Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.383.52(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 51
Показаны документы с 1 по 30
 1-30    31-51 
1.
Хайрулина А.С. Эффективность белого свечения гетероструктур на основе InGaN с люминофором/А. С. Хайрулина. - 2008
2.
Смирнова И.П. Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN/И. П. Смирнова. - 2007
3.
Бадгутдинов М.Л. Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе/М. Л. Бадгутдинов. - 2007
4.
Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка/А. А. Ващенко. - 2009
5.
Пивкин О.В. Повышение эффективности светодиодных модулей, программно-аппаратные средства контроля и оценки светотехнических характеристик/О. В. Пивкин. - 2009
6.
Солонин А.П. Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами/А. П. Солонин. - 2009
7.
Щербаков В.Н. Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света/В. Н. Щербаков. - 2007
8.
Кодак А.С. Взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP/А. С. Кодак. - 2007
9.
Балашов А.Г. Исследование и разработка констуктивно-технологических решений создания элементов фоточувствительной микросхемы с использованием методов приборно-технологического моделирования/А. Г. Балашов. - 2006
10.
Дорохин М.В. Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои/М. В. Дорохин. - 2007
11.
Прохоров В.В. Источники излучения на основе суперлюминесцентных диодов с экстремальными рабочими характеристками/В. В. Прохоров. - 2007
12.
Гребенщикова Е.А. Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (k=2-5 мкм)/Е. А. Гребенщикова. - 2007
13.
Карташова А.П. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала/А. П. Карташова. - 2010
14.
Солдаткин В.С. Модернизация и исследование характеристик светодиода белого свечения для поверхностного монтажа/В. С. Солдаткин. - 2013
15.
Кудрявцев К.Е. Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах/К. Е. Кудрявцев. - 2013
16.
Кострин Д.К. Разработка и исследование спектрометрического программно-аппаратного комплекса для анализа светоизлучающих диодов/Д. К. Кострин. - 2013
17.
Коновалов Г.Г. Создание и исследование высокоэффективных быстродействующих фотодиодов для средней ИК-области спектра (2-5 мкм) на основе узкозонных гетероструктур A[[p]]3[[/p]]B[[p]]5[[/p]]/Г. Г. Коновалов. - 2014
18.
Черняков А.Е. Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур/А. Е. Черняков. - 2014
19.
Яковлев И.Н. Исследования светоизлучающих гетероструктур с квантовыми ямами, ориентированными в полярных и неполярных направлениях/И. Н. Яковлев. - 2014
20.
Мышонков А.Б. Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током/А. Б. Мышонков. - 2012
21.
Павлюченко А.С. Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AlInGaN/А. С. Павлюченко. - 2011
22.
Лотин А.А. Квантоворазмерные эффекты в двумерных гетероструктурах на основе ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления/А. А. Лотин. - 2011
23.
Петухов А.А. Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5/А. А. Петухов. - 2013
24.
Барановский М.В. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества/М. В. Барановский. - 2013
25.
Калинина К.В. Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников A3B5/К. В. Калинина. - 2012
26.
Потанахина Л.Н. Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN/Л. Н. Потанахина. - 2006
27.
Куницына Е.В. Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов GaInAsSb. - 1999
28.
Зеневич А.О. Оптоэлектронные процессы в лавинных фотодиодах при одноквантовой регистрации. - 1999
29.
Туркин А.Н. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами. - 1998
30.
Тарасов С.А. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A\ВIII\в B\ВV\в для селективных фотоприемников. - 2001
 1-30    31-51 
 
Описание базы данных
Стандартный
Расширенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)