Главная страница

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.373.826.038.825.5(043)<.>)
Общее количество найденных документов : 130
Показаны документы с 1 по 30
 1-30    31-60   61-90      
1.
Авдеев К.С. Автодинный эффект в полупроводниковых лазерах в условиях токовой модуляции и при движущемся отражателе/К. С. Авдеев. - 2008
2.
Зубанов А.В. Активный элемент одномодового полупроводникового лазера повышенной мощности/А.В. Зубанов. - 2004
3.
Слипченко С.О. Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе/С. О. Слипченко. - 2004
4.
Лютецкий А.В. Ассиметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (лямбда - 1.6-1.85 мкм)/А. В. Лютецкий. - 2009
5.
Мамаев А.Н. Взаимодействие волн в активной среде полупроводникового лазера при инжекции внешнего излучения. - 1992
6.
Русаков К.И. Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками в сильном электрическом поле и оптимизация характеристик стримерного лазера. - 1998
7.
Усачев П.А. Влияние подпороговых мод на шум интенсивности излучения полупроводникового лазера/П. А. Усачев. - 2001
8.
Устинов А.В. Волноводные свойства и диаграмма направленности излучения квантоворазмерных гетеролазеров. - 2000
9.
Плисюк С.А. Высокояркостные полупроводниковые лазеры с гребневой геометрией резонатора/С. А. Плисюк. - 2007
10.
Деребезов И.А. Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs/И. А. Деребезов. - 2013
11.
Наливко С.В. Генерационные характеристики многослойных квантоворазмерных лазерных гетероструктур. - 1999
12.
Васильев П.П. Генерация инжекционными лазерами ультракоротких импульсов и их взаимодействие с полупроводниками. - 1999
13.
Лаптев Г.Д. Генерация узкополосного излучения в системе с кольцевым монолитным Nd:YAG лазером и СЛЭБ-усилителем. - 1995
14.
Моисеев К.Д. Гетеропереходы П типа на основе узкозонных полупроводников А В (оптические и магнитотранспортные свойства)/К. Д. Моисеев. - 2005
15.
Тарасов И.С. Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе. - 2002
16.
Ковш А.Р. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений. - 1998
17.
Афоненко А.А. Динамика генерации излучения в полупроводниковых инжекционных лазерах. - 1997
18.
Аврутин Е.А. Динамические и спектральные свойства полупроводниковых интегрально-оптических лазерных излучателей. - 1993
19.
Любарский А.В. Динамические характеристики полупроводниковых гетеролазеров с квантоворазмерными слоями. - 1998
20.
Ковш А.Р. Динамические, шумовые и спектральные характеристики лазеров на квантовых точках/А. Р. Ковш. - 2011
21.
Новиков И.И. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs/И. И. Новиков. - 2005
22.
Гурский А.Л. Излучательная рекомбинация в активных средах полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6. - 2000
23.
Скоров Д.В. Излучательные характеристики инжекционных лазеров со связанными вертикальными резонаторами/Д. В. Скоров. - 2007
24.
Орда-Жигулина М.В. Импедансные свойства инжекционных полупроводниковых лазеров и вопросы разработки СВЧ-модуляторов на их основе/М. В. Орда-Жигулина. - 2008
25.
Зверев М.М. Импульсные многоэлементные полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком. - 1993
26.
Шастин В.Н. Инверсия населенностей внутризонных состояний и усиление дальнего ИК излучения в полупроводниках. - 1998
27.
Айдаралиев М.Ш. Инжекционные лазеры в области 3-4 МКМ на основе твердых растворов JnAsSbP и JnGaAsSb. - 1991
28.
Рябцев Г.И. Инжекционные лазеры на основе GaAs для диодной накачки и информационных систем/Г.И. Рябцев. - 2004
29.
Никитина Е.В. Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающей на длине волны 1.3 мкм/Е. В. Никитина. - 2006
30.
Жуков А.Е. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек. - 2002
 1-30    31-60   61-90      
 
Описание базы данных
Стандартный
Расширенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)