Поисковый запрос: (<.>U=621.382.2.018.756(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 17 |
1. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР91-5622
Автор(ы) : Юневич Е.О.
Заглавие : Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : М., 1991 Колич.характеристики :20 с
Примечания : В надзаг.: АН СССР,Ин-т радиотехники и электроники. Библиогр.: с. 19-20(8назв.).
ГРНТИ : 47.29 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1), (2) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
2. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР91-3502
Автор(ы) : Крусь А.П.
Заглавие : Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01
Выходные данные : Одесса, 1990 Колич.характеристики :16 с
Примечания : В надзаг.: Одес.электротехн.ин-т связи им.А.С.Попова. Библиогр.: с. 15-16(17 назв.).
ГРНТИ : 47.29 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1), (2) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
3. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР92-3578
Автор(ы) : Карфул Ризек
Заглавие : Поведение глубоких центров в Ga As при лазерном облучении барьеров Шоттки
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : СПб, 1992 Колич.характеристики :16 с.:
ил
Примечания : В надзаг.: Санкт-Петербург.гос.техн.ун-т. Библиогр.: с. 15-16(2назв.).
ГРНТИ : 47.29 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1), (2) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
4. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР92-9270
Автор(ы) : Шур М.С.
Заглавие : Исследование электрических доменов
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.02
Выходные данные : СПб, 1992 Колич.характеристики :23 с
Примечания : В надзаг.: Рос.АН,Физ-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.: с. 19-22(42назв.).
ГРНТИ : 47.45.33 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1), (2) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
5. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР93-4180
Автор(ы) : Тарнавский С.П.
Заглавие : Перезарядка поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01
Выходные данные : М., 1993 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : В надзаг.: НИИ физ.проблем им.Ф.В.Лукина. Библиогр.: с.18(7назв.)
ГРНТИ : 47.29 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1), (2) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
6. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР94-5253
Автор(ы) : Подчищаева О.В.
Заглавие : Перестройка частоты колебаний в диодах Ганна мм-диапазона из фосфида индия в условиях оптической накачки
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Выходные данные : Н. Новгород, 1994 Колич.характеристики :16 с
Примечания : В надзаг.: Нижегор. гос. ун-т им. Н.И.Лобачевского. Библиогр.:с.15-16
ГРНТИ : 47.41.31 + 29.35.45 УДК : 621.373.5(043) + 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
7. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР95-1388
Автор(ы) : Карташова О.А.
Заглавие : Кинетическое моделирование неравновесных процессов в субмикронных диодных структурах
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : М., 1994 Колич.характеристики :15 с.950405:
ил
Примечания : В надзаг.: Моск.физ.-техн.ин-т. Библиогр.: с.13-15(9 назв.)
ГРНТИ : 47.09.29 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
8. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР97-2385
Автор(ы) : Малинин Ю.Г.
Заглавие : Механизм токопрохождения и фотоЭДС диодов Шоттки на основе арсенида индия и фосфида индия
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07
Выходные данные : Казань, 1997 Колич.характеристики :18 с
Примечания : В надзаг. : Казан. гос. ун-т. Библиогр.:с.17-18
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
9. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР98-1505
Автор(ы) : Милюткин Е.А.
Заглавие : Электрофизические свойства контактов редкоземельный металл-кремний, силицид редкоземельного металла-кремний и поверхностно-барьерных диодов на их основе
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10
Выходные данные : Самара, 1997 Колич.характеристики :19 с.
Примечания : Библиогр.:с. 18-19 (18 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.315.592.9(043) + 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
10. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР99-629
Автор(ы) : Бабаян А.В.
Заглавие : Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10:01.04.03
Выходные данные : Саратов, 1998 Колич.характеристики :16 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.:с. 15-16(10 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
11. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР01-4513
Автор(ы) : Чепуров С.В.
Заглавие : Сверхбыстродействующие нелинейные элементы на барьере Шоттки в системах синтеза и измерения частот СММ, ИК, видимого диапазонов
: Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.05
Выходные данные : Новосибирск, 2001 Колич.характеристики :18 с.
Примечания : Библиогр.:с. 17-18(15 назв.)
ГРНТИ : 47.33 + 90.27.37 УДК : 621.382.2.018.756(043) + 681.7.08(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
12. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : АР90-06568
Автор(ы) : Мельников Г.Д.
Заглавие : Влияние структурного совершенства эпитаксиальных слоев GaAs на параметры барьеров Шоттки
: Дис. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10
Выходные данные : Киев, 1990 Колич.характеристики :24 с.:
ил.
Примечания : В надзаг. : АН УССР. ИН-т полупроводников. Библиогр.:с. 21-24(18, 3 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
13. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар03-1366
Автор(ы) : Фетисова В.М.
Заглавие : Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А В
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : Владикавказ, 2002 Колич.характеристики :20 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 19-20
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
14. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар03-13167
Автор(ы) : Супрунова Е.Ф.
Заглавие : Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01
Выходные данные : Таганрог, 2002 Колич.характеристики :19 с.:
ил.
Примечания : Библиогр.: с. 16-18(24 назв.)
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
15. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар06-12935
Автор(ы) : Разумихин К.А.
Заглавие : Исследование динамики электронов в полупроводниковой структуре диода Ганна в коротковолновой части миллиметрового диапазона и анализ возможностей создания генераторов гармоник
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03
Выходные данные : Саратов, 2006 Колич.характеристики :15 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 13-15 (24 назв.).
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.382.2.018.756(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
16. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар10-14345
Автор(ы) : Салихов Х.М.
Заглавие : Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10
Выходные данные : СПб., 2010 Колич.характеристики :35 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 27-35
ГРНТИ : 47.33 + 59.35.29 УДК : 621.315.592.9(043) + 621.382.2.018.756(043) + 543.272.2.08(043) + 546.11.04.08(043)
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
17. ![](/irbis64r_simplesite/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : Ар13-10038
Автор(ы) : Кваско В.Ю.
Заглавие : Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образование доменов в диодах Ганна
: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03
Выходные данные : Саратов, 2013 Колич.характеристики :18 с.:
ил
Примечания : Библиогр.: с. 16-18
ГРНТИ : 47.33 УДК : 621.382.2.018.756(043) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоды ганна--физические процессы--методы исследования
Экземпляры :ХР(1) Свободны : ХР(1) Найти похожие
|
|
|