Поисковый запрос: (<.>U=621.373.826.038.825.5(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 130
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1.
| Бежанишвили Г.Р. Разработка технологии и исследование характеристик квантоворазмерных лазеров в системе In-Ga-As-P/GaAs, излучающих в диапазоне от 0,91 до 0,74 мкм. - 1990
|
2.
| Рафаилов Э.У. Исследование оптических характеристик InGaAsP/InP ( =1.3 МКМ) и InGaAsP/GaAs ( =0.8 МКМ) мощных лазеров раздельного ограничения с широким полосковым контактом. - 1991
|
3.
| Куксенков Д.В. Спектральные и динамические характеристики InGaAsP/InP ( =1,5-1,6 мкм) лазеров с распределенной обратной связью. - 1991
|
4.
| Перепелица В.В. Фазированные решетки полупроводниковых лазеров для систем оптической обработки информации. - 1991
|
5.
| Жигулин С.Н. Исследование инжекционных квантоворазмерных лазеров в системе InGaAsP/GaAs. - 1991
|
6.
| Айдаралиев М.Ш. Инжекционные лазеры в области 3-4 МКМ на основе твердых растворов JnAsSbP и JnGaAsSb. - 1991
|
7.
| Шидловский В.Р. Исследование низкочастотных флуктуаций мощности инжекционных лазеров. - 1991
|
8.
| Мамаев А.Н. Взаимодействие волн в активной среде полупроводникового лазера при инжекции внешнего излучения. - 1992
|
9.
| Фуксман М.В. Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( =О,8мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе. - 1992
|
10.
| Капанадзе З.Б. Получение и исследование эпитаксиальных гетероструктур на основе твердых растворов индий-галлий-мышьяк-сурьма для инжекционных лазеров/З. Б. Капанадзе. - 1992
|
11.
| Аврутин Е.А. Динамические и спектральные свойства полупроводниковых интегрально-оптических лазерных излучателей. - 1993
|
12.
| Файзуллаев А.Ш. Исследование излучательных и ресурсных характеристик гетеролазеров на основе варизонных структур Ga In As P/In P . - 1993
|
13.
| Ильин Ю.В. Разработка и исследование излучательных характеристик мощных одномодовых InGaAsP/InP лазеров раздельного ограничения. - 1993
|
14.
| Даварашвили О.И. Исследование полупроводниковых твердых растворов соединений А В и создание инфракрасных лазеров на их основе . - 1993
|
15.
| Зверев М.М. Импульсные многоэлементные полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком. - 1993
|
16.
| Коган А.С. Расслоения и пульсации в широкоапертурных полупроводниковых оптически бистабильных интерферометрах и инжекционных лазерах. - 1993
|
17.
| Ржанов А.Г. Моделирование процессов в многоэлементных фазированных инжекционных лазерах. - 1994
|
18.
| Белкин С.Ю. Создание и исследование длинноволновых полупроводниковых лазеров на основе твердых растворов GaInAsSb. - 1994
|
19.
| Горбачев А.Ю. Мощные одномодовые InGaAsP лазеры раздельного ограничения. Разработка и исследование излучательных характеристик. - 1994
|
20.
| Зайцев С.В. Исследование особенностей механизма генерации многомодовых непрерывных InGaAsP/InP ( =1.3мкм) лазеров раздельного ограничения,выращенных методом краткоконтактной жидкофазной эпитаксии. - 1994
|
21.
| Фокин Г.А. Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs). - 1994
|
22.
| Моисеев К.Д. Создание и исследование инфракрасных источников света на основе гетероструктур твердых растворов арсенида индия. - 1994
|
23.
| Лаптев Г.Д. Генерация узкополосного излучения в системе с кольцевым монолитным Nd:YAG лазером и СЛЭБ-усилителем. - 1995
|
24.
| Дерягин А.Г. Спектральные и скоростные характеристики InGaAsP/InP лазеров, работающих в спектральном диапазоне 1.5-1.6 МКМ. - 1995
|
25.
| Павлов С.Г. Узкополосный перестраиваемый лазер длинноволнового инфракрасного диапазона на р-Ge. - 1995
|
26.
| Богатов А.П. Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах и ее влияние на излучательные характеристики. - 1995
|
27.
| Ву Ван Лык Фотоэлектрический эффект в полупроводниковых лазерах и оптических усилителях. - 1996
|
28.
| Дракин А.Е. Оптические свойства мезаполосковых гетеролазеров на основе твердых растворов А В /А. Е. Дракин. - 1996
|
29.
| Дракин А.Е. Оптические свойства мезаполосковых гетеролазеров на основе твердых растворов А3В5. - 1996
|
30.
| Жуков А.Е. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств . - 1996
|
|
|
|