Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.383.52(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 51
Показаны документы с 1 по 30
 1-30    31-51 
1.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-3429
Автор(ы) : Аливов Я.И.
Заглавие : Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : М., 2005
Колич.характеристики :15 с.
Примечания : Библиогр.: с. 12-15. - В надзаг.: МГУ им. М.В.Ломоносова, Ин-т проблем технологии микроэлектроники РАН
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
2.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР94-5594
Автор(ы) : Алиев Р.Ю.
Заглавие : Фотодиоды на основе InSe с термоэлектрическим охладителем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01
Выходные данные : Баку, 1994
Колич.характеристики :17 с.
Примечания : В надзаг.:Ин-т фотоэлектрон.АН Азерб.Респ.Библиогр.:с.15(8 назв.)
ГРНТИ : 59.41
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
3.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР02-сф255
Автор(ы) : Андриевский В.Ф.
Заглавие : Высокочувствительные PIN-фотодиодные модули на основе фосфида индия для волоконно-оптических линий связи : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01
Выходные данные : Минск, 2002
Колич.характеристики :19 с.: ил.
Примечания : В надзаг.: Ин-т электроники Нац. АН Беларуси. Библиогр.: с. 14-16(30 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :СФ(1)
Свободны : СФ(1)
Найти похожие
4.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-2134
Автор(ы) : Афраилов М.А.
Заглавие : Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Л., 1990
Колич.характеристики :19 с
Примечания : В надзаг.: АН ССР,Физ.-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 17-19.
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1), (2)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
5.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-12975
Автор(ы) : Бадгутдинов М.Л.
Заглавие : Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : М., 2007
Колич.характеристики :21 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 19-21
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
6.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-3755
Автор(ы) : Балашов А.Г.
Заглавие : Исследование и разработка констуктивно-технологических решений создания элементов фоточувствительной микросхемы с использованием методов приборно-технологического моделирования : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : М., 2006
Колич.характеристики :30 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 28-29.
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
7.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-8353
Автор(ы) : Барановский М.В.
Заглавие : Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2013
Колич.характеристики :17 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 16-17 (15 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33 + 47.35.31
УДК : 621.383.52(043) + 621.373.826.038.825.5(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--лазеры полупроводниковые--гетероструктуры--методы исследования
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
8.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР97-1722
Автор(ы) : Бида О.Б.
Заглавие : Исследование полупроводниковых излучающих диодов и разработка новых оптико-электронных приборов с их применением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07
Выходные данные : М., 1997
Колич.характеристики :20 с.
Примечания : В надзаг. :Моск.гос.ун-т геодезии и картографии. Библиогр.:с. 20(3 назв.)
ГРНТИ : 59.41 + 47.33.33
УДК : 621.383.52(043) + 621.383(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
9.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар09-20366
Автор(ы) : Ващенко А.А.
Заглавие : Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : автореф. дис. ... канд. фз.-мат. наук : 01.04.21
Выходные данные : М., 2009
Колич.характеристики :26 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 25-26(6 назв.). - В надзаг.: Моск. физ.-техн. ин-т (гос. ун-т)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
10.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР01-6129
Автор(ы) : Вилисов А.А.
Заглавие : Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук:01.04.10
Выходные данные : Томск, 2001
Колич.характеристики :37 с.
Примечания : Библиогр.: с. 36-37(12 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
11.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-8436
Автор(ы) : Гребенщикова Е.А.
Заглавие : Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (k=2-5 мкм) : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2007
Колич.характеристики :17 с.
Примечания : Библиогр.: с. 16-17 (14 назв.). - В надзаг.: Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
ГРНТИ : 47.33.33 + 47.35.31
УДК : 621.383.52(043) + 621.373.826.038.835.5(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
12.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-02734
Автор(ы) : Гусейнов А.А.
Заглавие : Создание и исследование светодиодов на основе изопериодных гетероструктур GaInAsSb-GaSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Баку, 1990
Колич.характеристики :18 с.
Примечания : В надзаг. : АН АзССР. Ин-т физики. Библиогр.:с. 17-18(8 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
13.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-12736
Автор(ы) : Дорохин М.В.
Заглавие : Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Н. Новгород, 2007
Колич.характеристики :19 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 17-19
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
14.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар06-3909
Автор(ы) : Ефремов А.А.
Заглавие : Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2005
Колич.характеристики :16 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
15.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-2308
Автор(ы) : Зеневич А.О.
Заглавие : Оптоэлектронные процессы в лавинных фотодиодах при одноквантовой регистрации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук:05.27.01
Выходные данные : Минск, 1999
Колич.характеристики :14 с.
