптико-электронных приборов с их применением
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07
Выходные данные : М., 1997 Колич.характеристики :20 с.
Примечания : В надзаг. :Моск.гос.ун-т геодезии и картографии. Библиогр.:с. 20(3 назв.)
ГРНТИ : 59.41 + 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) + 621.383(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-2404
Автор(ы) : Павлюченко А.С.
Заглавие : Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AlInGaN
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2011 Колич.характеристики :17 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 14-17 (17 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--квантовая эффективность--токи накачки большой плотности
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар07-12736
Автор(ы) : Дорохин М.В.
Заглавие : Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Н. Новгород, 2007 Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-19
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
11. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар09-6959
Автор(ы) : Солонин А.П.
Заглавие : Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Ульяновск, 2009 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-22
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
12. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР02-4909
Автор(ы) : Тарасов С.А.
Заглавие : Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A\ВIII\в B\ВV\в для селективных фотоприемников
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10
Выходные данные : СПб., 2001 Колич.характеристики :16 с.
+ 100 экз.
Примечания : В надзаг.: С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина). Библиогр.: с. 15-16(11 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
13. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар12-11088
Автор(ы) : Мышонков А.Б.
Заглавие : Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.07
Выходные данные : Саранск, 2012 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-22 (20 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--тепловые характеристики--светотехнические параметры--импульсное питание
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
14. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-8353
Автор(ы) : Барановский М.В.
Заглавие : Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2013 Колич.характеристики :17 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16-17 (15 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 + 47.35.31 УДК : 621.383.52(043) + 621.373.826.038.825.5(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--лазеры полупроводниковые--гетероструктуры--методы исследования
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
15. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР91-2134
Автор(ы) : Афраилов М.А.
Заглавие : Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Л., 1990 Колич.характеристики :19 с
Примечания : В надзаг.: АН ССР,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 17-19.
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1), (2) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
16. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар06-3909
Автор(ы) : Ефремов А.А.
Заглавие : Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2005 Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
17. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-5016
Автор(ы) : Яковлев И.Н.
Заглавие : Исследования светоизлучающих гетероструктур с квантовыми ямами, ориентированными в полярных и неполярных направлениях
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014 Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 14-16
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые гетероструктуры--светодиоды
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
18. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар07-12177
Автор(ы) : Прохоров В.В.
Заглавие : Источники излучения на основе суперлюминесцентных диодов с экстремальными рабочими характеристками
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.03
Выходные данные : М., 2007 Колич.характеристики :26 с:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 24-26(16 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
19. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар11-5257
Автор(ы) : Лотин А.А.
Заглавие : Квантоворазмерные эффекты в двумерных гетероструктурах на основе ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.03
Выходные данные : Шатура, 2011 Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19т
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид цинка--эпитаксиальные пленки--лазерное напыление--двумерные гетероструктуры--светоизлучающие диоды
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
20. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР98-3635
Автор(ы) : Туркин А.Н.
Заглавие : Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.05
Выходные данные : М., 1998 Колич.характеристики :22 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. :МГУ им.М.В.Ломоносова. Библиогр.:с. 20-21(18 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
21. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-1828
Автор(ы) : Солдаткин В.С.
Заглавие : Модернизация и исследование характеристик светодиода белого свечения для поверхностного монтажа
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.07
Выходные данные : Томск, 2013 Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-21
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
22. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР01-6129
Автор(ы) : Вилисов А.А.
Заглавие : Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук:01.04.10
Выходные данные : Томск, 2001 Колич.характеристики :37 с.
Примечания : Библиогр.: с. 36-37(12 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
23. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР00-2308
Автор(ы) : Зеневич А.О.
Заглавие : Оптоэлектронные процессы в лавинных фотодиодах при одноквантовой регистрации
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук:05.27.01
Выходные данные : Минск, 1999 Колич.характеристики :14 с.
Примечания : В надзаг. :Белорус. гос.ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.:с. 10-11(13 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
24. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар09-20366
Автор(ы) : Ващенко А.А.
Заглавие : Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка
: автореф. дис. ... канд. фз.-мат. наук : 01.04.21
Выходные данные : М., 2009 Колич.характеристики :26 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 25-26(6 назв.). - В надзаг.: Моск. физ.-техн. ин-т (гос. ун-т)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
25. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-22558
Автор(ы) : Карташова А.П.
Заглавие : Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2010 Колич.характеристики :19 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
26. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар07-12975
Автор(ы) : Бадгутдинов М.Л.
Заглавие : Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : М., 2007 Колич.характеристики :21 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
27. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар14-7655
Автор(ы) : Черняков А.Е.
Заглавие : Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014 Колич.характеристики :22 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 21-22
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--квантовая эффективность
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
28. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-19742
Автор(ы) : Кудрявцев К.Е.
Заглавие : Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н.Новгород, 2013 Колич.характеристики :18 с.
Примечания : Библиогр.: с. 15-18
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--кремниевые структуры
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
29. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар09-7367
Автор(ы) : Пивкин О.В.
Заглавие : Повышение эффективности светодиодных модулей, программно-аппаратные средства контроля и оценки светотехнических характеристик
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.07
Выходные данные : Саранск, 2009 Колич.характеристики :17 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-17(24 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
30. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар05-7441
Автор(ы) : Тонких А.А.
Заглавие : Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2005 Колич.характеристики :20 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-20 (8 назв.). - В надзаг.:Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
ГРНТИ : 47.33.33 УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
|
|
|