Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.382.2.018.756(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 17
1.
Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов. - 1991
2.
Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки. - 1990
3.
Карфул Ризек Поведение глубоких центров в Ga As при лазерном облучении барьеров Шоттки. - 1992
4.
Шур М.С. Исследование электрических доменов. - 1992
5.
Тарнавский С.П. Перезарядка поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях. - 1993
6.
Подчищаева О.В. Перестройка частоты колебаний в диодах Ганна мм-диапазона из фосфида индия в условиях оптической накачки. - 1994
7.
Карташова О.А. Кинетическое моделирование неравновесных процессов в субмикронных диодных структурах. - 1994
8.
Малинин Ю.Г. Механизм токопрохождения и фотоЭДС диодов Шоттки на основе арсенида индия и фосфида индия. - 1997
9.
Милюткин Е.А. Электрофизические свойства контактов редкоземельный металл-кремний, силицид редкоземельного металла-кремний и поверхностно-барьерных диодов на их основе/Е. А. Милюткин. - 1997
10.
Бабаян А.В. Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации. - 1998
11.
Чепуров С.В. Сверхбыстродействующие нелинейные элементы на барьере Шоттки в системах синтеза и измерения частот СММ, ИК, видимого диапазонов. - 2001
12.
Мельников Г.Д. Влияние структурного совершенства эпитаксиальных слоев GaAs на параметры барьеров Шоттки. - 1990
13.
Фетисова В.М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А В . - 2002
14.
Супрунова Е.Ф. Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна. - 2002
15.
Разумихин К.А. Исследование динамики электронов в полупроводниковой структуре диода Ганна в коротковолновой части миллиметрового диапазона и анализ возможностей создания генераторов гармоник/К. А. Разумихин. - 2006
16.
Салихов Х.М. Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода/Х. М. Салихов. - 2010
17.
Кваско В.Ю. Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образование доменов в диодах Ганна/В. Ю. Кваско. - 2013

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)