Примечания : В надзаг. :Белорус. гос.ун-т информатики и радиоэлектроники. Библиогр.:с. 10-11(13 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
16.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР98-1046
Автор(ы) : Какушадзе Д.Г.
Заглавие : Исследование вопросов кинетики и деградации электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Тбилиси, 1997
Колич.характеристики :27,18 с.
Примечания : В надзаг. : Груз. техн. ун-т. Библиогр.:с. 27 (6 назв.)
ГРНТИ : 59.41
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
17.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-22815
Автор(ы) : Калинина К.В.
Заглавие : Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников A3B5 : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2012
Колич.характеристики :27 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 24-27
ГРНТИ : 47.57 + 47.33.33
УДК : 621.384.3(043) + 621.383.52(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): источники инфракрасного излучения--светодиоды--квантовая эффективность--оптическая мощность
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
18.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР91-010176
Автор(ы) : Каробоев А.Г.
Заглавие : Процессы, определяющие деградацию фосфид-галлиевых светоизлучающих диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Киев, 1991
Колич.характеристики :16 с.
Примечания : В надзаг. : АН УССР. Ин-т полупроводников. Библиогр.:с. 15-16(6 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
19.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар10-22558
Автор(ы) : Карташова А.П.
Заглавие : Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2010
Колич.характеристики :19 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
20.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар04-12447
Автор(ы) : Кижаев С.С.
Заглавие : Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2004
Колич.характеристики :17 с.
Примечания : Библиогр.: с. 15-17(12 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
21.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар05-9231
Автор(ы) : Климов А.Э.
Заглавие : Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : Новосибирск, 2005
Колич.характеристики :37 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 33-37
ГРНТИ : 47.33.33 + 47.57
УДК : 621.383.52(043) + 621.384.3(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
22.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар07-7874
Автор(ы) : Кодак А.С.
Заглавие : Взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : М., 2007
Колич.характеристики :24 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 23-24
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
23.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар14-11440
Автор(ы) : Коновалов Г.Г.
Заглавие : Создание и исследование высокоэффективных быстродействующих фотодиодов для средней ИК-области спектра (2-5 мкм) на основе узкозонных гетероструктур A[[p]]3[[/p]]B[[p]]5[[/p]] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2014
Колич.характеристики :19 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотодиоды--быстродействие
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
24.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-14040
Автор(ы) : Кострин Д.К.
Заглавие : Разработка и исследование спектрометрического программно-аппаратного комплекса для анализа светоизлучающих диодов : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.07
Выходные данные : СПб., 2013
Колич.характеристики :16 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 15-16 (25 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--спектрометрический анализ
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
25.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар13-19742
Автор(ы) : Кудрявцев К.Е.
Заглавие : Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Н.Новгород, 2013
Колич.характеристики :18 с.
Примечания : Библиогр.: с. 15-18
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--кремниевые структуры
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
26.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР00-3239
Автор(ы) : Куницына Е.В.
Заглавие : Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов GaInAsSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : СПб, 1999
Колич.характеристики :23 с.
Примечания : В надзаг. :Рос.АН.Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 21-23
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
27.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар11-5257
Автор(ы) : Лотин А.А.
Заглавие : Квантоворазмерные эффекты в двумерных гетероструктурах на основе ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.03
Выходные данные : Шатура, 2011
Колич.характеристики :19 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 18-19т
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид цинка--эпитаксиальные пленки--лазерное напыление--двумерные гетероструктуры--светоизлучающие диоды
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
28.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар04-9883
Автор(ы) : Мамедов Д.С.
Заглавие : Широкополосные источники оптического излучения на основе полупроводниковых суперлюминесцентных диодов : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : М., 2004
Колич.характеристики :20 с.: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 19-20(9 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
29.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : АР95-743
Автор(ы) : Моисеев К.Д.
Заглавие : Создание и исследование инфракрасных источников света на основе гетероструктур твердых растворов арсенида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : СПб, 1994
Колич.характеристики :18 с.
Примечания : В надзаг.: Рос.АН.Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с.18(10 назв.)
ГРНТИ : 47.35.31 + 59.41
УДК : 621.373.826.038.825.5(043) + 621.383.52(043)
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
30.
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ар12-11088
Автор(ы) : Мышонков А.Б.
Заглавие : Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.09.07
Выходные данные : Саранск, 2012
Колич.характеристики :22 с.: ил
Примечания : Библиогр.: с. 20-22 (20 назв.)
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383.52(043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): светодиоды--тепловые характеристики--светотехнические параметры--импульсное питание
Экземпляры :ХР(1)
Свободны : ХР(1)
Найти похожие
 1-30    31-51 

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)