Поисковый запрос: (<.>U=621.373.826.038.825.5(043)<.>) |
Общее количество найденных документов : 130
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1.
| Абраменко А.Ю. Устройство формирования узкополосных радиосигналов с использованием алгоритма оптимальной интерполяции/А. Ю. Абраменко. - 2014
|
2.
| Авдеев К.С. Автодинный эффект в полупроводниковых лазерах в условиях токовой модуляции и при движущемся отражателе/К. С. Авдеев. - 2008
|
3.
| Аврутин Е.А. Динамические и спектральные свойства полупроводниковых интегрально-оптических лазерных излучателей. - 1993
|
4.
| Айдаралиев М.Ш. Инжекционные лазеры в области 3-4 МКМ на основе твердых растворов JnAsSbP и JnGaAsSb. - 1991
|
5.
| Асрян Л.В. Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках. - 2002
|
6.
| Астахова А.П. Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм/А. П. Астахова. - 2004
|
7.
| Афоненко А.А. Динамика генерации излучения в полупроводниковых инжекционных лазерах. - 1997
|
8.
| Барановский М.В. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества/М. В. Барановский. - 2013
|
9.
| Батрак Д.В. Устойчивость одночастотной генерации и когерентность излучения полупроводникового лазера/Д. В. Батрак. - 2007
|
10.
| Бежанишвили Г.Р. Разработка технологии и исследование характеристик квантоворазмерных лазеров в системе In-Ga-As-P/GaAs, излучающих в диапазоне от 0,91 до 0,74 мкм. - 1990
|
11.
| Белкин С.Ю. Создание и исследование длинноволновых полупроводниковых лазеров на основе твердых растворов GaInAsSb. - 1994
|
12.
| Блохин С.А. Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs/С. А. Блохин. - 2006
|
13.
| Богатов А.П. Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах и ее влияние на излучательные характеристики. - 1995
|
14.
| Богданов А.А. Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров/А. А. Богданов. - 2012
|
15.
| Бондарев В.Ю. Полупроводниковый лазер с катодно-лучевой накачкой на основе низкоразмерных структур с резонансно-периодическим усилением/В. Ю. Бондарев. - 2004
|
16.
| Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм. - 1998
|
17.
| Борщев К.С. Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки/К. С. Борщев. - 2007
|
18.
| Бугров В.Е. Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов Ш группы. - 1998
|
19.
| Валеев А.А. Нелинейные оптические процессы с участием многих компонент оптического поля: четырехфотонное комбинационно-параметрическое преобразование в молекулярных газах и генерация в полупроводниковых лазерах/А. А. Валеев. - 2005
|
20.
| Васильев П.П. Генерация инжекционными лазерами ультракоротких импульсов и их взаимодействие с полупроводниками. - 1999
|
21.
| Винниченко М.Я. Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами/М. Я. Винниченко. - 2013
|
22.
| Владимиров А.Г. Нелинейная динамика и бифуркации в многомодовых и пространственно-распределенных лазерных системах/А. Г. Владимиров. - 2006
|
23.
| Ву Ван Лык Фотоэлектрический эффект в полупроводниковых лазерах и оптических усилителях. - 1996
|
24.
| Высоцкий Д.В. Методы синхронизации наборов полупроводниковых лазеров. - 1998
|
25.
| Гладышев А.В. Инжекционные лазеры с гибридным резонатором на волоконной брэгговской решетке/А. В. Гладышев. - 2005
|
26.
| Гладышев А.В. Инжекционные лазеры с гибридным резонатором на волоконной брэгговской решетке/А.В. Гладышев. - 2005
|
27.
| Гладышев А.Г. Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3 - 1.55 мкм/А. Г. Гладышев. - 2006
|
28.
| Горбачев А.Ю. Мощные одномодовые InGaAsP лазеры раздельного ограничения. Разработка и исследование излучательных характеристик. - 1994
|
29.
| Гордеев Н.Ю. Исследование излучательной рекомбинации в инжекционных лазерных структурах на основе квантовых точек в системе (In, Ga, Al)As. - 1998
|
30.
| Горлачук П.В. Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaInAs/InP для мощных импульсных лазерных излучателей спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм/П. В. Горлачук. - 2013
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных