Поисковый запрос: (<.>U=621.373.826.038.825.5(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 130
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1.
| Павловский В.Н. Лазеры с оптической накачкой на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на сапфировых подложках/В.Н. Павловский. - 2005
|
2.
| Климов К.И. Технология изготовления и исследование одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой/К.И. Климов. - 2005
|
3.
| Гладышев А.В. Инжекционные лазеры с гибридным резонатором на волоконной брэгговской решетке/А.В. Гладышев. - 2005
|
4.
| Некоркин С.М. Экспериментальные исследования конкуренции мод и нелинейных эффектов в InGaAs/GaAs/InGaP гетеролазерах с комбинированными квантовыми ямами и с резонаторами различного типа/С.М. Некоркин. - 2005
|
5.
| Рябцев Г.И. Инжекционные лазеры на основе GaAs для диодной накачки и информационных систем/Г.И. Рябцев. - 2004
|
6.
| Дубинов А.А. Механизмы генерации излучения среднего и дальнего инфракрасных диапазонов при продольном транспорте электронов и смешении оптических МОД в полупроводниковых микроструктурах A3B5/А.А. Дубинов. - 2005
|
7.
| Зубанов А.В. Активный элемент одномодового полупроводникового лазера повышенной мощности/А.В. Зубанов. - 2004
|
8.
| Губенко А.Е. Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод/А.Е. Губенко. - 2005
|
9.
| Санников Д.А. Эпитаксия низкоразмерных гетероструктур соединений A2B6 и создание лазеров с катодно-лучевой накачкой на их основе/Д. А. Санников. - 2006
|
10.
| Савельев А.В. Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах/А. В. Савельев. - 2006
|
11.
| Дюделев В.В. Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/GaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения/В. В. Дюделев. - 2006
|
12.
| Гладышев А.Г. Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3 - 1.55 мкм/А. Г. Гладышев. - 2006
|
13.
| Моисеев К.Д. Гетеропереходы П типа на основе узкозонных полупроводников А В (оптические и магнитотранспортные свойства)/К. Д. Моисеев. - 2005
|
14.
| Жукавин Р.Х. Стимулированное излучение при оптическом возбуждении доноров фосфора в кремнии/Р. Х. Жукавин. - 2005
|
15.
| Никитина Е.В. Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающей на длине волны 1.3 мкм/Е. В. Никитина. - 2006
|
16.
| Блохин С.А. Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs/С. А. Блохин. - 2006
|
17.
| Якуткин В.В. Подавление хаотической генерации, вызванной внешней оптической обратной связью в полупроводниковом лазере. - 2003
|
18.
| Тарасов И.С. Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе. - 2002
|
19.
| Михрин С.С. Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме (выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств). - 2002
|
20.
| Цуканов А.В. Исследование процессов когерентной генерации в многоямных наноструктурах. - 2002
|
21.
| Костко И.А. Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров. - 2002
|
22.
| Стратонников А.А. Исследование мощных полупроводниковых лазеров и разработка методов уменьшения расходимости их излучения. - 2003
|
23.
| Жуков А.Е. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек. - 2002
|
24.
| Котельников Е.Ю. Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров. - 2002
|
25.
| Новиков И.И. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs/И. И. Новиков. - 2005
|
26.
| Плисов К.И. Синхронизация поперечных мод в инжекционном лазере планарной геометрии/К. И. Плисов. - 2005
|
27.
| Гладышев А.В. Инжекционные лазеры с гибридным резонатором на волоконной брэгговской решетке/А. В. Гладышев. - 2005
|
28.
| Бондарев В.Ю. Полупроводниковый лазер с катодно-лучевой накачкой на основе низкоразмерных структур с резонансно-периодическим усилением/В. Ю. Бондарев. - 2004
|
29.
| Слипченко С.О. Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе/С. О. Слипченко. - 2004
|
30.
| Астахова А.П. Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм/А. П. Астахова. - 2004
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных